Плотность фототока

Рис. 12. Влияние температуры на максимальную плотность фототока при потенциале, равном 3,75 в

Значит, величину работы выхода можно найти, измеряя зависимость фототока от частоты и экстраполируя график к нулевому значению силы тока. Однако пересечение кривой на этом графике с осью I четко определяется только при ОК, так что при более высоких температурах можно получить лишь приближенное значение порога. Тем не менее Фаулер [33] вывел теоретическое выражение, которое связывает плотность фототока, работу выхода и температуру в этой области [c.117]

Вольфрам (как без специальной обработки, так и анодно окисленный) при катодной поляризации не фотоактивен. Наоборот, как следует из рис. 13, в случае анодной поляризации имеет место фотоэффект, причем чем выше потенциал, тем больше плотность фототока. На рис. 14 приведена кривая, отражающая зависимость максимальной плотности фототока от потенциала анода. Кривая состоит из двух прямолинейных участков. [c.37]

Установка с модулированным освещением ячейки описана в работах [25, 53]. Квадратно-волновой сигнал света от ртутной лампы низкого или высокого давления с полупериодом 45 мсек получался путем соответствующей модуляции тока питания лампы. Для поляризации ячейки и измерения фототока использовался квадратно-волновой полярограф. Измерение фототока проводили в течение последних 20 мсек светового полупериода (рис. 1.2). В этих опытах плотность фототока составляла 10 —10 а см . (Такие же по порядку величины фототоки обычно достигаются в установках с постоянной интенсивностью света.) [c.23]

Фотоэмиссионный ток достаточно мал, так что он практически не нарушает термодинамического равновесия внутри твердого тела. При экспериментально наблюдаемых плотностях фототока это условие всегда имеет место. [c.31]

Кривая, выражающая зависимость фототока от длины волны X или от частоты падающего на катод излучения V, называется спектральной характеристикой данного катода. Для того чтобы спектральная характеристика была вполне определённой и не зависела, например, от разрешающей способности монохроматора или от распределения интенсивности в спектре источника света, при построении спектральной характеристики необходимо относить плотность фототока к единице энергии излучения, поглощаемого единицей поверхности катода в единицу времени. [c.131]

Вид вольтамперной характеристики фотоэффекта, то-есть ход кривой, воспроизводящей зависимость фототока с катода от разницы потенциалов между катодом и улавливающим электроны анодом, определяется в случае чистых металлических поверхностей, кроме геометрической конфигурации электродов, распределением скоростей среди эмиттированных фотоэлектронов и контактной разницей потенциалов между электродами. Вследствие малой плотности фототока ограничивающее ток действие пространственных зарядов весьма незначительно и ток достигает насыщения уже при очень малой величине истинной разницы потенциалов между катодом и анодом (сумма наложенной извне и контактной разницы потенциалов). В случае сложных катодов внешнее поле влияет на эмиссию, и вольтамперная характеристика сложнее. Насыщение тока наступает и для чистых металлов лишь при сравнительно большой разности потенциалов между катодом и анодом в тех случаях, когда вследствие формы катода и анода напряжённость поля у поверхности катода настолько различна в различных точках, что при малой разнице потенциалов между анодом и катодом пространственные заряды не рассеиваются в местах наименьшей напряжённости поля у катода и ограничивают здесь плотность тока. [c.132]

Исключая п из (524) и (525), находим формулу Томсона для плотности фототока с катода с учётом обратной диффузии [c.421]

Фотодиоды применяют при больших плотностях фототока (50 мка/см и более), когда, например, в качестве источника света используют мощную ртутную лампу, а монохроматор настраивают На длину Волны одной из линий ртути. [c.61]

Фототок, получаемый при освещении катода неразложенным светом, называется интегральным фотоэффектом данного катода при освещении его данным источником света. При сравнении интегрального фотоэффекта для разных катодов или для разных источников света необходимо производить сравнение при одинаковых условиях, т. е. при одной и той же общей энергии излучения, падающего на поверхность катода в единицу времени. Иногда вместо того чтобы указывать силу или плотность фототока, приходящихся на 1 вт мощности излучения, падающего на катод, интенсивность фотоэффекта характеризуют количеством электрического заряда, выходящего из новерхности катода при погло-и eнии ею количества энергии радиации, равного единице. Таким образом, интенсивность фотоэффекта выражают, например, в кулонах на одну калорию. [c.57]

Согласно определению величин Р Е1, (а) и р ( г, рц), произведение Р Е1, х)р (Е1, р II )йЕгс1р II есть количество электронов в металле с заданными значениями и р ц в интервале ц. Умножение этой величины на е/д. Е , рц, <о) с последующим интегрированием по всем допустимым значениям и рц и даст, очевидно, в соответствии с (2.1), значение полной плотности фототока. [c.32]

Увеличение площади истинной поверхности полупроводника эквивалентно уменьшению плотности фототока, а это означает, во-первых, уменьшение энергетических потерь, связанных с перенапряжением электрохимических реакций, а во-вторых-уменьшение относительной скорости фотокоррозии, которая более интенсивно протекает при больших плотностях фототока. Поэтому (оставляя в стороне вопрос о механической неустойчивости микрогетерогенных систем, обусловленной коагуляцией коллоидных частиц или оседанием суспензий) можно ожидать, что микрогетерогенные полупроводниковые системы будут химически более устойчивы по сравнению с макроскопическими фотоэлектродами, изготовленными из тех же материалов. [c.117]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология