Ряды дислокаций

Рис. 51. Отталкивание (а) скользящего ряда дислокаций краевой дислокацией. Взаимодействие (б) между краевой дислокацией и скользящим рядом согласно схеме, приведенной на рис. 50, б.

Если угол между соседними кристал-литами мал, то возникающая при этом малоугловая межзеренная граница состоит из выстроившихся в ряд дислокаций. [c.383]

Р п с. 3. Линейные ряды дислокаций в графите. Ряды различны по ширине. Узкие ряды наиболее близки к поверхности. В ряду, обозначенном R, одна частичная дислокация находится вне контраста. [c.15]

Первая из реакций расщепления приводит к линейному ряду дислокаций, содержащему дефект упаковки типа (2). Поскольку известно, что эта упаковка образуется после деформации, есть основание предположить, что она имеет малую энергию и что поэтому будет иметь место заметное разделение частичных дислокаций. [c.16]

Второе расщепление привело бы к линейному ряду дислокаций, содержащему дефект типа а на а (или Ь на Ь). Такой дефект, по-видимому, не встречается из-за большой энергии акти- [c.16]

Рис. 50. Взаимодействие между линейными рядами дислокаций и краевыми дислокациями.

На основе приведенных рассуждений можно построить модель линейного ряда дислокаций. Ряд, для которого результирующий вектор Бюргерса составляет угол 60° с направлением реального вектора, представлен в поперечном сечении на [c.17]

Рис. 12. Линейный ряд дислокаций, использованный для измерения их ширины в зависимости от ориентации. На вставках показаны некоторые из взятых отрезков. При изменении ориентации заметно изменяется ширина.

Рис. 13. График зависимости ширины d линейного ряда дислокаций от os 2 , где 0 —угол между полным вектором Бюргерса и направлением ряда. Пересечение с осью d дает величину do [уравнение (2)], а наклон

Тройные ряды дислокаций впервые обнаружены в графите [5, 6]. Их полная ширина примерно в пять раз превышает ширину единичного ряда. Из рассмотренных в разделе 4, Б эффектов контраста следует вывод о том, что такой ряд состоит из трех частичных дислокаций, имеющих один и тот же вектор Бюргерса (рис. 11). На основании этого можно построить некоторую модель. [c.29]

На первый взгляд полная дислокация могла бы состоять из трех частичных дислокаций одного типа в однотипных плоскостях решетки. Однако легко видеть, что это привело бы к упаковке а над а в одной половине ряда и ромбоэдрическому дефекту в другой. Поскольку упаковка а — а имеет гораздо большую энергию, чем ромбоэдрический дефект, получились бы очень несимметричные ряды. В действительности тройные ряды строго симметричны или только слегка несимметричны. Приемлемая модель должна объяснить обе эти возможности. Модель для обоих типов показана на рис. 14. Симметричные тройные ряды являются результатом соединения двух рядов, которые лежат в плоскостях решетки, разделенных интервалом (2п + 1)с/2. В этом случае два ряда дислокаций расщепляются по различным схемам, и имеет место следующее взаимодействие [c.29]

Рис. 14. Модели тройных рядов дислокаций.

В проекции на плоскость с исчерпывающее описание результирующего расположения. Ее главной отличительной чертой является наличие отрезка тройного ряда дислокаций. [c.44]

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖДУ КРАЕВЫМИ ДИСЛОКАЦИЯМИ И ОБЫЧНЫМИ ЛИНЕЙНЫМИ РЯДАМИ ДИСЛОКАЦИЙ [c.68]

Первый возможный вариант показан на рис. 50, а. Линейный ряд дислокаций отталкивается краевой дислокацией, так как обе встречающиеся частичные дислокации имеют векторы Бюргерса с одинаковыми основными компонентами аВ. [c.69]

На рис. 50, б скользящая частичная дислокация аВ взаимодействует с краевой дислокацией a (-faS) и образует ряд дислокаций, связанный двумя частичными дислокациями с основными компонентами Аа. Ширина этого ряда меньше, чем ширина обычного линейного ряда дислокаций в графите. Это явление можно объяснить следующим образом. Поскольку атомы брома стремятся проникнуть в кристалл, область, содержащая атомы брома, увеличивается, что эквивалентно тому, что эта область имеет отрицательную поверхностную энергию —уг- При таких условиях ширина линейного ряда дислокаций выражается соотношением [c.69]

VI — энергия дефекта упаковки внутри линейного ряда дислокаций ф — угол между вектором Бюргерса частичной дислокации и направлением ряда. Для нормального линейного ряда дислокаций уравнение (1-19) сводится к следующему виду [c.70]

РАСШИРЕНИЕ ЛИНЕЙНОГО РЯДА ДИСЛОКАЦИЙ ПРИ ВНЕДРЕНИИ ПРИМЕСЕЙ [51, 52] [c.71]

Было установлено, что некоторые линейные ряды дислокаций внезапно расширяются при внедрении монохлорида брома или монохлорида иода. Подобные примеры показаны на рис. 52. [c.71]

Рис. 52. Расширение линейных рядов дислокаций.

Рассмотрим геометрию этого процесса более детально. Предположим, что линейный ряд дислокаций имеет вектор [c.71]

Рис, 53. Расширение линейных рядов дислокаций при внедрении примесей. Анализ на основе векторов Бюргерса. [c.72]

Если краевая дислокация имеет вектор Бюргерса с основной компонентой Со, то расположение симметрично только что описанному узкий линейный ряд дислокаций в этом случае образуется слева. [c.73]

ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЭФФЕКТЫ, СВЯЗАННЫЕ С НАЛИЧИЕМ ЛИНЕЙНОГО РЯДА ДИСЛОКАЦИЙ [54] [c.74]

Деформации при паровыжиге носят циклический характер. Такой сложный характер деформирования формирует многоуровненную сильно неравномерную структуру, в которой постепенно сменяются лидеры -дефекты, отвечающие за диссипацию энергии [28] в ряду дислокации --сверхдислокации — вакансии - дисклинации - микротрещины. [c.246]

Это явление можно обт яснить, предположив, что реагент, например бром, внедряется в 1сристалл в основном в результате диффузии вдоль дефекта упаковки внутри линейного ряда дислокаций. Если это верно, то дефект упаковки внутри ряда уничтожается и заменяется слоем реагента между двумя слоями в положении а над а. Этот дефект имеет отрицательную поверхностную энергию в местах, где бром внедряется в кристалл. В результате этого линейный ряд дислокаций будет расширяться настолько, насколько позволит диффузия брома. [c.71]

Изменение в геометрии линейного ряда дислокаций, очевидно, вызывает изменение общей энергии, связанной с этим рядом. Поэтому энергия линейного ряда будет изменяться скачкообразно при пересечении границы между областью, не со-держаш,ей Fe ls, и областью, содержащей внедренные слои ЕеС1з. Кривая минимума энергии подобного линейного ряда дислокаций будет ломаной линией. Этот эффект называется эффектом преломления [53]. Это явление хорошо видно из рис. 55. Преломление происходит согласно закону Снелла [c.73]

Р и с. 55. Преломлен о типе иных рядов дислокаций на границе мелсду областью, не содержащей РеС1з (узкие ряды), и областью, содержащей РеС1з (широкие ряды). [c.74]

В ряде случаев найдено, что линейные ряды дислокаций изменяют свою ширину. Они или расширяются или становятся более узкими при появлении поверхностных сдвигов (ступенек). Этот эффект можно объяснить следующим образом. Когда линейный ряд дислокаций выходит к ступеньке с макрорасколами, одноатомная ступенька присоединяется к одной или обоим частичным дислокациям. При этом возможны различные конфигурации, которые показаны на рис. 56. На наиболее интересном рис. 56, г ступеньки противоположного знака присоединяются к обеим частичным дислокациям. Свободная поверхностная энергия кристалла будет уменьшаться, если эти поверхностные ступеньки станут короче. Если а — поверхностная энергия, а /г — высота ступеньки, то прирост энергии Ьаёх связан с уменьшением длины dx ступеньки. Это означает, что сила ка действует на краевую точку дислокации, так как смещение дислокации изменяет длину ступеньки. Г1оскольку ступеньки имеют противоположный знак, силы действуют в проти- [c.74]

Краевой ряд дислокации является вертикальным в точке А, и если очертить контур вокруг этой точки и на некотором расстоянии от нее (пунктирная линия), то этот контур замкнется в точке В, но он будет содержать на один ряд решетки меньше, чем соответствующий контур в ненарушенной совершенной решетке. Вектор смещения, закрывающий пробел и показанный с помощью небольшой стрелки у точки В, называют вектором Бурже. Направление этого вектора перпендикулярно краевому ряду дислокации. Такая схема наглядно иллюстрирует природу дислокации. [c.31]

В случае тонкого двойника среднее расстояние между дислокациями вдоль длины "двойника порядка 1 мкм. Таким образом, это расстояние примерно в 10 000 раз превышает межатомное расстояние, которое разделяет плоскости скольжения соседних двойникующих дислокаций. Очевидно, что среднее расстояние между дислокациями, выраженное в межатомных расстояниях, определяет порядок величины отношения длины двойника к его толщине, т.е. отношение Ь/к. Поэтому, в основном, по малому параметру к/Ь приближения все дислокации можно считать расположёнными в одной плоскости (плоскости двойникования) [82]. На рис. 3.5 условно изображен ряд дислокаций, соответствующих двойнику длиной Ь. Прямую линию, вдоль которой расположены дислокации и которая является следом плоскости двойникования, обычно называют линией двойникования. [c.53]

Естественно, представленный на рис, 3.6в контур двойника, а также буквальная формулировка утверждения, на основании которого он построен, должны пониматься условно. Предлагаемая теория тонких двойников исходит из предположения, что среднее расстояние между соседними дислокациями значительно больше модуля вектора Бюргерса (6р(х) <. 1). Формально это предположение нарушаетя в непосредственной окрестности стопора, и последовательное рассмотрение задачи должно основываться на анализе равновесия дискретного ряда дислокаций, расположенных в параллельных плоскостях двойникования. Однако при большом числе дислокаций в скоплении распределение практически всех дислокаций (за исключением нескольких дислокаций у самого стопора) мало отличается от того, которое следует из континуального рассмотрения. [c.60]

Границы зерен, разориентированных под небольшим (в несколько градусов) углом, наиболее доступны для проведения исследования. Граница зерен, разориентированных под малым углом, показана на рис. 35 из этого рисунка также видно, что граница зерен состоит из серии краевых дислокаций. Для границы блоков такого типа вычислена межфазная энергия межфазные напряжения объясняются главным образом упругим смещениехм кристаллической решетки вблизи границы зерен, причем смещение решетки имеет место с обеих сторон границы. Вокруг каждой дислокации всегда имеется поле упругих напряжений, и общее поле для всей границы зерен представляет собой сумму полей ряда дислокаций. Результаты таких расчетов хорошо согласуются с экспериментальными данными. [c.66]

Поэтому система одноименных краевых дислокаций в параллельных плоскостях скольжения механически наиболее устойчива, когда дислокации расположены одна над другой (в положениях А на рис. 302) и образуют дислокационную стенку (рис. 303). Такие стабильные конфигурации дислокаций, или малоугловые границы, обычно разделяют области кристалла, ориентация которых отличается друг от друга очень незначительно. В пределах такой области, или блока, кристаллическая структура может считаться идеальной, на границе же существует легкая разо-риентировка решетки, в результате чего образуется ряд дислокаций. В любом реальном кристалле наблюдаются обычно блоки размером 10" —10 м, разорп-ентированные (от нескольких угловых секзпад до 3—5°) и разделенные малоугловыми границами. Угол между направлениями ориентации двух блоков определяется по формуле [c.349]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология