Дислокаций обозначение

Рассмотрим линейную дислокацию простой кубической решетки с центром в точке 5 (рис. 76). Прежде всего заметим, что для перемещения дислокации на одно межатомное расстояние (из точки 5 в точку 6 ) требуется лишь незначительное смещение атомов из положений, обозначенных темными кружками, в положения, обозначенные светлыми кружками. Кроме того, очевидно, [c.179]

Мы воспользовались обозначениями типа (16.10) и (16,11) для дисторсии h и плотности дислокаций а, а также ввели скалярную скорость смещения среды v и вектор плотности потока дислокаций j. Векторы а и j связаны законами сохранения [c.273]

Здесь линия дислокации АВ параллельна вектору скольжения. Наглядное представление о том, как атомы могут располагаться относительно друг друга в зоне винтовой дислокации, дает рис. 7. Темные кружки представляют атомы плоскости решетки, лежащей ниже плоскости скольжения, светлые кружки —атомы плоскости, лежащей выше плоскости скольжения. Точки А, В, С vi D соответствуют аналогично обозначенным точкам предыдущего рисунка. [c.199]

Р п с. 3. Линейные ряды дислокаций в графите. Ряды различны по ширине. Узкие ряды наиболее близки к поверхности. В ряду, обозначенном R, одна частичная дислокация находится вне контраста. [c.15]

Благодаря наличию двух различных типов плоскостей с в пределах единичной ячейки могут быть допущены два разных типа дислокаций в зависимости от того, является лежащая ниже плоскость плоскостью а или плоскостью Ь. Для линейного ряда между Ь (внизу) и а расщепление (в обозначениях рис. 2, г) имеет вид [c.17]

Используя обозначения рис. 14, в можно написать условия равновесия для системы из трех частичных дислокаций, приравняв нулю полную силу, действующую на каждую из них. [c.30]

Точно такой же контур АВ = И, ВС = 7, СВ = И, ВА = 7), проведенный по совершенной решетке вокруг участка, в котором есть дислокация, на рис. 269, б окажется незамкнутым. Чтобы его замкнуть, надо пройти еще один шаг. Разрыв контура характеризует сумму всех упругих смещений решетки, накопившихся в области вокруг дислокации. Вектор, замыкающий этот разрыв, называется вектором Бюргерса и обозначается Ь (на рисунке он не обозначен). [c.320]

Отсутствие половины атомного ряда повторяется во всех плоскостях решетки, параллельных плоскости бумаги. Если провести линию перпендикулярно к плоскости бумаги, проходящую через точки, обозначенные X каждой плоскости решетки, эта линия и будет линией краевой дислокации. Очевидно, что кристаллическая решетка искажена в непосредственной близости к линии дислокации, но ясно также, что атомы рядов, соседних с отсутствующим рядом, сближены и образуют неискаженную непрерывную решетку на некотором удалении от точки X (в нижней части рисунка). Фактически решетка кристалла остается совершенной везде, за [c.120]

Наиболее характерными особенностями этих дислокаций являются 1) направления связей в ядре дислокации отличаются от обычной тетраэдрической ориентации 2) вдоль оси краевых и бО-градусных дислокаций часть атомов имеет ненасыщенные связи. Эти атомы образуют край лишней полуплоскости (обозначенной на рисунках жирной линией). [c.231]

ОБОЗНАЧЕНИЯ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИСЛОКАЦИЙ С ВЕКТОРОМ БЮРГЕРСА Ь= — <П0> в РЕШЕТКЕ ТИПА АЛМАЗА (см. рис. 129) [c.224]

В более поздних работах А. Вествуд [115] без достаточных на наш взгляд оснований использовал термин хемомеханический эффект для обозначения иного эффекта пластифицирования неметаллических кристаллов под влиянием адсорбции, искажающей электрическое поле в приповерхностном слое полупроводя-щего ионного кристалла и влияющей тем самым на подвижность заряженных дислокаций, что следовало бы отнести к категории электромеханических эффектов. [c.124]

Поверхностные-упрочненные слои, содержащие отрезки (debris) дислокаций, также могут являться экранирующими барьерами для выхода дислокаций П25 ]. Повыщенная склонность поверхностных слоев к деформационному упрочнению отмечалась М. В. Классен—Неклюдовой в 1936 г. Основываясь на явлении поверхностного упрочнения при деформировании металла И. Крамер предполагает, что стравливание упрочненного debris-слоя снижает сопротивление пластическому течению за счет запуска заблокированных поверхностных источников дислокаций. Однако противоречие состоит в том, что растворение поверхностного слоя уничтожает эти ранее существовавшие поверхностные источники, например источники типа Фишера. Между тем, еще в 1924 г. Эвальд и Поляни выдвинули общее представление об удалении поверхностных препятствий скольжению при объяснении по-вь1шения пластичности в среде растворителя. Хотя предложенное ими 1126] обозначение этого эффекта как механизм Эвальда— Поляни не является вполне удачным, поскольку его сущность не могла быть в то время расшифрована из-за более позднего появления дислокационных представлений о механизме пластической деформации, это общее представление охватывает любые виды экранирующих поверхностных барьеров и для краткости может быть названо барьерным механизмом. [c.144]

Прямая ступень со временем искривляется, как это схематически изображено на фиг. 3.8. На этом рисунке (б) показан вид на дислокацию сверху на разных стадиях роста. Линия 1 отвечает началу роста конфигурации, изображенной на фиг. 3.8, а, причем буквой а указан излом. В процессе роста ступень движется в направлении, показанном стрелкой, и приобретает конфигурацию, обозначенную линией 2. На последующих стадиях появляются конфигурации 5, 4 и 5. В конечном счете образуется спираль, по форме близкая к Архимедовой спирали. Атомы присоединяются по всей длине ступени с одинаковой скоростью, но угловая скорость спирали у центра больше. Скорость продвижения ступени с радиусом закругления рл по Франку равна [c.118]

Обычно дислокации перемещаются под действием относительно небольших эластичных напряжений. Движение (стрелки, обозначенные V, на рис. 20), которым они реагируют на приложенное извне напряжение (стрелки, обозначенные т, на рис. 20), вызывает перемещение одних участков кристалла по отношению к другиад. [c.133]

Если иа поверхность кристалла выходят несколько винтовых дислокаций, то рост на них может происходить независимо или в условиях их взаимодействия. Это определяется расстояниями между дислокациями и их векторами Бюргерса. Началом спирали роста, очевидно, может также быть и краевая дислокация. Так как ступень винтовой дислокации (рис. 4.7, а) имеет изломы, то адсорбированные частицы диффундируют к ступени, а затем к изломам, где встраиваются в рещетку кристалла. В результате ступень будет двигаться. Прямая ступень со временем искривляется, как это схематически изображено на рис. 4.7,6. Линия I отвечает началу роста конфигурации, изображенной на рис. 4.7, а (буквой А указан излом). В процессе роста ступень движется в направлении, показанном стрелкой, и приобретает конфигурацию, обозначенную линией 2. На последующих стадиях появляются конфигурации 3, 4 я 5. В конечном счете образуется спираль, близкая по форме к спирали Архимеда. Частицы присоединяются по всей длине ступени с одинаковой скоростью, однако угловая скорость спирали у центра наибольшая. [c.135]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология