Кристаллографические индексы

Рис. 1.68. Кристаллографические индексы граней кубического и октаэдрического кристаллов

Рис. ХХХ.4. Межплоскостные расстояния и кристаллографические индексы некоторых атомных плоскостей.

Частицы, нз которых состоят кристаллы, - атомы, ионы или молекулы - располагаются в пространстве в правильном порядке, образуя кристаллическую решетку, которая состоит из элементарных ячеек, имеющих форму параллелепипедов. На законе целых чисел основана система обозначений граней кристаллов. Для каждой грани пишут набор обратных значений длин отрезков, отсекаемых ею на осях х, у и г. Эти длины характеризуют целыми относительными значениями, выраженными как отношения длин отрезков к величинам, пропорциональным периодам кристаллической решетки (периоды решетки соответствуют ребрам элементарной ячейки-параллелепипеда). Такие обозначения называют кристаллографическими индексами граней, или индексами Миллера (1829 г.). На рис. 1.68 показаны индексы Миллера для граней кубических и октаэдрических кристаллов (знак минус пишут над цифрой). [c.147]

Кристаллографические индексы плоскости пишут в круглых скобках, индексы направлений — в прямых скобках. [c.354]

Трехмерную решетку кристалла можно представить себе как совокупность параллельных равноудаленных друг от друга атомных плоскостей, образованных расположенными в них атомами. На рис. 36 показаны некоторые возможные атомные плоскости в различных типах кубической решетки. Все плоскости, одинаково ориентированные в пространстве, составляют семейство плоскостей, которые характеризуются так называемыми кристаллографическими индексами (или индексами Миллера). Под этими индексами, [c.71]

Для более полной характеристики кристаллов введены понятия об атомных плоскостях, межплоскостных расстояниях ( ) и кристаллографических индексах (А,Л//г)- [c.353]

Кристаллографические индексы (ЛА/) характеризуют ориентацию атомных плоскостей относительно координатных осей кристаллической структуры (ребер элементарной ячейки). При установлении индексов исходят из длин отрезков, отсекаемых атомной плоскостью на трех выбранных осях. Эти отрезки измеряют не в мерах длины, а в долях ребер элементарной ячейки (например, /г ребра, Уз ребра, 2 ребра и т. д.). [c.354]

Чтобы определить кристаллографические индексы плоскости, нужно [c.354]

Полученные таким образом три взаимно простых числа (АА/) и являются кристаллографическими индексами как данной атомной плоскости, так и всего семейства параллельных ей атомных плоскостей. Например, для плоскости с отрезками на осях /г, /з. [c.354]

Можно ввести новые индексы — /У/(L-индексы — дифракции, характеризующие как ориентацию атомных плоскостей, так и порядок дифракции рентгеновских лучей. Эти индексы получают умножением порядка дифракции на значения кристаллографических индексов [c.360]

Соотношение (XXX. 12) получается из соответствующей формулы аналитической геометрии путем замены направляющих косинусов индексами. В кубической сингонии все элементарные ячейки подобны, поэтому взаимное направление нормалей к атомным плоскостям не зависит от размеров ячейки, а только от ориентации соответствующих атомных плоскостей, то есть от кристаллографических индексов кк1). [c.368]

Во время процесса окисления при температурах ниже температуры плавления серебра создаются электрические и термические поля, которые облегчают испарение металла и поверхностную миграцию его атомов при этом образуются четко выраженные грани с простыми кристаллографическими индексами. Поверхностная миграция атомов серебра происходит и при температурах ниже 280 °С, при этом на пленках толщиной в 30—100 диаметров атомов могут развиваться атомные сетки с кристаллографическими индексами (111). [c.274]

Материал Кристаллографические индексы плоскости отражения Торговое обозначение [c.171]

Поверхность базисной грани с кристаллографическим индексом (0001) адсорбентов со слоистой решеткой типа МХа заселена ионами одного типа, например ионами хлора. Наряду с гранью (0001) на поверхность таких кристаллов выходят и другие грани, которые содержат ионы и С1 . Из рис. 1,6, где приведены изотермы адсорбции ксенона на образцах №С1а [304], видно существенное влияние недостаточно откачанной воды на форму изотермы. Изотерма адсорбции имеет несколько ступеней благодаря выходу на поверхность кристаллов нескольких граней. В случае же образца, из которого длительной откачкой удалена вода, в области преимущественного заполнения монослоя на всей поверхности адсорбента наблюдается двухступенчатая изотерма адсорбции. Такой вид изотермы связан с адсорбцией па двух кристаллографических гранях этой соли базисной с индексом (0001), поверхность которой состоит из плотно упакованных ионов хлора, и грани, содержащей и С1". [c.64]

Полученные таким образом три взаимно простых числа кЫ) и являются кристаллографическими индексами как данной атомной плоскости, так и всего семейства параллельных ей атомных [c.325]

Одномерная развертка обратной решетки (по методу Дебая — Шеррера [206]) описывается скалярным равенством, содержащим модули векторов и Р, Двухмерная развертка (по методу Лауэ и др,) описывается векторным равенством, В методе Лауэ [206] проектируются только те узлы, кристаллографические индексы которых удовлетворяют условию зональности отражающих плоскостей. Граница наблюдаемости узлов обратной решетки [c.46]

О кристаллографических индексах см. Китайгородский А. И., Рентгеноструктурный анализ, Гостехтеоретиздат, М., 1950, стр. 13 Б о к и й Г Б., Кристаллохимия, Изд. МГУ, М., 1960, стр. 56.- Прим. перев. [c.327]

Поверхность металла имеет поликристаллическое строение и довольно сложный рельеф из-за разной ориентации кристаллитов на поверхность выступают различные кристаллографические грани гладкие грани с низким кристаллографическим индексом и ступенчатые грани с высоким индексом. Б отдельных случаях может образоваться поверхностная текстура с преимущественным выходом определенного вида граней. На поверхность выступают также микротрещины и различные дефекты кристаллической структуры — дислокации и др. [c.329]

Скорости двух стадийных процессов могут быть близкими, что приводит к смене одного механизма разряда другим при незначительном изменении условий. При коррозии стали, травлении в кислотах и при электрохимическом осаждении металлопокрытий выделение водорода на гранях с разными кристаллографическими индексами возможно по различным механизмам. [c.446]

Данные, приведенные в табл. 22.1, относятся к обычным условиям электролиза, когда металл выделяется на поликристаллической основе и дает отложения, также имеющие поликристаллическую структуру. Поверхность таких осадков образована гранями с различными кристаллографическими индексами. В зависимости от режима электроосаждеиия на поверхности осадка могут преобладать те или иные грани. Поэтому вал<но выяснить, зависит ли металлическое перенапряжение от того, на какой грани выделяется металл. Оиыты с монокристаллами ряда металлов, ориентированными по отношению к раствору различными граниями, подтвердили существование подобной зависимости (см. табл. 22.2). [c.460]

Если аттракционное взаимодействие между адсорбированными частицами достаточно велико (удобной в этом отношении является совместная адсорбция катионов тетрабутиламмония и анионов йода), а поверхность твердого электрода является кристаллографически неоднородной (на поверхность выходят кристаллиты с различными индексами граней), то на С, -кривых можно наблюдать характерное расщепление пиков адсорбции — десорбции, как это показано на рис. 1.12, в. Явление это объясняется тем, что потенциалы адсорбционных пиков на монокристаллических электродах из одного и того же металла, но и с различными кристаллографическими индексами не совпадают друг с другом (при Сорг= = onst) из-за соответствующего различия в потенциалах нулевого заряда. [c.26]

Преимущественно развитые грани кристаллов могут состоять из атомов одного сорта, например, из атомов углерода в случае базисной грани слоистых кристаллов графита, образующей практически всю реальную поверхность графитированных термических саж [6, 21] и почти всю поверхность листочков расщепленного графита [19]. Частицы графитированной термической сажи представляют собой полиэдры, ограненные базисными гранями, а листочки расщепленного графита — тонкие пластинки с развитыми базисными гранями с кристаллографическим индексом (0001). Эти адсорбенты обладают слоистой структурой. В случае базисной гранд графита повторяющимся участком является шестиугольник, обра- [c.15]

На многих других примерах замечено также, что адсорбция серы на катализаторе приводит к более явно выраженному снижению активности, чем это можно ожидать согласно соответствующему уменьшению активной поверхности [16]. Соморджаи [17] высказал предположение, что данный эффект обусловлен реконструкцией поверхности катализатора, которая является следствием разницы в поверхностной энергии различных плоскостей твердой фазы, обладающих низкими кристаллографическими индексами. Согласно этой концепции, адсорбция небольших количеств сероводорода изменяет уровень поверхностной энергии и приводит к новому равновесному распределению поверхностных плоскостей с различной каталитической активностью. Данное объяснение приводит к заключению, что структурно-чувствительные реакции подвержены такому типу отравления в гораздо большей степени, чем структурно-нечувствительные реакции. Действительно, указанный эффект обнаружен Морелем с сотр. [18], которые нашли поразительное различие в характере отравления серой платины, катализирующей две реакции гидрогенолиз циклогексана и гидрирование бензола. Разница наблюдалась только тогда, когда сероводород и диоксид серы вводили совместно и условия получения элементной серы были самые благоприятные. [c.65]

Расщепление адсорбционных максимумов обусловлено по-ликристаллическим строением оплавленного висмутового электрода, на поверхности которого выходят грани с различными кристаллографическими индексами. Отдельные узкие пики в области адсорбционно-десорбционных максимумов (рис. 2) отражают десорбцию органических молекул с различных граней монокристалла, одной из которых является грань (111). Основной причиной этого является различие в значениях потенциала нулевого заряда Фе=о па различных гранях монокристалла. Значение базисной грани (111) монокристалла висмута в растворе K2SO4 составляет —0,68 в (нас. к. э.) [15], т. е. на 30 мв отрицательнее, чем фе=о на оплавленном электроде [2]. На основе значения фе=о грани (111) можно по потенциалам пиков приблизительно оценить фе=о остальных двух граней, про- [c.102]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология