Установка кристаллографическая

К моноклинной сингонии относятся пространственные группы трех кристаллографических классов с осями второго порядка, с плоскостями симметрии и с осями и перпендикулярными им плоскостями. В первых двух группах за обозначением решетки Бравэ следует обозначение оси или плоскости, в третьей в соответствии с уже сказанным —обозначения оси и плоскости, разделенные косой чертой. Примеры пространственных групп Р2, Р2, С2, Рт, Рс, Сс, Р2/т, Р2 с, С2/т, С2/с (см. рис. 18). Заметим, что при переходе от У-установки к 2-уста-новке символы некоторых групп моноклинной сингонии меняют свой вид. Те же группы при 2-установке имели бы символы Р2, Р2и В2, Рт, РЬ, ВЬ,Р2/т,Р21(Ь,В2/т,. В2/Ь. [c.43]

Монокристаллы, обладающие заданной кристаллографической ориентацией, получают по методу вытягивания. На рис. 57 приведена схема одного из типов применяемых для этой цели установок. В ней весь процесс вытягивания происходит в запаянной кварцевой ампуле. Шток с затравкой перемещается магнитным приводом 1127]. В таких установках получаются наиболее высококачественные кристаллы. Но удобнее в работе и более производительны разборные установки. В приборах с шприцевым уплотнением шток с затравкой соединен с кварцевым поршнем, хорошо пришлифованным к внутренним стенкам камеры, в которой происходит выращивание. В другом типе разборных установок для противодействия диффузии паров мышьяка через затвор создается внешнее давление инертного газа (аргона), что сводит потери мышьяка к минимуму (2—4 г за процесс). Нужное давление паров мышьяка в этих установках поддерживается двух- или трехзонным методом. [c.273]

Задолго до появления рентгеноструктурного анализа и расшифровки структуры кварца при кристаллографических описаниях кристаллов этого минерала были приняты следующие соглашения. Один из основных ромбоэдров, а именно тот, который был сильнее развит на кристаллах, назван большим (или положительным) и ему приписан символ 1011 — R( соответствующей перестановкой индексов по ромбоэдрическому закону). Соответственно другой ромбоэдр назван малым (отрицательным) — 01 И — г. Для описания и кристаллографических расчетов кристаллов кварца применялись две системы координат морфологически правые кристаллы описывались в правой, а левые — в левой системе координат. Положительные концы полярных осей х (хз) выбирались в направлении на то ребро гексагональной призмы, которое не притуплялось гемиэдрическими гранями дипирамиды (и три-гонального трапецоэдра). Отрицательные концы осей х в этом случае переходили через противолежащие ребра гексагональной призмы, притуплявшиеся гемиэдрическими гранями. При такой установке кристалла кварца грани большого и малого ромбоэдров получали указанные выше символы. [c.83]

Проведены исследования зависимости степени развития граней на боковой поверхности кристаллов ИАГ от вертикальных температурных градиентов и ориентировки кристаллов. Использовались монокристаллические затравки, ориентированные по основным кристаллографическим направлениям с низкими индексами [100], [110], [111]. Кристаллы выращивались на установке Донец-3 из иридиевых тиглей / т = 2,0 см в среде азота (Р=1- 10 Па) и в условиях вакуума (Р= 1 10 Па). Изменение условий теплоотвода осуществлялось различными вариантами экранирования тигля. Частота вращения кристалла о) = 20—30 мнн , скорость вытягивания 1 = 3—5 мм/ч. В условиях максимальных температурных градиентов происходит наибольшее развитие граней на поверхности кристаллов (табл. 59, рнс, 87). На поверхности конуса расширения кристалла, выращенного на затравку, ориентированную по оси [111], в условиях максимальных температурных градиентов развивается 12 граней. При переходе к заданному диаметру кристалла число граней уменьшается до шести (см. рис. 87). [c.218]

Однако пьезоэлектрический метод связан с определенным кристаллом и определенной его кристаллографической ориентацией. Кроме того, этот метод заключает в себе гипотезу, хотя не лишенную смысла, но и не лишен-ную возражений. Поэтому я перешел к более общему методу, позволяющему большую точность. Я измерял изгиб пластинки, опирающейся на две призмы. Для того чтобы исключить влияние смещения ребер призм, поддерживающих пластинку, и деформации всего прибора, я исследовал изменение расстояния между серединой прогнутой пластинки и стеклянной пластинкой, опирающейся посредством трех винтов на кварцевую пластинку. Установка показана на рис. 2. [c.235]

Кристаллографические системы координат и правила установки кристаллов [c.45]

Для каждой сингонии надо знать установленный условный порядок расположения осей координат — так называемые правила кристаллографической установки (см. табл. 3 и рис. 57), потому что от расположения осей зависят кристаллографические индексы. Если изменить установку, придется менять индексы всех плоскостей и направлений кристалла (см., например, табл. 10). Для того чтобы разные исследователи могли описывать кристалл одинаковыми символами, введены правила кристаллографической установки. [c.47]

При записи или чтении международного символа чрезвычайно важно соблюдать правила кристаллографической установки и порядок записи смысл цифры или буквы, означающей элемент симметрии, зависит от того, на какой позиции в символе она поставлена. Правила записи международных символов точечных групп и правила кристаллографической установки сведены в табл. 4. [c.48]

Обратим внимание на то, что символ зависит от класса симметрии и от принятой кристаллографической установки. Например, символ (001) в кубической сингонии — одна из шести граней куба, а в тетрагональной — одна из двух граней пинакоида или единственная грань моноэдра. Символ 111 [c.82]

Однозначный смысл символа получается, только если соблюдаются единые правила кристаллографической установки (см. табл. 3) или выбора единичной грани. Эти правила сведены в табл. И. [c.82]

Для описания физических свойств кристаллов пользуются правой прямоугольной системой координат. Для кубической, тетрагональной и ромбической сингоний оси этой кристаллофизической системы координат Х , Х2, совпадают с кристаллографическими X, У, Z, для остальных сингоний кристаллофизические оси ориентированы относительно кристаллографических по правилам стандартной установки (см. табл. 26 и 27). [c.188]

Кристаллографическая и кристаллофизическая установки [c.189]

Табл. 10. Символы простых форм в различных классах симметрии Табл. 11. Правила кристаллографической установки и выбора единичной грани Табл. 13. Симметрия элементарных ячеек Бравэ Табл. 14. Характеристики ячеек Бравэ

Во многих случаях тщательное исследование внешней формы кристалла и направлений, при которых наблюдаются погасания, позволяет установить кристалл в рентгеновской камере таким образом, чтобы после установки его вращение происходило бы вокруг кристаллографической оси. [c.51]

Если кристаллографическая установка, принятая авторами работы, отличается от той, которая зафиксирована символом структурного класса, обозначения молекул тем не менее всегда соответствуют стандартной установке. [c.6]

Довольно часто кристаллографическая установка, принятая авторами работ, отличается от стандартной, зафиксированной в символе структурного класса. Тогда после данных о параметрах решетки в квадратных скобках мы указываем установку, которой эти параметры соответствуют. [c.9]

К моноклинной сингонии принадлежат следующие точечные группы симметрии ЬгРС, /,2 и Р. Одно из единичных направлений совпадает с Ьо или располагается по нормали к Р другим является любая линия, перпендикулярная к нему. Таким образом, единичные направления условно можно записать так одно-Ь множество . При установке координатными осями считаются единичные направления. Одно из них рассматривается как ось у. Два ребра, расположенных в плоскости, перпендикулярной к этой оси, принимают за оси х и г. Необходимо, чтобы на наблюдателя был обращен тупой угол р, тогда геометрические константы примут значения ао = Ьоф < о, Р Ф а, = 7 = 90° р > 90°. Численные значения кристаллографических констант а с и угол р. Наиболее обычные формы пинакоиды и ромбические призмы. Структуры минералов примерно такие же, как и у минералов ромбической сингонии. [c.58]

В кварце, судя по структурным особенностям, имеется меж-дуузельная тетраэдрическая (/ 1,2 = 0,199, / з, 4 = 0,203 нм) позиция в структурном канале на оси второго порядка. В стандартной установке эти три кристаллографически эквивалентные позиции находятся на высотах 1/6, 1/2 и 5/6 (по оси С). [c.65]

In ООО, 1/2 1/201+ а = 4,58А, с=4,94А iV=4, Определить пространственную группу и матрицу перехода к кристаллографическ корректной установке (для плоских узловых сеток и узловых рядов). [c.137]

Структура вюрцита, как известно, представляет собой гексагональную элементарную ячейку, в которой выполняется тетраэдрическая координация. Представляет интерес изучение анизотропии физических свойств кристаллов указанной симметрии с точки зрения оценки соотношения различных видов связи в разных кристаллографических направлениях. В работе [1] приведены результаты измерений твердости по Кнуппу ряда соединений со структурой вюрцита. Мы изучали анизотропию теплопроводности монокристалла сернистого кадмия при комнатной температуре. Измерения проводили на установке, описанной в работе [2] по методу А. В. Иоффе и А. Ф. Иоффе с автоматической записью темпа охлаждения. Теплопроводность рассчитывали по методу, описанному в работе [3. Образец имел форму прямоугольного параллелепипеда с размерами примерно ЮХЮХИ мм . Плоскости имели следующие индексы 11120), 00011 и 110101. [c.238]

Правила кристаллографическо установки и выбора единичной грани [c.83]

Очень важно обратить внимание на то, что видЪатрицы зависит от кристаллографической установки. Для второй моноклинной установки (см. табл. 11), т. е. когда ось 2 проходит но [001], та же матрица г уй будет иметь вид [c.259]

Установка для снятия изотерм адсорбции была использована также для определения динамической адсорбционной емкости цеолитов по СОг. Внутренний диаметр лабораторного адсорбера 16 мм и высота слоя 230 мм. Цеолиты измельчали до размеров зерен 1.5—2 мм. Высота слоя во всех опытах оставалась одинаковой — 230 мм. Проскок определяли кристаллографическим газоанализатором [5]. Проскоковая концентрация, соответствующая пороговой чувствительности прибора, составляла 3 см 1м . В отдельных опытах степень очистки воздуха от СОг проверяли хроматографическим методом [6]. [c.135]

Kristallaufstellung f установка кристалла (выбор кристаллографических осей и единичной грани) [c.393]

В работах [23, 24] излагаются результаты диссертации Л. Торель, выполненной в центре кристаллографических исследований Нанси (Франция) и посвященной изучению рассеяния света в кристаллах кварца и хлористого натрия. Измерения абсолютного коэффициента рассеяния света в бензоле в ее работах [23, 24] играли вспомогательную роль. Описание этих измерений Rgo бензола дано очень сжато оценка ошибок опыта отсутствует. Нет никаких указаний на то, что при измерениях 90,с,На принимались во внимание поправки Сп и Су. Между тем из схемы экспериментальной установки, приведенной в работе [23], следует, что поправки С и Су в измерениях Rgo бензола, выполненных Л. Торель, должны были быть существенными. [c.14]

Параметры ячейки даются в естественном порядке а, Ь, с, а,(3, у, — причем буквенные обозначения опущены. При повышении симметрии кристалла некоторые из этих параметров приобретают фиксированные значения, которые, естественно, не приводятся. Если кристаллографическая установка5 принятая авторами работы, отличается от стандартной, зафиксированной в символе структурного класса, после данных о параметрах ячейки в квадратных скобках мы указываем установку, которой эти параметры соответствуют. [c.5]

Исследования проводились в нашем институте Фёльтером с сотрудниками. В работе применялись тонкие диски монокристаллов определенной кристаллографической ориентации, поверхность которых была подвергнута электрополировке. Кинетические измерения проводились статическим методом в вакуумной установке. [c.20]

Сплав ЖС26-БНК-МОВО <М1>. Цилиндрические заготовки для образцов диаметром 16 мм и длиной 90 мм были отлиты на установке ВИСАТ со скоростью кристаллизации Укр = = 20 мм/мин. По результатам контроля соответствия ориентации оси заготовки кристаллографическому направлению <001> для дальнейшего изготовления образцов отбирались заготовки с отклонением оси от заданного направления не более 10°. Образцы (см. рис. 2.6, а) бьши испытаны в следующих условиях. [c.173]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология