Свет коэффициент поглощения

Таким образом, интенсивность люминесценции пропорциональна квантовому выходу люминесценции, интенсивности возбуждающего света, коэффициенту поглощения при длине волны возбуждения и концентрации люминофора. Уравнение (14.4.83) является математическим основанием количественного люминесцентного анализа. Зависимость интенсивности люминесценции от концентрации люминофора часто сохраняет линейный характер в пределах нескольких порядков величины концентрации. Отклонения от линейности вызваны рядом причин невыполнением соотношения к1с < 0,05 явлением концентрационного тушения, ограничивающим верхний диапазон линейности концентраций эффектами внутреннего фильтра — экранирующим эффектом и эффектом реабсорбции. [c.500]

Для чистых полупроводников при убывании частоты падающего света коэффициент поглощения при некотором значении V резко па- [c.236]

Здесь /о — интенсивность падающего пучка света, — коэффициент поглощения света, зависящий от частоты V. [c.15]

Возникает вопрос, насколько сильно изменяет форму световых кривых значительная оптическая плотность большинства изучаемых растительных объектов, например будут ли негиперболическими наблюдаемые интегральные световые кривые, если дифференциальные световые кривые для каждого из тонких слоев, обладающих равномерным поглощением, являются гиперболами При монохроматическом свете, коэффициент поглощения которого равен а, общий световой поток, поглощенный слоем /, будет [c.477]

Для изучения механизма реакций желателен, а часто и необходим источник монохроматического света. Коэффициент поглощения, квантовый выход и состав продуктов могут зависеть от длины волны, поэтому высокая монохроматичность требуется для того, чтобы исключить связанную с этим неопределенность. [c.296]

Коэффициент поглои ения света. Полупроводники, как и металлы, сильно поглощают свет в видимой области спектра и имеют здесь большой коэффициент поглощения. Для чистых полупроводников при определенной длине волны падающего света коэффициент поглощения резко убывает, и материал становится прозрачным со стороны более длинных волн. Этот участок быстрого спада поглощения называется краем собственного поглощения. Присутствие в полупроводнике большого количества примесей делают его непрозрачным по всей области спектра частот — от ультрафиолетовой вплоть до радиочастот. Если частота падающего света такова, что осуществляются переходы электронов из валентной зоны в зону проводимости, то для данной области частот будет наблюдаться большой рост поглощения. Собственное поглощение и обусловлено переходами электронов из валентной зоны в зону проводимости поглощением фотона. Длина волны и частота v , соответствующие краю собственного поглощения, приближенно определяются условиями [c.53]

Для чпстых полупроводников при убывании частоты падающего света коэффициент поглощения при некотором зиаченлп V резко падает н материал становится прозрачным для лучей с меньшими частотами. Этот участок быстрого спада поглощения называется краем собственного поглощения. Длина волны X и частота V, отве- [c.293]

Уменьшение наклона кривой при переходе к более высоким концентрациям связано, как правило, с уменьшением концентрационной чувствительности линий определяемого элемента из-за ее реабсорбции (самопоглощения). Реабсорбцией называют по-глощение линии элемента его же атомами в самом источнике света. Коэффициент поглощения (поглощательная способность) источника света увеличивается с повышением концентрации в нем поглощающих атомов. Поэтому с увеличением содержания элемента в пробе замедляется рост интенсивности линии и она теряет свою концентрационную чувствительность. Наименьшей конн,ен-трационной чувствительностью в спектре каждого элемента отличаются резонансные линии, и их применение ограничивается определением самых малых концентраций. Как правило, линии с более высокими потенциалами возбуждения отличаются и более высокой концентрационной чувствительностью. [c.217]

На рис. 14.1 схематически показано оптическое устройство, использованное в работе [37] при исследовании растворов галогенов в четыреххлористом углероде и других инертных растворителях. По обе стороны от кюветы с раствором длиной 10 см помещены фотоэлементы 1 ж 4. Сначала была установлена пропорциональность между концентрацией молекул галогенов в растворе и коэффициентом экстинкции света с длиной волны 5500 А. В одном из опытов исследовали поведение иода в СС14 при 20 °С и концентрации 2,2 X Х10 моль/л = 1,33-10 молекул в 1 см . В дальнейшем будем обозначать галоген через X, чтобы не возникало путаницы между обозначениями интенсивности света и химическим символом иода. Над кюветой, как показано на рис. 14.1, помещена лампа, свет которой с помощью параболического зеркала фокусируется на кювете. В отсутствие интенсивного света коэффициент поглощения оказался больше, чем при освещении (см. рис. 14.2). Уменьшение концентра- [c.392]

При изучении биологических действий излучения очень важно учитывать различие в пространственном распределении рассеянной энергии при облучении ультрафиолетовым светом и ионизирующим излучением, таким, как рентгеновы лучи. Для ультрафиолетового света коэффициент поглощения зависит от молекулярной структуры поглощающей среды и различен, например, для нуклеиновой кислоты и для белка. Поэтому доза поглощенной энергии в эргах на 1 сл может быть совершенно различной в разных частях облученной хромосомы в зависимости от количества содержащейся в них нуклеиновой кислоты и от стадии цикла деления. Для рентгеновых лучей указанные различия не существуют, так как их поглощение атомами вещества не зависит от типов химических соединений, в которых участвуют эти атомы значительное поглощение рентгеновых лучей в костной и некоторых других тканях связано с тем, что в состав последних входят соединения, содержащие атомы с большими атомными номерами. [c.10]