Бесфононная линия

Сходный механизм уширения спектра действует, как известно в примесных кристаллах, где фононные уровни энергии сгруппировались в квазиненрерывные зоны. Оптический спектр примесного центра кристалла состоит из узкой бесфононной линии (чисто электронный переход) и широкой фононной полосы, обусловленной вибронными переходами [72]. Чем сильнее электрон-фононная связь, тем шире и интенсивнее фононная полоса (и соответственно тем слабее выражена безфононная линия). Наблюдаемый колебательный спектр фрагмента ОНО по форме похож на электронный спектр примесного центра. Поскольку ни один из флуктуационных механизмов не может обеспечить появление наблюдаемой полосы ИК-поглощения, мы будем рассматривать гидратированный протон в воде как примесь в квазикристаллической среде, а сравнительно узкую полосу вблизи 1200 см — как бесфононную, обусловленную чисто протонными переходами, а широкое непрерывное поглощение — как фононное крыло, обязанное различным сочетаниям возбуждений фононов в сольватной комплексе [73]. Ниже будет показано, что такое поглощение может появиться, если в системе с большим числом колебательных степеней свободы велико как протон-фононное взаимодействие, так и фононная частота. [c.189]

Форма полос синглет-синглетных переходов. Бесфононная линия [c.248]

Рис. VII. 3. Примерные контуры (Л) линии поглощения (а) и излучения (б) при наличии бесфононной линии, и экспериментально наблюдаемый [354] спектр поглощения центрами окраски в LIF ( )

БЛ —бесфононная линия ФК—фононное крыло. [c.250]

Существенный интерес в спектрах поглощения и люминесценции представляет так называемая бесфононная линия [351, с. 76] (впервые выявлена в работе Кривоглаза и Пекара [353]). Она появляется в виде дополнительного острого пика на фоне широкой полосы поглощения при частоте чисто электронного перехода Qo в тех случаях, когда параметр тепловыделения а невелик. Как видно из рис. VII. 1, при малых а минимумы адиабатических потенциалов почти не смещены и чисто электронный (бесфононный) переход с колебательными квантовыми числами 0->0 становится наиболее вероятным. Более того, в этом случае интенсивными окажутся и переходы 1->1, 2- 2 и т. д., которые в пренебрежении энгармонизмом имеют ту же частоту Qo, что и О—О переход и, складываясь с последним, дают общую интенсивную узкую (а мало ) линию на фоне менее интенсивных одно-, двухфононных [c.250]

Бесфононная линия —важная характеристика электронных спектров, несущая информацию об электронном строении системы она дает точную величину энергетического расстояния между чисто электронными положениями термов (дальнейшее обсуждение вопроса см. стр. 265). [c.251]

Вертикальная стрелка указывает на положение бесфононной линии частоты Qg. [c.262]

Вибронные эффекты в переходах с участием электронно-вырожденных термов проявляются непосредственно и в бесфононных линиях (стр. 248). Так как последние (см. выше) довольно узки, в них может отразиться тонкая структура вибронных уровней, получаемых в результате решения вибронных уравнений (VI. 13). В частности, можно ожидать, что рассмотренное в разделе VI. 4 инверсионное (туннельное) расщепление проявится в виде соответствующего расщепления бесфононной линии перехода на электронно-вырожденный уровень в поглощении или люминесценции. Такое расщепление действительно наблюдалось в Л- -переходах в системах [375] , ,-1 [c.265]

Расщепление бесфононной линии 40 см наблюдалось также в М1-> Г2-переходе системы — MgO [376]. Объяснение его как вызванное туннельным расщеплением в Г2-терме пока еще нельзя считать окончательным, хотя его ян-теллеровская природа не вызывает сомнений. [c.265]

Инверсионное (туннельное) расщепление наблюдалось также непосредственно в расщеплении бесфононной линии оптического поглощения, связанного с переходом в системах Еи +— aFg [c.171]

БЛ — бесфононная линия ФК —фононное крыло. [c.175]

На рис. У1.7 показаны примерные контуры полосы поглощения и эмиссии и выделяющаяся на их фоне узкая бесфононная линия частоты Оо- Для двух ядерных термов, между которыми наблюдается у-переход, можно нарисовать такие же кривые адиабатических потенциалов в пространстве координат нормальных колебаний, что и приведенные на рис. V. 1 (стр. 121) для электронных термов. Но в отличие от последних для ядерных переходов параметры совершенно иные, в частности, смещение положений минимумов в основном и возбужденном состояниях (параметр а, см. раздел V. 1) здесь намного меньше, чем в электронном случае. [c.176]

Частота бесфононной линии Оо одинакова в поглощении и эмиссии, и именно на ней осуществляется резонансная флюоресценция. Вероятность бесфононного перехода поэтому определяет вероятность эффекта Мессбауэра / [формула (X. 69)] [c.176]

Представим себе источник у-квантов — ядра в возбужденном состоянии в определенной кристаллической решетке, и поглотитель этих квантов — то же ядро в основном состоянии, но уже в Счетчик другой решетке (например, другого вещества). Ввиду влияния окружения ядра на положение бесфононной линии (см. ниже) различия в поглощении ядер источника и поглотителя могут оказаться достаточными для расстройки резонанса [c.177]

B. 3. Малкин. Теория спин-решеточной релаксации Кронига-Ван-Флека п расчет ширины бесфононных линий в оптических спектрах парамагнитных кристаллов.— В сб. Парамагнитный резонанс , № 4. Казань, 1968, стр. 3—28 (Казанск. гос. ун-т). [c.240]

Ф. 3. Гилъфанов, Б. 3. Малкин, И. К. Насыров, А. Л. Столов. Температурная зависимость ширины и сдвигов бесфононных линий поглощения в кристаллах фторидов, активированных гадолинием.— Физика твердого тола, 1966, 8, 3070—3074. [c.240]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология