Линия двойникования

Следует отметить 1) линейное расположение шести гексагональных ямок травления на каждой поверхности скола, причем это расположение одинаково как на верхней, так и на нижней поверхности, и 2) заметное сходство фигур травления с полосами двойникования на поверхности травления. Эти микрофотографии ясно доказывают существование рядов небазисных дислокаций, проходящих сквозь графитовые слои, хотя сразу же возникают обоснованные возражения. Во-первых, можно предположить, что все ямки, из которых состоят эти ряды, возникли вследствие наличия незначительных следов каталитических примесей на противоположных плоскостях скола. Это равноценно мнению о том, что фигуры травления вообще не являются дислокационными ямками травления. Во-вторых, можно считать, что ямки, составляющие ряды, зародились на вакансиях в базисных плоскостях. Оба эти возражения опровергаются очень близким сходством локализации и группировки ямок в ряды статистически нельзя ожидать, что отдельные вакансии, петли вакансий или каталитические примеси будут иметь одинаковое расположение на двух плоскостях скола, за исключение.м случая, когда вакансии [97] или примеси [92] сами связаны с небазисными дислокациями. В-третьих, можно утверждать, что эффекты, наблюдаемые на рис. 92, являются следствием больших деформаций решетки на пересечениях линий двойникования. [c.166]

Это утверждение нельзя полностью отвергнуть, однако экспериментально показано, что пересечения линий двойникования в графите обычно ведут к увеличению химической активности (см., например, другие области пересечений линий двойникования на рис. 92). [c.168]

Дальнейшим подтверждением существования небазисных дислокаций служит то, что обычно наблюдаются ярко выраженные спиральные ямки травления (рис. 93). Спиральные ямки не могут появиться на пересечениях линий двойникования. Несмотря на определенные сомнения, высказанные в [98], в настоящее время принято считать [99—102], что ярко выраженные спиральные ямки травления являются следствием наличия винтовых дислокаций, наклоненных или перпендикулярных к исследуемой поверхности. То, что высота ступенек спиральных ямок составляет около 2000 А или больше, не создает значительных трудностей для интерпретации. Несмотря на то что нельзя ожидать наличия полного равновесия, при котором в кристалле графита теоретически возможно существование винтовых дислокаций даже с очень большими векторами Бюргерса, автор [99] сформулировал другой механизм, объясняющий, как винтовые дислокации с малым вектором Бюргерса приводят к образованию спиральных ямок травления с большой высотой ступеней. [c.168]

ПЛОСКОСТИ 112/ . Меньшая (внутренняя) ямка ориентирована параллельно линиям двойникования, видимым внутри внешней ямки. Внутренняя ямка параллельна также соседним линиям двойникования, расположенным внутри другой большой ямки. Любопытно, что внутренняя ямка, которую до сих пор рассматривали как переориентированную, представляет собой обычную ямку, параллельную двойникованиям, расположенным на той же глубине в решетке графита. Считая, что обычно плоскостями поворотов в верхней и нижней частях кристалла являются плоскости 112/ , из рис. 95 можно сделать вывод, что углы поворота составляют 35 2°. В лаборатории автора, где окисляли множество монокристаллов, никогда не наблюдали действительно переориентированных ямок. [c.173]

Здесь о(дс) -г- соответствующая компонента тензора упругих напряжений, причем о (х) —I напряжения, созданные внешними нагрузками, а ст (х, ) -напряжения, созданные в точке х на линии двойникования отдельной дислокацией,- расположенной в точке этой же линии. В неограниченном однородном кристалле а°(х, О = ( - ) . где D всегда имеет порядок величины произведения модуля сдвига х и модуля вектора Бюргерса Ъ (Р м6), а его конкретное значение определяется анизотропией среды. Напомним, что в изотропной среде для краевой и винтовой дислокаций имеем [c.55]

JПloвepxнo ть кристаллов из слитков представляет собой переплетение плоских слоистых образований (рис. , а). По всей видимости, последующ ие слои нарастают независимо на предыдущие. После снятия верхних слоев при помощи лшжой ленты (с.м. рис. , б) кристаллы имели гладкую зеркальную поверхность с прямыми линиями двойникования. Внутренняя, более совершенная часть кристалла, образуется в начальный период кристаллизации при высокотемпературной изотермической в ы-держке, когда необходимое пересыщение раствора Ре — С достигается частичным выпариванием растворителя, а также о начальный период охлаж,дения. Верхние [c.90]

Рис. 80. Топография кристалла графита после окисления при 830° в течение 2 час. Поверхностные ступеньки АВ и СЬ расположены в направлениях (1120) и пересекают линии двойникования / и СЯ под углами 90 п 30° (Х250).

Подобные расколы на кристаллах тикондерогского графита хорошо видны и были сфотографированы [42]. Поскольку энергии, необходимые для поворота частей кристалла, отделенных расколом спайностей, обычно очень малы, вполне возможно, что такое вращение, или большие углы на границах, принимают за необычную структуру ямок. На рис. 95, на котором показана поверхность ООО/ после окисления Ог при 800°, видна ямка в ямке. Большая (внешняя) ямка ориентирована параллельно линиям двойникования, видимым на поверхности кристалла, так что стороны ямки должны представлять собой атомные [c.171]

Рис. 95. Оптическая микрофотография гексагональных ямок травления с параллельной ориентацией на базисной поверхности. Заметна также ямка внутри ямки внутренняя ямка параллельна линиям двойникования, видимым благодаря ямкам на более верхней базисной поверхности (Х250).

Рис. 109. Микрофотография, па которой видна тенденция к образованию ямок травления в большей степени по о ну сторону от линии двойникования, чем по другую. Снова не наблюдается соответствия между положением частиц тантала на поверхности и о5ластями, где образуются ямки (Х200).

Рис. 113. Микрофотография, снятая при окислении графита в Ог. Расплавленный М0О3 образовал кристаллографически строго ориентированные канавки, часть из которых ориентирована параллельно, а другие — перпендикулярно линиям двойникования (Х210).

В случае тонкого двойника среднее расстояние между дислокациями вдоль длины "двойника порядка 1 мкм. Таким образом, это расстояние примерно в 10 000 раз превышает межатомное расстояние, которое разделяет плоскости скольжения соседних двойникующих дислокаций. Очевидно, что среднее расстояние между дислокациями, выраженное в межатомных расстояниях, определяет порядок величины отношения длины двойника к его толщине, т.е. отношение Ь/к. Поэтому, в основном, по малому параметру к/Ь приближения все дислокации можно считать расположёнными в одной плоскости (плоскости двойникования) [82]. На рис. 3.5 условно изображен ряд дислокаций, соответствующих двойнику длиной Ь. Прямую линию, вдоль которой расположены дислокации и которая является следом плоскости двойникования, обычно называют линией двойникования. [c.53]

Будем считать двойник плоским, а ось х совпадающей с линией двойникования, наклоненной Д10Д углом к поверхности образца (рис, 3.5). Такой двойник образован скоплением прямолинейных дислокаций, параллельных оси г. Предположим, что в некоторой точке х = у поверхности образца имеется источник прямолинейн>1х двойникующих дислокаций, способьай под действием внепшей нагрузки создавать нужное число дислокаций. Точку расположения источника дислокаций будем [c.54]

Начнем с обсуждения качественно новых явлений, специфичных для двойников в пластине. Прежде всего обратим внимание на поведение функии Р Ь ) в окрестности L d. Легко убедиться, что всегда, когда внешние напряжения непрерывны в точке выхода линии двойникования на противоположную границу полосы кристалла (у = d), имеет место условие ( /) = 0. Заметим также, что из (3.46) следует [c.80]

Рассмотрим в качестве примера либо выход упругого двойника на пот верхность из ненагруженного кристалла (а (х, t) - 0) под действием сил поверхностного Натяжения, либо исчезновение упругого двойника внутри кристалла (в простейшей модели эти процессы описываются одинаковыми уравнешями). Поскольку поведение дислокаций на самой поверхности кристалла или в момент аншгиляции не описывается макроскопическими уравнениями, мы искусственно выделим некоторый малый интервач на линии двойникования, который будет исключен из описания, и тем самьш вернемся к уравнению равновесия (3 11). [c.84]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология