Направления кристаллографические символы

Еще в XIX в. минералоги установили, что для описания внутреннего расположения атомов или молекул в кристаллах необходимы два класса операций симметрии. Собственные операции, такие, как вращение или параллельный перенос, сохраняют хиральность объекта. Напротив, несобственные операции превращают объект в его зеркальное изображение, то есть приводят к изменению конфигурации хирального тетраэдрического атома с К на 8. Операции симметрии проводят над точками, осями и плоскостями, которые называют элементами симметрии. В кристалле подобные операции приводят к переносу атомов или молекул в положения с идентичным окружением. Например, кристаллическая структура, имеющая оси вращения п-го порядка, будет казаться неотличимой от первоначального положения при вращении на угол 2тг/п (360°/п) вдоль этой оси. В результате внутренней периодичности для кристаллов возможны оси с п = 1 (первого порядка), 2 (второго порядка), 3 (третьего порядка), 4 (четвертого порадка) и 6 (шестого порядка). Кристаллографические символы для этих осей и симметрично-эквивалентные положения, получаемые при их использовании, приведены на рис. 11.2-2. Параллельный перенос описывает смещение объекта в данном направлении и, конечно, сохраняет хиральность объекта неизменной. В кристаллах вращение на 2тг/п можно сочетать с параллельным переносом на (г/п) х (г = 1,2,..., п — 1 х = а, Ь, с), что приводит к т.н. винтовым осям симметрии Пг. [c.392]

Влияние дефектов на анизотропию свойств кристаллов. Не только оси дислокаций располагаются по определенным кристаллографическим направлениям. Очень часто и точечные дефекты выстраиваются в ряды определенного символа. Следствием этого может служить повышенная [c.264]

Задолго до появления рентгеноструктурного анализа и расшифровки структуры кварца при кристаллографических описаниях кристаллов этого минерала были приняты следующие соглашения. Один из основных ромбоэдров, а именно тот, который был сильнее развит на кристаллах, назван большим (или положительным) и ему приписан символ 1011 — R( соответствующей перестановкой индексов по ромбоэдрическому закону). Соответственно другой ромбоэдр назван малым (отрицательным) — 01 И — г. Для описания и кристаллографических расчетов кристаллов кварца применялись две системы координат морфологически правые кристаллы описывались в правой, а левые — в левой системе координат. Положительные концы полярных осей х (хз) выбирались в направлении на то ребро гексагональной призмы, которое не притуплялось гемиэдрическими гранями дипирамиды (и три-гонального трапецоэдра). Отрицательные концы осей х в этом случае переходили через противолежащие ребра гексагональной призмы, притуплявшиеся гемиэдрическими гранями. При такой установке кристалла кварца грани большого и малого ромбоэдров получали указанные выше символы. [c.83]

Если через т обозначить трансляцию, то точка 3 — трансляционное повторение точки 1 на расстоянии т половина трансляции, связанная с отражением точки в плоскости скользящего отражения, равна т/2. В зависимости от того, с каким кристаллографическим направлением связана половинная трансляция, плоскости скользящего отражения чаются различными символами. [c.53]

Для каждой сингонии надо знать установленный условный порядок расположения осей координат — так называемые правила кристаллографической установки (см. табл. 3 и рис. 57), потому что от расположения осей зависят кристаллографические индексы. Если изменить установку, придется менять индексы всех плоскостей и направлений кристалла (см., например, табл. 10). Для того чтобы разные исследователи могли описывать кристалл одинаковыми символами, введены правила кристаллографической установки. [c.47]

В моноклинной сингонии для классов, в которых есть центр инверсии, после буквы, обозначающей тип ячейки Бравэ, ставится наименование оси, совпадающей с направлением [010], т. е. вдоль кристаллографической оси , а затем указывается при помощи наклонной черты перпендикулярная ей плоскость (если она есть). Например, символ [c.119]

В случае, если плоскость пересекает кристаллографическую ось в отрицательном направлении, над соответствующим индексом следует ставить знак минус . Так, символ плоскости II на рис. 182 обозначается (332). [c.323]

Символы направлений. В отличие от символов граней hkl), для которых используют круглые скобки, для символов направлений применяют квадратные скобки [моау]. Эти символы служат характеристикой любого кристаллографического направления. В этом случае в основу положена прямая пропорциональность отрезков на осях, а не обратная, как у символов граней. Направление определяется однозначно, если известны координаты какой-нибудь точки на прямой. При движении точки вдоль прямой отношение координат остается всегда постоянным. [c.21]

Кристаллографические оси, как и коорди щтные оси в математике, могут иметь как положительные, так и отрицательные направления. Плоскость, пересекающая ту или другую ось в отрицательной области, имеет соответствую щий отрицательный индекс. Например, символ (hkl) означает, что плоскость пересекает вторую ось в ее отрицательной части, причем знак минус становится над индексом. [c.59]

В тех случаях, когда в материалах происходят физико-химические превращения, приводящие к резким изменениям свойств, теплофизические Характеристики даны дополнительно при характерных температурах. Для анизотропных материалов указаны направления измерения относительно главных кристаллографических осей. Если направление измерения ие указано, то материал изотропный или значения свойств приведены в базисной плоскости. В отличие от-истинных усред--неиые характеристики обозначены чертой над символом (Ср, а, Я) для них указаны температурные пределы измерения. Средний коэффициент теплового расширения, как правило, определен в интервале температур от Т до 293К для этих случаев интервал усреднения в таблицах опущен. Метод измерения свойств указан под условным шифром соответственно принятым обозначениям. [c.4]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология