Кристалл эффективный заряд нормальных

В химии твердого тела широко используется понятие эффективного заряда, т. е. заряда атомов или вакансий по отношению к нормальным составляющим решетки стехиометрического соединения. Это означает, что эффективный заряд нормальных составляющих стехиометрического кристалла независимо от характера химической связи принимается равным. ... [c.308]

При отклонении состава бинарных кристаллов от стехиомет-рического наблюдается, как правило, увеличение электропроводности. Следовательно, дефекты нестехиометрии являются источником свободных или слабо связанных электронов. В химии твердого тела широко используют понятие эффективного заряда, т. е. заряда атомов или вакансий по отношению к нормальным составляющим решетки стехиометрического соединения. Эффективный заряд нормальных составляющих стехиометрического кристалла [c.122]

Дефекты кристаллов неорганических соединений характеризуются так называемым эффективным зарядом (относительно нормальных частей решетки), который может быть равен нулю или быть отличным от нуля (для дефектов в ионизированной форме). [c.47]

В разупорядоченном кристалле — как стехиометрическом, так и нестехиометрическом — дефекты чаще всего имеют эффективный заряд, отличный от нуля (рис. 3.2). Известно, например, что кристалл оксида цинка содержит избыток цинка в форме внедренных атомов. Можно ожидать, что избыточные атомы цинка, встраиваясь в решетку, стремятся приобрести ту же электронную конфигурацию, что и нормальные составляющие решетки. Поскольку такими составляющими являются ионы Zn , то внедренные атомы цинка служат донорами свободных электронов, а образование дефектов нестехиометрии в оксиде цинка можно выразить уравнением [c.123]

Заканчивая обсуждение записи энергии кристалла, оценим порядок величины элементов силовой матрицы. Основными силами, стабилизирующими кристаллическую структуру вещества, являются электростатические силы взаимодействия электронов и ядер соседних атомов. При нормальной плотности вещества в указанном взаимодействии принимают участие только так называемые валентные электроны атомов (электроны незаполненных атомных оболочек), число которых обычно невелико (несколько электронов на атом). Поэтому, записывая кулоновскую силу взаимодействия двух атомов, находящихся на расстояниях, сравнимых с размерами электронных орбит их валентных электронов , можно считать, что эффективны электрические заряды порядка величины заряда электрона е. [c.30]

Кристаллы двуоксида урана содержат [1] избыток кислорода в форме внедренных атомов. Так как нормальной составляющей решетки являются ионы то атомы кислорода в междоузлиях, стремясь приобрести такую же электронную конфигурацию, захватывают электроны из решетки. В последней возникают дырки (/г ) — атомы или ионы с дефицитом электронов, т. е. с избыточным положительным зарядом по отношению к составным частям идеальной решетки. Обозначая эффективный отрицательный заряд штрихом, образование дефектов нестехиометрии в кристалле иОг+у можно выразить уравнением [c.77]

В самом деле, уравнения типа (2.15) характеризуют энергию или потенциал взаимодействия эффективного заряда ядра с одним электроном нормальной химической связи. В кристалле же, например Na l, один валентный электрон атома натрия размазан между шестью окружающими его атомами хлора. Поэтому в уравнении (2.15) величину а надо умножить не на 1, как в случае нормальных молекул, а на 1/6. Поскольку система кристаллических ковалентных радиусов (см. табл. 88) рассчитана для октаэдрической (элементы а-подгрупп) или тетраэдрической (элементы в-под- [c.136]

Заметим, что иа важность подбора оптимальных параметров атом-атомных потенциалов для расчета динамики молекулярных кристаллов указывали и другие авторы. При сопоставлении расчетных данных [135, 136], полученных иа основе потенциалов Китайгородского и сотр., с данными, полученными на основе нотенциалов Вильямса, предпочтение было отдано последним (значения параметров этих потенциалов приведены в [83]). Представляет также интерес исследование [137], где авторам удалось с равным успехом оги1сать фоионный спектр дейтерированного бензола с помощью двух разных наборов параметров. В работе [138] была предпринята попытка найти оптимальные атом-атомиые кривые с использованием экспериментальных частот нормальных колебаний ряда углеводородов (с учетом эффективных точечных зарядов на атомах). [c.166]

Предельные (Ж=0) оптические колебания ряда силикатов, гер-манатов и других окисных кристаллов сложного строения рассчитаны в последние годы путем построения СР-матриц Ельяше-вича—Вильсона в трансляционно инвариантных (полносимметричных по отношению к группе трансляций) колебательных координатах [1 ]. Вычисления ИК-интенсивностей, основанные на применении простой модели атомных зарядов, зависящих от смещений [2], оказались эффективным средством контроля достоверности форм колебаний, полученных нри расчете нормальных координат. Динамические (силовые постоянные) и электроопти-ческие (заряды атомов и их производные по удлинениям связей) параметры, полученные в результате расчетов, обнаруживали корреляцию с пространственной конфигурацией и химическим (электронным) строением рассматриваемых систем. [c.29]