Поверхность дефекты, дислокации

Таким образом, немногочисленные данные показывают, что ингибиторы могут эффективно подавлять коррозию сталей под напряжением. Однако пока не установлена зависимость между способностью ингибиторов тормозить коррозию под напряжением и их строением, что не позволяет научно обоснованно подходить к их выбору. На основе теоретических соображений можно пред-. положить [103[, что при воздействии растягивающих напряжений наиболее эффективными ингибиторами будут являться те, которые хорошо адсорбируются на отрицательно заряженной поверхности растянутого металла. Это прежде всего ингибиторы катионного типа, а также ингибиторы, образующие На поверхности плотные пленки. В случае пластической дефор.мации, когда в кристаллической решетке металла образуются линейные дефекты — дислокации, сжатая часть которых заряжена положительно, а растянутая отрицательно, можно ожидать, что эффективными ингибиторами могут являться вещества Как катионного, так и анионного типа, а также ингибиторы образующие плотные полимолекулярные слои или пленки. [c.65]

При адсорбции органических веществ большую роль играет микроструктура поверхности твердого электрода. Под микроструктурой поверхности понимается ориентировка граней кристаллов на поверхности, существование дислокаций, вакансий, микроискажений поверхности и других дефектов. Предварительная обработка электродов, например отжиг или различные виды деформации, существенно влияют на микроструктуру поверхности, а следовательно, и на адсорбцию органических веществ. Так, при изучении адсорбции трибензиламина на железном электроде было обнаружено, что трибензиламин лучше адсорбируется на железе зонной плавки, подвергнутом отжигу при 600°С, чем на железе, отожженном при 750°С. Это связано со снятием остаточных напряжений, переориентацией кристаллов, уменьшением концентрации дислокаций и других несовершенств кристаллической решетки при более сильном отжиге. Была также обнаружена различ- [c.136]

СКИХ деформаций сдвига. Это вызовет при охлаждении кристал- лов образование структурных дефектов — дислокаций, плотность которых только по этой причине может достигнуть весьма больших значений (до 10 м" ). Структурные дефекты, как известно, ухудшают свойства кристаллов, поэтому при выращивании монокристаллов предпринимают различные меры, чтобы поверхность раздела кристалл — расплав имела плоскую форму. Сохранение плоского фронта кристаллизации важно также для равномерного распределения примесей в поперечном сечении монокристалла. Чтобы избежать этих недостатков и создать достаточно однородное распределение температуры в расплаве и кристалле, последний в процессе роста вращают со скоростью до 50 об/мин, а тигель вращают в обратном направлении со скоростью до 30 об/мип. [c.59]

Различия в кинетических характеристиках при растворении железа по механизмам (1.18) и (1.23) обусловлены различной структурой железа, его поверхностной активностью (наличием дефектов, дислокаций и т. п.). При значительной дефектности металла, скоплений дислокаций и других искажениях кристаллической решетки растворение протекает преимущественно по схеме (1.18). Наоборот, в отсутствие дефектов (уменьшения числа активных центров) на поверхности металла растворение протекает по схеме (1.23). [c.16]

Мерой активности является избыток ее свободной энергии по отношению к фазе тождественного состава, которая находится в нормальном состоянии. Следует отметить, что активность реагентов в конкретном физико-химическом процессе определяется не только абсолютной величиной избытка свободной энергии, но и в значительной степени энергетическим вкладом различных видов структурных несовершенств, включая свободную поверхность, точечные и линейные дефекты (дислокации), микронапряжения и т. д. [c.312]

Вопрос о взаимодействии точечных дефектов, дислокаций и поверхностных дефектов в ионных кристаллах заслуживает самого серьезного внимания. Обращаясь к истории вопроса, заметим, что явления, возникающие вблизи дислокаций весьма аналогичны эффектам на поверхности кристаллов. Продолжая исследование А. Ф. Иоффе и его учеников по изучению поверхностных свойств реального ионного кристалла, А. В. Степанов в 1932 году открыл явление возникновения электрического потенциала на гранях ионных кристаллов при их пластической деформации, названное эффектом Степанова . Было показано, что генерация зарядов имеет при этом место в полосах скольжения. Таким образом были открыты заряженные полосы скольжения (в терминологии 30-х годов), или заряженные дислокации (в терминологии 70-х годов). Носителями эффективных зарядов в кристаллической решетке являются точечные дефекты строения (вакансии, межузловые ионы и т. п.). Поэтому возникновение заряженных линейных дефектов возможно лишь при захвате или потере ими дефектов нулевого порядка. Таким образом, установив эффект заряжения дислокаций при их движении, А. В. Степанов тем самым экспериментально обнаружил взаимодействие линейных и точечных дефектов. [c.93]

Вообще говоря, теория дислокаций — это область физики твердого тела и непосредственного отношения к теме данной книги она не имеет, тем не менее мы коротко, в общих чертах, рассмотрим применение этой теории в химии поверхностей. По-видимому, наиболее простыми типами дефектов являются дефекты, образованные избыточными, или внедренными, атомами, — дефекты Френкеля [70] и дефекты, образованные недостающими атомами или вакансиями, — дефекты Шоттки [71]. Такие точечные дефекты играют важную роль в диффузии и электрической проводимости в твердых телах, а также при внедрении солей в первичные решетки частиц иной валентности [72]. Термодинамически существование дефектов определяется энергией и энтропией их образования. Эта ситуация напоминает образование изолированных дырок и блуждающих атомов на поверхности. Дислокации в свою очередь можно рассматривать как организованную совокупность точечных дефектов дислокации представляют собой дефекты решетки и играют важную роль в механизме пластической деформации твердых тел. В отличие от точечных дефектов образование дислокаций обусловливается не столько термодинамическими требованиями, сколько механизмом возникновения зародышей и роста кристалла (см. разд. У П1-4). [c.215]

Следует отметить, что статистическая теория дает только приблизительное макроскопическое описание поверхности и не отражает такие особенности молекулярной картины, как дефекты, дислокации и т. д. Это позволяет при рассмотрении поверхностных явлений в реальных системах в какой-то мере использовать термодинамические методы. [c.218]

Основными дефектами кристаллической решетки микроскопическая теория пластичности считает точечные дефекты (вакансии и междоузлия) и линейные дефекты (дислокации). При более грубом описании пластичности возникает необходимость рассматривать двумерные дефекты границы зерен и блоков, полосы скольжения, границы двойников, межфазные гра[шцы и тд. Механизмы перемещения точечных дефектов и дислокаций, а также процессы, происходящие на выделенных поверхностях, определяют кинетику пластического деформирования. Механизмы движения дефектов разного типа различны, и каждому из них посвящена обширная литература. Но для объяснения предмета данной книги достаточно проанализировать ситуацию с дислокациями. [c.10]

Согласно современным представлениям электрокристаллизация происходит одновременно не по всей поверхности электрода, а сначала лишь на активных местах, получивших название мест роста. К ним относятся вершины углов и ребер кристалла, дефекты поверхности катода (дислокации). [c.151]

Такими местами могут являться различного рода дефекты поверхности, выходы дислокаций на поверхность кристалла и другие. Поскольку концентрация этих мест ограничена, возникли представления о потенциальных центрах ядрообразования, постепенно исчерпывающихся по мере протекания реакции. Такие представления с кинетических позиций требуют учета уменьшения количества потенциальных центров в ходе реакции в результате их поглощения растущими ядрами, что дополнительно усложняет требуемые кинетические модели процесса. [c.269]

Дислокации и дисклинации можно рассматривать как топологические дефекты. Их наличие в теле изменяет топологию односвязные области становятся многосвязными, как только в них появляются дефекты. Иначе говоря, это означает, что компоненты смещения перестают быть однозначными функциями координат при пересечении линии или поверхности дефектов. Следовательно, теория дефектов выходит за границы применимости теории упругости, которая требует однозначной определенности смещения как функции координат в каждой точке тела. И тем не менее, даже после того, как была отмечена многозначность смещения как функции координат, теория упругости широко использовалась при получении результатов в задачах для материалов с дефектами. [c.14]

Наружная поверхность кристалла, на которой обрывается решетка и содержатся ненасыщенные связи, может рассматриваться как дефект, подобный межблочным границам (внутренним поверхностям) и дислокациям. Разница, однако, состоит в том, что наружная поверхность является границей раздела фаз, на которой возможно взаимодействие материала кристаллофосфора с окружающей средой. Здесь прежде всего следует упомянуть адсорбцию, которая часто оказывает существенное влияние на оптические свой ства кристаллофосфора. В случае полупроводниковых люминофоров это влияние связано с тем, что адсорбирующееся вещество может быть акцептором или донором электронов. Изменяя концентрацию последних на поверхности, оно вызывает возникновение разности потенциалов между поверхностью и объемом и вследствие этого перемещение носителей заряда из кристалла в сторону поверхности или в обратном направлении. В результате может измениться зарядовое состояние тех или иных центров, определяющих оптические свойства люминофора. Таким образом, при анализе роли поверхности и происходящих на ней процессов необходимо определить их влияние на распределение электронов в кристалле. Эта задача решается тем же методом статистической термодинамики, какой был применен при рассмотрении теплового разупорядочения решетки, но с учетом некоторых особенностей электронов. [c.132]

Будучи термодинамически неустойчивым дефектом (обладая избыточной свободной энергией), дислокация стремится выйти на поверхность кристалла. Теория упругости позволяет приближенно оценить величину силы, с которой притягивается к поверхности расположенная параллельно поверхности краевая дислокация эта сила (так называемая сила зеркального изображения ) обратно пропорциональна расстоянию от поверхности, т. е. определяется медленно меняющимся логарифмическим потенциалом [201]. Вместе с тем выход дислокации (т. е. завершение сдвига в данной плоскости скольжения) сопровождается появлением ступеньки, ширина которой в данной точке контура плоскости скольжения равна составляющей вектора Бюргерса, лежащей в плоскости скольжения нормально к контуру. Создание каждой новой ячейки поверхности требует затраты работы порядка Ъ а, где Ъ — вектор Бюргерса дислокации (единичная трансляция). Этот потенциальный барьер простирается в глубь кристалла лишь па расстояние около полуширины дислокации (порядка нескольких 6), т. е. имеет значительную крутизну, и в непосредственной близости от поверхности определяемая им сила, препятствующая выходу дислокации, может преобладать над выталкивающей силой зеркального изображения [113]. Следует полагать, что эта сила, препятствующая перемещению выходящего на поверхность конца дислокации, становится особенно существенной в том случае, когда направление линии дислокации приближается к нормали относительно контура плоскости скольжения, и сила зеркального изображения перестает играть свою роль. [c.29]

Прорастание дислокаций, имеющихся в затравке, в расту-ш.ий кристалл объясняется тем, что дислокации могут оканчиваться только на других дефектах (дислокации с другой ориентацией, двойники, границы зерен) или на свободной поверхности кристалла. [c.297]

В последние годы на разных металлах выполнено много работ, характеризующих связь каталитической активности со структурой поверхности, наличием дефектов, дислокаций и других нарушений в кристаллической решетке. [c.10]

Учитывая, что различные части реального кристалла из-за наличия точечных и протяженных дефектов, дислокаций и свободных поверхностей энергетически неравноценны, можно ожидать, что энергия элементарного акта неодинакова на различных участках кристалла. Вероятно, для неискаженного участка энергия активации максимальна Оа)о, а для искаженного участка она равна [c.196]

В предыдущей главе обсуждались возможности молекулярных моделей для так называемых идеальных кристаллов которых, строго говоря, в природе не существует. В реальных кристаллах, как правило, возникают области, в которых расположение атомов существенно отличается от характерного для идеального кристалла периодически упорядоченного расположения. Такие области называют дефектами в кристалле, при-че.м в зависимости от размерности области искажения дефекты разделяют на двумерные (поверхности), линейные (дислокации) и точечные (вакансии, примесные и междоузельные атомы). Для точечных дефектов используют также термин локальные центры , отражающий нуль-мерность дефекта. [c.246]

Кроме того, каталитические свойства многих кристаллических катализаторов также зависят от дефектов, и активные центры поверхности катализатора часто совпадают с дефектными участками. Некоторые дефекты — дислокации — важны для развития кристалла. Кристаллы, растущие в природных условиях, по-видимому, не могли бы возникнуть или росли бы очень медленно, если бы не существовало дислокаций. [c.152]

В настоящее время хорошо разработан рентгеноструктурный анализ, являющийся одним из самых надежных средств анализа структуры кристаллов. В реальных кристаллах в отличие от идеальных всегда имеются различные нарущения (дефекты) правильного расположения частиц. Эти нарушения влияют на свойства кристаллов. Их присутствие отражается на механической прочности, электропроводности, химической активности кристаллических веществ. Кроме того, каталитические свойства многих кристаллических катализаторов также зависят от дефектов, и активные центры поверхности катализатора часто совпадают с дефектными участками. Некоторые дефекты — дислокации — важны для развития кристаллов. Кристаллы, растущие в природных условиях, по-видимому, не могли бы возникнуть или росли бы очень медленно, если бы не существовало дислокаций. [c.226]

Твердофазные реакции протекают не на всей поверхности кристалла, а на ее активных центрах, где точечные и протяженные дефекты, дислокации и свободные поверхности создают места, обладающие избыточной свободной энергией. Число таких мест характеризуется предэкспоненциальным множителем. Имеющиеся в плазме ионы, разгоняясь в электрическом поле, приобретают избыточную (но сравнению с другими частицами) кинетическую энергию и, бомбардируя поверхность, будут способствовать изменению числа активных центров, а следовательно, и величины [c.70]

Кристаллическая поверхность твердого тела неоднородна. На ней всегда имеются микроскопические участки, занятые химически активными группами атомов и так называемые поверхностные активные центры, служащие центрами адсорбции. Одной из причин их появления может служить выход разных кристаллических плоскостей на поверхность. Роль такого центра может играть также поверхностный атом основной кристаллической решетки со свободной связью. Появление активных центров может быть связано с неустранимыми дефектами поверхности, например с местом выхода на поверхность дислокаций, где кристаллическая решетка сильно возмущена и где в результате этого возникают очень активные поверхностные атомы. Причиной неоднородности поверхности могут стать способ и характер предварительной ее обработки, приводящей к образованию на монокристаллах ступеней, уступов, широких террас и других подобных дефектов, а также микроскопические примеси постороннего вещества, загрязняющего поверхность. [c.181]

Таким образом, показано, что на поверхности серебра и других металлов, являющихся катализаторами окисления, сосуществуют разные формы адсорбированного кислорода, которые находятся в виде ионов (О2 и 0 ) либо образуют двумерные или с большим числом слоев поверхностные окислы разного состава и структуры. Под влиянием хемосорбции или целевой реакции окисления происходит перестройка поверхности металла [59], например на платине возникает окисел Р1з04, на серебре Ag20з и т. д. В этих структурах кислород более реакционноспособен, чем в РЮ, Ag20 и др. В зависимости от природы поверхности ( дефекты , дислокации, заряд и т. д.) изменяется соотношение различных форм кислорода, способных окислять углеводороды с разной селективностью. [c.40]

Большое число экспериментальных данных указывает на роль микроструктуры поверхности твердого электрода при адсорбции органических веществ. Под микросаруктурой поверхности понимается ориентировка граней кристаллов на поверхности, существование дислокаций, вакансий, микроискажений поверхнссти и других дефектов. Предварительная обработка электродов, например отжиг или различные виды деформации, существенно влияют на микроструктуру поверхности, а следовательно, и на адсорбцию органических веществ. Так, при изучении адсорбции трибензиламина на железном электроде было обнаружено, что трибензиламин лучше адсорбируется на железе зонной плавки, подвергнутом отжигу при 600° С, чем на железе, отожженном при 750° С. Это связано со снятием остаточных напряжений, переориентацией кристаллов, уменьшением концентрации дислокаций и других несовершенств кристаллической решетки при более сильном отжиге. Была также обнаружена различная адсорбционная активность разных граней монокристаллов железа при адсорбции органических веществ и установлено, что при деформации адсорбционная способность железа возрастает с увеличением степени деформации. [c.145]

Подобная трактовка изотерм адсорбции ие является однозначной. Неленгмюровский вид тех же изотерм адсорбции можно объяснить иными причинами, если учесть энергетическую неоднородность новерхности адсорбента, которая либо является следствием структурной неоднородности этой поверхности (дефекты кристаллов, ребра, выходы дислокаций, террасы и т. п.), либо обусловлена наличием примесей на поверхности кристаллов, либо обеими причинами вместе. [c.168]

Таким образом, наличие шероховатостей, выступов н впадин, активных граней, точечных дефектов, дислокаций образует весьма сложную микротопографическую картину, не говоря уже.о влиянии химической природы и предыстории образца. Поэтому однозначного ответа на вопросы о локализации адсорбционных центров, их плотности и поверхностной, энергии быть не может без привязки к конкретной структуре и составу поверхности. [c.126]

Второй тип сил неупругого происхождения появляется при изучении частичных дислокаций в кристалле, представителями которых выступают двойникуюшие дислокации и дислокации превращения. Отдельная частичная дислокация ограничивает некоторый дефект упаковки (моноатомную двойниковую прослойку, моноатомную прослойку новой фазы при фазовом превращений) и испытывает действие силы поверхностного натяжения, связанного с поверхностью дефекта. Эта сипа всегда направлена в плоскости дефекта по нормали к линии дислокации в данной точке. [c.33]

При обсуждении этого вопроса следует иметь в виду, что ядра представляют собой обычно трехмерные структуры конечных размеров даже в момент их образования. Возникновение такого ядра происходит в результате ряда последовательных реакций. Поскольку молекулярные объемы твердых фаз реагента и продукта реакции различны, реакция в доядерный период и само образование ядер должны сопровождаться существенной деформацией кристаллической решетки твердого реагента, поэтому образование ядер фазы твердого продукта происходит в тех местах поверхности, где энергетические затраты минимальны. Такими местами могут являться различного рода дефекты поверхности, выходы дислокаций на поверхность кристалла и др. Поскольку концентрация этих мест 01раниченна, возникли представления о 1ютен-циальных центрах зародышеобразования, количество которых постепенно уменьшается по мере протекания реакции как в результате превращения потенциальных центров в ядра, так и б результате перекрытия потенциальных центров растущими ядрами твердого продукта реакции. [c.562]

Теория образования зародышей, видимо, разработана лучше, чем теория роста зародышей. Однако для многих реальных кристаллов процесс образования зародышей может не зависеть сэт энергетических и термодинамических ( )акторов, характеризующих развитие ступенек на поверхности кристалла. В таких случаях важную роль играют присутствующие на поверхности дефекты, которые могут служить постоянным источником ступенек. В частности было показано, что за счет винтовых дислокаций образуются фигуры роста в виде спирали (рис. 94). Ступенька сдвига, обусловленная спиральным ходом винтовой дислокации, не исчезает с добавлением новых атомов (см. рис. 33).При наличии винтовой дислокации спонтанное поверхностное образование зародышей становится ненужным, и степень пересыщения, необходимая для роста кристаллов, также стан(звится значительно [c.203]

IV. 14. Дислокация не может оканчиваться внутри кристалла. Следовательно, если дислокация выходит на поверхность растущей грани, она будет продолжать выходить на поверхность и по мере роста грани, и может покинуть ее только в результате перемещения к боковой поверхности. Следовательно, если дислокация влияет на скорость роста кристаллической грани, это влияние будет сохраняться по мере роста кристалла. Этим линейные дефекты — дислокации—отличаются от точечных, которые если и могут воздействовать на скорость роста, то только во время нарастания одного молекулярного слоя. (Дислокации могут также исч езать путем аннигиляции с дислокациями противоположного знака.) [c.125]

Приведенные теоретические построения и примеры дают лищь общую схему подхода к рещению вопросов структурной коррозии. Необходимо отметить еще некоторые особенности коррозии многофазных сплавов. Во-первых, состав и строение поверхности сплава постоянно меняются в процессе коррозии. В частности, в связи с тем что в коррозионную среду прежде всего переходят наиболее активные фазы, поверхность сплава все время обогащается более стойким компонентом. Изменяется также концентрация твердого раствора. Это влияет на величину компромиссного потенциала. Во-вторых, ионы, переходящие в среду с различных структурных составляющих сплава, могут образовать труднорастворимые соединения с анионами, оксиды или гидроксиды. Это приводит к пассивации и к повышению степени гетерогенности поверхности сплава. В-третьих, на процесс структурной коррозии существенное влияние оказывают неметаллические включения, имеющиеся в сплавах. В процессе коррозии поверхностная концентрация этих включений все время меняется, что оказывает влияние и на кинетику катодного процесса, и на величину компромиссного потенциала. В-четвертых, на процесс коррозии влияют границы зерен и другие физически неоднородные участки поверхности (дефекты структуры, дислокации и т.д.), роль которых существенно меняется со временем вследствие изменения их поверхностной концентрации и адсорбции различных частиц. [c.65]

Механизмы роста идеальных кристаллов путем образования двумерных зародышей или роста кристаллов в результате незарастающих ступенек, создаваемых на поверхности винтовыми дислокациями, хотя и присущи росту реальных кристаллов, но лишь в специальных условиях обусловливают скорость и особенности их роста. Действительно, в реальных условиях роста, где имеют место значительные колебания температуры и концентраций частиц питающей фазы в различных точках растущей грани, следует считать, что эта последняя всегда характеризуется шероховатостью. Шероховатость на идеально ориентированной естественно гладкой грани возникает за короткое время после начала роста вследствие колебаний внешних условий, так как вероятность образования двумерных зародышей имеет разное значение в различных точках поверхности и постоянно меняется во времени. Наличие почти неизбежных структурных дефектов еще более усугубляет влияние колебаний внешних условий. [c.260]

При диффузионном легировании GaAs литием удельное сопротивление кристалла п-типа возрастает до десятка ом см. В результате термообработки при высоких температурах удельное сопротивление снижается до 0,2 ом - см и кристалл становится р-типа. Предполагается, что литий может входить в решетку как по междоузлиям, так и путем замещения атомов галлия. В междоузлиях литий является донором (Li/), а в узлах — акцептором (LiQ ). Эти два вида дефектов могут образовать комплекс Li Li g, обладающий акцепторными свойствами. При термообработке свободные межузельные донорные атомы лития диффундируют к поверхности или дислокациям и там выпадают из раствора таким образом, в кристалле остаются только акцепторные комплексы Li/Ligg. [c.470]

Будучи дефектом термодинамически неустойчивым, дислокация стремится выйти на поверхность. Выход дислокаций является завершением сдвига в плоскости скольжения и сопровождается образованием ступеньки, ширина которой имеет порядок, соответствующий одному межатомному расстоянию. Создание каждой новой ступеньки требует затраты работы. При уменьшении поверхностной энергии работа образования ступеньки уменьшается и, следовательно, выход дислокаций на поверхность и пластификация приповерхностных слоев облегчается. В результате этих процессов создается особый субмикрорельеф поверхностей. [c.15]

Дислокации. Одномерные дефекты (дислокации) играют исключительную роль в химических превращениях с участием твердофазных реагентов и продуктов, так как реакции проходят на активных участках поверхности, на которых имеются выходы дислокаций, являющиеся часто центрами образования зародышей новой фазы или нового слоя при росте кристалла (см. подразд. 5.5 и 5.6). Известны два основных типа дислокаций — краевые и винтовые. Краевая дислокация (рис. 3.15) представляет собой лишнюю атомную полуплоскость (так называемую экстраплоскость), т. е. плоскость, которая проходит не через весь кристалл, а только через его часть. Для характеристики дислокаций обычно используют так называемое построение Бюргерса, заключающееся в об- [c.146]

Одним из путей усвоения механической энергии, подводимой к твердому телу," явл яется возникновение внешних ж внутренних поверхностей раздела, дислокаций,, вакансий и междоузельных атомов.. Возникающие при упругом де-, формировании состо,яния, кристалла с распределенными, в объеме дислокациями и дефектами, в которых сосредоточена избыточная энергия, термодинамически более выгодны, чем состояния с равномерным распределением упруп напряжений по всем" межатомным связям. Стабилизирующим фактором и в ЭТОЙ случае является вклад йонфнгурз [c.98]

Основную роль в кинетике твердофазных реакций играют стадии собственно химического взаимодействия, зароды-шеобразования и диффузионного переноса через слой образовавшегося продукта. Химическое взаимодействие пачнпа- ется на наиболее активных участках поверхности (выходы дислокаций, точечные дефекты и т. д.), здесь образуются ядра (зародыши) продукта реакции, рост и слияние которых приводят к появлению сплошной реакционной зоны. После образования продукта устанавливается стационарный диффузионный процесс переноса одного из компонентов к другому через слой продукта. Диффузионный массопере-нос может происходить по нескольким механизмам по объ- [c.208]

Для механохимии важны различные коротко- или долгоживущие промежуточнью состояния, возникающие при превращениях механической энергии и ответственные за механически наведенную активность. Это колебательно- и электровозбужденное состояние, свободные и связанные заряды, деформированные и разорванные связи, точечные дефекты, дислокации, внутренние и внешние поверхности раздела, деструкция молекул воды и полимеров и т.п. [c.29]

До сих пор еще пе ясно, какой из вариантов является наиболее вероятным все же предпочтение, по-видимому, следует отдать двум иоследним. Существование адатомов (или адионов) было доказано рядом независимых методов, которые позволили также определить их концентрацию. Поверхностная диффузия частиц должна играть наибольшую роль в тех случаях, когда участки роста (дислокации, двухмерные зародыши) занимают лишь незначительную долю поверхности. Тогда, вследствие большого расстояния Ха, на которое должны переместиться адсорбированные частицы до места их включения в решетку, градиент концентрации Асив.с1х,1, а следовательно, и скорость поверхностной диффузии будут малы. Поверхностная диффузия может оказаться замедленной стадией при электроосаж-деыии металлов. Эти условия реализуются на бездефектных гранях (или гранях с малым числом дефектов) и в области низких поляризаций (малые илотности тока), когда число зародышей невелико. [c.342]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология