Кристаль

Кч образца Концентрация, масс. % Температура, С Число оборотов, об/мин Расход охлаждающей воды, м /ч Число Кристалов [c.314]

При добавлении насыщенного раствора (ЫН4)2504 к малорастворимому сульфату кальция последний переходит в раствор в виде сульфатного комплекса Рис. 9. Пучки иглообразных (МН ) з [Са (80 ) 2]. Этой реакцией можно Кристалов. а 4- 2О воспользоваться для дробного обнаруже- [c.250]

Форма отчета. Отчет по работе должен содержать 1) формулировку поставленной задачи 2) описание и схему установки 3) обоснование выбора режима и описание методики проведения эксперимента 4) описание внешнего вида полученных Кристалов, их размеров и формы 5) результаты определения плотности, типа проводимости, ди( )ференциальной термо-э. д. с. и микротвердости 6) выводы по работе. [c.83]

Как видно из табл. 6.1, для воды наблюдается рост энтропии при изменении ее агрегатных состояний от кристалов к газу. [c.151]

Расчет диэлектрической проницаемости порошковых материалов определенной зернистости осуществлялся по формуле Винера. Контрольные измерения диэлектрических параметров единичных Кристалов и порошков алмаза, кварца и фторопласта, проведенные при комнатной температуре на частоте 3360 МГц в полом цилиндрическом резонаторе с типом ою показали удовлетворительное согласие полученных данных и приведенных в литературе. [c.451]

Смесь всех четырех веществ нагревают 2 — 3 часа ло кипения с обратным холодильником. Затем ставят прямой холодильник и отгоняют избыток сероуглерода и спирта разбавляют остаток водой и отфильтровывают выделившиеся кристалы дифенил-тиомочевины. Для получения тиомочевины в чистом виде—сырой продукт промывают сначала водой, затем серной кислотой и, наконец, снова водой сушат тиомочевину на водяной бане. Выход 60 - 70% теории, считая на анилин. [c.142]

Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для полупроводниковой электроники, техники квантовых оптических генераторов, процессов изготовления микроминиатюрных устройств, твердых и пленочных схем. Изготовление активных элементов, полупроводниковых схем п р— -переходов основано на диффузии легирующих примесей в полупроводниковый монокристалл из газа или расплава. Этот процесс сводится к налетанию молекул (атомов) из газовой фазьг и к диффузии их внутрь кристалла. Второй процесс медленнее первого. А так как диффузия примесей протекает по уравнениям первого порядка, то весь процесс псевдо-мономолекулярный. Таков же характер процесса травления полупроводника, если диффузионная стадия самая медленная. В этих случаях особую роль играет закош анизотропии кристалов, так как диффузия в кристаллах идет с разной скоростью в разных направлениях. Скорость роста кристаллов, скорость окисления кислородом,, скорость травления зависят от того, какая грань подвергается воздействию. Например, доказано, что различные грани кристаллов вольфрама обладают неодинаковой активностью по отношению к кислороду и разной способностью эмитировать электроны при нагревании между этими свойствами наблюдается коррелятивная зависи.мость. Медь быстрее всего окисляется в направлениях, перпендикулярных граням кубических кристаллов. Обнаружено,, что внутреннее строение пленки СигО определенным образом ориентировано по отношению к поверхности кристаллов меди, что называется явлением эпитаксии. [c.61]

К аппаратам высокого давления (АВД) уфовно относят аппараты, работающие на внутреннем давлении в диапазоне от 10 МПа до 130 МПа. Данное оборудование используется для проведения химических и нефтехимических процессов в производстве спиртов (этанол, метанол, бутиловые и высшие жирные спирты), минеральных удобрений (аммиак, карбамид), полиэтилена, искусственных кристалов и т.п. [c.800]

В I и II секциях вакуум-кристаллизатора начинается о,бразова- ние кристаллов, в последующих секциях идет их рост. Из последней (Секции вакуум-кристаллизатора суспензия поступает в сгуститель 10, в котором частичное ее сгущение происходит за счет осаждения кристалов в конической части Осветленный раствор возвращается в цикл, а сгущенная суспензия с содержанием твердой фазы 40—707о (об) подается на фильтрующую центрифугу [c.211]

Светложелтые Кристалы Золотисто-желтые кристаллы Вещество слабожелтого цвета Красные пластинки [c.189]

Светложелтые иглы Светложелтые Кристалы Красные кристаллы Золотисто-желтые кристаллы Красное вещество [c.189]

Выход 4-нитротолуола 16—18 г (47—53%). Бесцветные Кристалы с т. пл. 50—52 С т. кип. 238 °С при атмосферном давлении, 104,5 С при 1,2 кПа Rf 0,34 на силуфоле ( I4) хорошо растворяется в эфире растворяется в этаноле, бензоле, ацетоне, пиридине. Для получения чистого 2-нитротолуола фракцию, кипя- [c.44]

Цианамид N=0—NH2 представляет из себя белые безцветные кристалы- Температура плавления его 41о—42 . Под давлением 18 мм- ртутного столбца он кипит при температуре 143 —144". [c.85]

Третья кристаллизация При правильном проведении процесса достаточно аффинированный эргостерол дважды перекристаллизо вать для полного истощения маточника II Однако при высокой температуре кристаллизации и при других ненормальностях в работе кристаллизационного отделения две кристаллизации не обеспечивают полного извлечения эргостерола из продуктов кристалии-зации В этом случае маточник II уваривают, снова кристаллизуют и фильтруют В результате третьей кристаллизации получают эргостерол III, направляемый в маточник I для растворения и перекристаллизации, а маточник III является отходом производства [c.240]

СРАВНИТЕЛЬНАЯ КОРРОЗИОННАЯ СТОЙКОСТЬ ХРОМИСТОЙ МАРТЕНСИТНОЙ СТАЛИ, АУСТЕНИТНОЙ СТАЛИ И АУСТЕНИТО-МАРТЕНСИТНЫХ СТАЛЕЙ (ДАННЫЕ М. М. КРИСТАЛЬ) [c.45]

Кристаль М. М., Новикова Т. Б., Лисицина Т. И. и др. Стойкость сталей и сплавов высокой прочности против коррозионного растрескивания и точечной коррозии//Сб. науч. тр. Всесоюзного научно-исследовательского и конструкторского института химического машиностроения. М. НИИХИММАШ, 1977. № 78. С. 17—25. [c.135]

Фрейман JI. Я,, Пражак М., Кристаль М. М. и др. Об унификации методов ускоренных испытаний нержавеющих сталей на стойкость против питтинговой коррозии. Основная концепция. Химические испытания // Защита металлов. 1984, Т. 20, № 5. С. 698—710. [c.137]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология