Франка Рида

Такой механизм рождения новых дислокаций под действием сдвигающего напряжения носит название механизма Франка—Рида. Местами, где происходит процесс зарождения новых дислокаций (как пузырьков при кипении жидкости), являются примеси и дефекты решетки, приводящие к закреплению дислокации в двух точках. В результате под влиянием напряжения дислокация не сможет двигаться вся [c.362]

Образование дислокаций. Как легко показать, для образование I источника дислокаций типа Франка-Рида с двумя концами тре- [c.27]

Одним из важных свойств дислокаций является их способность при движении к размножению. Возможным механизмом этого процесса является механизм Франка — Рида. Линия дислокации на своих концах закреплена (примесями, точками пересечения с поверхностью кристалла или с другими дислокациями). Когда к кристаллу прикладывается внешнее напряжение, линия дислокации, закрепленная в двух точках, начинает прогибаться и удлиняться с образованием петли, а ее концы вращаются вокруг точки закрепления. При превышении определенного значения напряжения образовавшаяся петля отрывается, образуя новую дислокацию, причем породившая ее старая дислокация остается. Этот процесс теоретически может повторяться бесконечно. [c.96]

Размножение дислокаций. Периодическое возбуждение источников Франка-Рида приводит к генерации упругих волн. Это естественно, поскольку возникновение каждой новой дислокационной петли есть элементарный скачкообразный пластический сдвиг с изменением упругого поля дислокации. Возникновение АЭ по механизму Франка-Рида подтверждает установленный факт, что скорость счета АЭ пропорциональна обратной величине среднего значения длин источников Франка-Рида. [c.168]

Найдено, что плотность дислокаций в реальных полимерных кристаллах приблизительно такая же, как и в неорганических (10 —10 см ). К тому же, во время деформации при движении дислокации могут размножаться. Однако в силу малости размеров полимерных монокристаллов источники тина Франка— Рида, за счет которых дислокации размножаются в металлах, не действуют. Предполагают, что в полимерах дислокации [c.169]

Еще более нагляден, но и более сложен по технике эксперимента метод декорирования, в котором дислокации делаются видимыми, потому что на них осаждаются чужеродные частицы (см. рис. 310). Так, если кристалл кремния подвергнуть отжигу в парах золота, то частицы золота осаждаются вдоль дислокационных стенок, делая их видимыми. В отличие от метода травления метод декорирования позволяет наблюдать дислокационную структуру не только на поверхности, но и в глубине кристалла. На рис. 310 видны два отрезка одной дислокационной петли и рождаемые ими новые дислокационные петли. Такая конфигурация называется источником Франка—Рида. [c.353]

Источник дислокаций в кристалле (источник Франка—Рида), выявленный методом декорирования Увеличение 600 х [c.353]

Наибольшее значение имеет механизм образования дислокаций, называемый по имени открывших его ученых механизмом Франка —- Рида. Выше было показано, что при пластической деформации происходит движение дислокаций. Однако некоторые точки дислокации могут закрепляться и в результате теряют способность двигаться. Такое закрепление может происходить по различным причинам. Так, две дислокации, движущиеся в различ- [c.337]

Можно было бы связывать вращательные дислокации с дислокационными петлями, а дисклинации рассматривать как характеристики наличия источников Франка — Рида. Такой взгляд на вещи является лишь предположением доказательство, если оно существует, остается на будущее. [c.90]

Источник Франка — Рида. Для создания дислокаций нужно преодолеть межатомные силы и затратить на это энергию, пропорциональную длине дислокации. Пусть расстояние между точками А — В (длина скользящего участка дислокации) равно L. На рис. VI.20, а фиксировано два положения дислокации — / и II. [c.405]

Дислокации могут возникать не только при деформации сдвига, но и, например, вследствие образования различных дефектов во время роста кристалла. Кроме того, возможно размножение дислокаций при действии сдвигающей их силы на дислокацию с закрепленными (например, на включениях примеси) концами — так называемый источник Франка—Рида. В обычных кристаллах содержится 10 см (и более) дислокаций специальной обработкой (получением материала в специальных условиях) можно как понизить эту концентрацию вплоть до нуля, так и повысить до значений порядка 10 ° см . [c.148]

Мы не будем рассматривать здесь этот и другие механизмы Франка — Рида, приводящие к появлению новой дислокации. [c.280]

Такой механизм рождения новых дислокаций под действием сдвигающего напрям ения носит название механизма Франка-Рида. Местами, где происходит процесс зарождения новых дисло- [c.280]

Первые последовательные расчеты такого типа проведены для описания АЭ, сопровождающей выход упругого дворика из кристалла [422] и начальную стадию рботы источщка Франка -Рида [428 ]. [c.223]

Чтобы объяснить экспериментально наблюдаемое исчезновение металла вблизи поверхности раздела металл — окисел (или сульфид), Барре, Коулсон и Ламбертен [26] предположили, что одновременно с ростом пор и полостей за счет стока вакансий происходит внутреннее рассасывание металла, когда все вакансии уже удалены за счет переползания краевой дислокации по спирали роста. Бардин и Херринг [27] рассчитали движущую силу, обусловливающую движение краевых дислокаций при заданном пересыщении по вакансиям. Использование механизма Франка — Рида для переползания [28], в котором учитывается движение краевой дислокации относительно винтовой, являющейся осью вращения, или краевой дислокации, связывающей две винтовые (петля Франка — Рида), позволяет учесть внутреннее рассасывание металла в стационарном режиме с помощью методов, применяемых для описания некоторых видов пластической деформации, например в эффекте Киркендаля [29]. [c.264]

Некоторые нерегулярности на снимках, по мнению Селла, Копжо и Трилла [39], могут быть интерпретированы за счет дислокаций (см. рис. 118), петель дислокаций, и источников Франка-Рида. Авторы [-39] подчеркивают, что метод декорирования можно использовать для изучения процессов взаимодействия дислокаций. Касаясь природы произвольно ориентированных [c.373]

В эффекте пластифицирования значительная роль может принадлежать подповерхностным (имеющим одну точку закрепления) источникам дислокаций, напряжение начала работы которых значительно ниже, чем у источников с двумя закрепленными точками [233]. Известно, что тонкая поликристалличес-кая пленка, нанесенная на поверхность монокристалла, а также легирование тонкого поверхностного слоя способны заметно увеличить преде.л текучести образца, тормозя работу этих источников [16, 120,228]. Наоборот, при понижении о естественно ожидать повышения активности подповерхностных источников и уменьшения предела текучести. Поскольку взаимодействие такого источника с поверхностью сводится к последовательному прочерчиванию вторым (незакрепленным) концом отрезка дислокации поверхности кристалла, т. е. образованию ступеньки на поверхности, полученное соотношение для Topt остается справедливым параметр v сохраняет тот же по рядок величины и приобретает смысл числа оборотов в секунду подповерхностного источника (дислокационной спирали в механизме Франка — Рида [200]). [c.31]

В последнем случае применяют травители, например травитель Дэша, состоящий для кремния из 12 весовых частей уксусной кислоты,. 3 частей НМОд и 1 части НР. Под действием травителей выходы дислокаций проявляются в В1вде ямок (рпс. VI.19, Ь). Необычная фигура расположения дислокации (рис. VI. 19, а) является подтверждением механизма образования дислокаций, именуемого источником Франка — Рида, на модели которого коротко остановимся. [c.404]

При дальнейшем росте т данный участок дислокации становится неустойчивым п наступает динамическое расширение дислокацгпт. Последовательное положение дислокации на рис. VI.20, Ь помочено номерами 2, 3, 4, 5, 6. Последним в этом цикле образуется участок 6, который, если приложенное напряжение больше Tg, вновь расширяется, повторяя цикл, в котором образуется одна дислокационная петля за другой. Действие источника Франка — Рида хорошо выявляется на рис. VI. 19, а. [c.405]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология