Поле рассеяния

Магнитная дефектоскопия. Магнитную порошковую дефектоскопию применяют для визуального неразрушающего контроля качества сварных соединений газотрубопроводов, емкостей, резервуаров и других стальных конструкций. Магнитная дефектоскопия основана на выявлении магнитного поля рассеяния над дефектом при помощи ферромагнитных частиц. Силовые линии в намагниченном изделии огибают дефект как препятствие с малой магнитной проницаемостью и образуют над ним магнитное поле рассеяния. [c.202]

Магнитная порошковая дефектоскопия основана на выявлении магнитного поля рассеяния над дефектом. При этом в качестве индикатора используются ферромагнитные частицы. Силовые линии в намагниченной детали огибают дефект как препятствие, имеющее малую магнитную проницаемость. Необходимым условием для выявления дефекта является перпендикулярное расположение дефекта к направлению магнитного поля. Поэтому деталь необходимо проверять в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Магнитный порошок приготавливается из сухого мелко-размолотого железного сурика или из чистой железной окалины. Окалина измельчается в шаровой мельнице и просеивается. Мельчайшие частицы железного порошка, нанесенные на деталь пылевидным слоем (сухой метод) либо в виде водной или масляной суспензии (мокрый метод), концентрируются над трещиной и этим ее обнаруживают. При трещине шириной менее 10 м поле рассеяния не образуется. Аналогично, когда дефект располагается на глубине более 6 мм под поверхностью, поле рассеяния исчезает. [c.139]

Рисунок 3.3.17 - Взаиморасположение магниточувствительных элементов дяя измерения ортогональных компонент вектора напряженности магнитного поля рассеяния дефекта

При адаптивной системе управления токарной обработкой вследствие стабилизации составляющей Р2 силы резания посредством регулирования продольной подачи можно сократить /от на 20-50% и в 2-3 раза уменьшить поле рассеяния диаметра в партии деталей, а в некоторых случаях и сократить число проходов. [c.142]

Ферромагнитные частицы (играющие роль индикатора) стягиваются к месту наибольшей концентрации силовых линий рассеянного поля. В качестве ферромагнитных частиц (индикаторов поля рассеяния) служат магнитные порошки или суспензии различного состава. Чувствительность метода зависит от свойств металла и геометрических форм испытуемой детали, от метода намагничивания, напряженности магнитного поля и многих других факторов. Контроль делится на три этапа 1) намагничивание исследуемого объекта 2) нанесение индикаторной среды и регистрация имеющихся на его поверхности дефектов 3) размагничивание объекта. Необходимым условием для выявления дефектов магнитным порошковым методом является перпендикулярное расположение дефектов к направлению магнитного поля, поэтому деталь проверяют в двух взаимно перпендикулярных направлениях. В табл. 12 приведены магнитные дефектоскопы, выпускаемые отечественными заводами. [c.203]

Дефекты изделия вызывают искажение магнитных силовых линий вследствие того, что несплошности обладают иным магнитным свойством, чем окружающий их материал. Это искажение, называемое полем рассеяния, можно обнаружить с помощью тонко измельченного магнитного порошка. [c.483]

Для количественной оценки рассеяния выходных показателей пользуются характеристиками математической статистики и теории вероятностей. Основной числовой характеристикой является поле рассеяния j = = max здесь Л — значение выходного показателя. [c.30]

Как правило, при большом числе изделий в партии больше вероятность того, что рассеяние значений выходного показателя будет подчиняться нормальному закону распределения (закону Гаусса). В этом случае если поле рассеяния сй ограничить величиной, равной 6а, то число значений выходного показателя, вышедших за пределы 6а, составит 0,27%. [c.31]

К основным числовым характеристикам рассеяния выходного показателя технологического процесса при изготовлении партии изделий относят поле рассеяния со, координату середины поля рассеяния, координату М х) центра группирования, параметры, характеризующие кривую рассеяния (среднеквадратическое отклонение, дисперсию, коэффициент относительной асимметрии, медиану и др.). Более подробно рассеяние параметров технологических процессов рассмотрено в работе [18]. [c.32]

Рис. 89. Магнитное поле рассеяния поверхностного (а) и внутренних дефектов (б, е)

В условиях отмеченной упорядоченности временных цепей большое влияние на форму кривой рассеяния оказывают систематические факторы. Из рис. 1.30 видно, что поле рассеяния замыкающего звена значительно меньше поля рассеяния любого из составляющих звеньев. [c.49]

Рассеяние фактических затрат времени на выполнение технологического процесса как в целом, так и отдельных его этапов носит систематический или случайный характер и оказывает влияние на производительность, ритмичность, качество и себестоимость изготовления изделий (рис. 1.38). Из рис. 1.38 видно, что поле рассеяния такта может достигать более 10% его номинального значения. При обработке на универсальном оборудовании поле рассеяния, как правило, значительно больше. [c.70]

Задача настройки системы СПИД - получение возможно большего числа годных деталей, обработанных до первой поднастройки системы СПИД. Для решения этой задачи необходимо, чтобы мгновенное поле рассеяния погрешности обработки партии деталей имело определенное положение относительно границ поля допуска (рис. 1.80, а). Размер, к достижению которого необходимо стремиться при настройке системы СПИД, получил название рабочего настроечного размера Ар (рис. 1.80, в). [c.127]

Действующие в процессе обработки случайные и систематические факторы вызывают изменение точности настройки и, как следствие, появление погрешностей. Положение мгновенного поля рассеяния обусловленного совокупным действием случайных факторов, на оси ординат определяется систематической погрешностью настройки (рис. 1.80, а). [c.127]

Настройка системы СПИД на обработку парши заготовки отличается тем, что мгновенное поле рассеяния размера располагают относительно [c.128]

Главной трудностью в настройке системы СПИД на обработку партии заготовок является определение значения мгновенного поля рассеяния. Если обработать одну заготовку методом пробных проходов и определить размер Ар, то с равной вероятностью этот размер может принадлежать середине Wj, его границам или промежуточным значениям. Так как найденное Ар принимают за размер, определяющий положение координаты середины ojj, то относительно этого размера отсчитывают oj/2. [c.129]

В преобразователях на жидких кристаллах используются плоские ячейки с прозрачными электродами. Топография магнитного поля рассеяния на поверхности объекта контроля воздействует на структуру жидкого кристалла, заполняющего ячейки, и формирует соответствующее оптическое изображение, которое может быть использовано непосредственно в процессе контроля или преобразуется в электрический сигнал для дальнейшей обработки. [c.143]

Основное отличие разработанного магнитного интроскопа от известных приборов, реализующих магнитные методы диагностирования, заключается в получении двух- и трехмерных изображений полей рассеяния дефектов на экране персонального компьютера или ВКУ в реальном времени непосредственно в процессе проведения диагностирования оборудования. [c.201]

Диэлектрические потери характеризуют рассеяние (диссипацию) энергии, которая выделяется диэлектриком в виде теплоты при приложении к нему переменного электрического поля. Рассеяние энергии пропорционально е". [c.174]

Явление гистерезиса (остаточная индукция, коэрцитивная сила) обусловлено необратимым намагничиванием. Необратимое намагничивание соответствует крутому подьему кривой намагничивания или крутой части гистерезисной петли, где намагничивание проходит через нуль. Поле, соответствующее наибольшей проницаемости, приблизительно равно коэрцитивной силе //с. Необратимое намагничивание обусловлено смещением междоменной границы. Иа процесс намагничивания влияют кристаллическая анизотропия и различные включения. Наличие внутренних напряжений приводит к изменению энергии междоменной фаницы, при этом основное значение имеет фадиент нагфяжений. При возникновении полей рассеяния возле включений образуется доменная субструктура. Магнитный поток как бы обходит включения,и внутри домена, возле включения, образуются малые домены и соответственно дополнительные междомен-ные фаницы. При росте одних доменов за счет других происходит переход фаницы через включение, что сопровождается увеличением поверхност- [c.54]

Максимум объясняется интерференцией геометрической и дифракционной составляющих поля рассеяния. Он соответствует так называемой блестящей точке (см. п. 1.4.1). [c.113]

Для биметаллов, полученных способом взрыва, разработаны методы, основанные на измерении характеристик ультразвукового поля, рассеянного на волнообразной границе слоев [22]. Оценку [c.94]

Магнитные методы контроля основаны на индикации и анализе магнитных полей рассеяния, возникающих в местах расположения дефектов или изменении физико-механических и геометрических характеристик ферромагнитных изделий при воздействии на них магнитного поля. Магнитный поток, замыкаясь по изделию, помещенному в магнитное поле и имеющему дефект, например, в виде трещины, вынужден огибать препятствие с пониженной проницаемостью. При этом силовые линии выходят за пределы поверхности изделия (рис. 89). Там, где они выходят наружу и входят обратно в изделие, возникают магнитные полюсы. После снятия внешнего намагничивающего поля эти полюсы устанавливают над дефектом свое магнитное поле. В практике магнитной дефектоскопии его принято называть полем рассеяния потока около дефекта. Существуют несколько методов регистрации полей рассеяния над дефектом. [c.133]

Магнитопорошковый метод контроля. Этот метод позволяет выявлять тонкие поверхностные и подповерхностные дефекты волосовины, трещины, расслоения, флокены, закаты, непровары стыковых сварных соединений и т. п. Индикаторами поля рассеяния при магнитопорошковом методе контроля служат магнитные порошки или суспензии. Магнитное поле, создаваемое дефектом, неоднородно, и его можно выявить ферромагнитными частицами. На магнитную частицу в неоднородном магнитном поле действует сила, стремящаяся ее затянуть в места наибольшей концентрации силовых линий и приблизить к месту дефекта. Величину [c.134]

Таким образом, степень эффективности выявления дефекта находится в тесной связи с интенсивностью поля рассеяния и его градиентом и зависит от магнитных свойств и размера используемых ферромагнитных частиц. Магнитопорошковый метод контроля предусматривает следующие технологические операции подготовку изделия к контролю намагничивание изделия нанесение на изделие магнитного порошка или суспензии осмотр изделия разбраковку размагничивание. Рассмотрим основные особенности технологии контроля. Изделие перед намагничиванием очищают от покрытий, мешающих их смачиванию или намагничиванию, отслаивающейся окалины, масла, грязи и т. п. Магнитное поле рассеяния над дефектом можно получить тогда, когда намагничивающее поле направлено к ожидаемому направлению дефекта под прямым или близким к нему углом, т. е. при условии, что на противоположных сторонах дефекта образуются магнитные полюсы (рис. 90). [c.134]

Рассмотрим токарную обработку партии валов. Известно, что под совокупным действием систематических факторов погрешность обработки от заготовки к заготовке будет приближаться к верхней границе поля допуска на размер, тогда мгновенное поле рассеяния следует расположить около нижней границы поля допуска на расстоянии I2, равном погреитнос-ти от совокупного влияния систематических факторов, постоянных по величине. [c.129]

Тогда после обработки партии заготовки мгновенн е поле рассеяния оказалось смещенным к верхней границе поля допуска, т. е. Ар2 > Ap . В этом случае на компенсацию систематических погрешностей остается меньшая часть поля допуска Тр. [c.129]

Нерешенным остается вопрос, откуда брать допуски на межпереходные размеры. Из ранее рассмотренных точечных диаграмм бьшо видно, что каждая технологическая система СПИД при наиболее производительном ее использовании дает соответствующее поле рассеяния и уточнение. Следовательно, при этих условиях поле рассеяния со, уточнения е являются основными точностными характеристиками технологической системы СПИД. [c.182]

Магвитографвческие дефектоскопы. Основной элемент в магнитографическом дефектоскопе - магнитная лента - выполняет двойную роль сначала служит индикатором поля дефекта, фиксируя это первичное, исходное поле в виде пространственного распределения остаточной намагниченности рабочего слоя, а затем сама становится источником вторичного, отображенного магнитного поля, которое, в свою очередь, считывается еще одним индикатором. Соответственно этому магнитографический контроль состоит из двух операций записи и считывания. Для первой операции необходимы устройства намагничивания (чаще всего электромагниты) и крепления ленты на изделии, для второй - считывающие устройства (собственно дефектоскопы). Возможно определение указанных процессов в едином устройстве (например, с использованием кольцевых лент или магнитных валиков, прокатываемых по изделию). В настоящее время успешно ведутся работы по замене магаитных лент многоэлементными электромагнитными преобразователями, позволяющими преобразовать топографию поля рассеяния дефекта сразу в оптическое изображение на экране видеоконтрольного устройства, лшнуя промежуточные операции загшси - считывания. [c.162]

Важной задачей, которую необходимо рещить при разработке малогабаритных преобразователей, является снижение величины тока возбуждения без снижения чувствительности. Ддя достижения этой цели короткозамкнутая обмотка преобразователя может быть выполнена из двух секций с неравным числом витков, расположешшх на сердечнике диаметрально-противоположно и соединенных встречно [63]. Конструкция преобразователя представлена на рисунке 3.3.13, е. Ток, протекаюиош по короткозамкнутой обмотке, определяется разностью ЭДС, наводимых в секциях при перемагничивании сердечника. Магнитный поток секции с большим числом витков направлен навстречу магнитному потоку в сердечнике, а магнитный поток, создаваемый секцией с меньшим числом витков, совпадает с потоком в сердечнике. Поля рассеивания обоих секций формируют импульсное магнитное поле, которое возбуждает импульсные вихревые потоки в электропроводящем объекте контроля. Встречное включение секций КЗО позволяет увеличить интенсивность поля рассеяния без увеличения магнитного сопротивления сердечника. Основная энергия магнитного потока рассеивания сосредоточена в зазоре между секциями, поэтому при анализе взаимодействия преобразователя с объектом контроля зазор может рассматриваться как прямоугольная катушка с высотой, равной высоте секции. Такая конструкция преобразователя позволяет перемагничивать сердечник по предельной петле гистерезиса при гораздо меньших значениях тока, чем у преобразователя с немагнитным зазором или короткозамкнутым витком, и соответственно при меньшем числе витков обмотки возбуждения, что позволяет [c.141]

Как известно, тороидальные ферритовые сердечники чувствительны к внешним магнитным гюлям и могут бьпъ использованы в качестве преобразователей магнитных полей [79]. Введение местного магнитного сопротивления в виде немагнитного зазора или короткозамкнутой обмотки создает поле рассеяния, взаимодействующее с внешним магнитным полем. При этом искажается форма петли гистерезиса - она наклоняется в сторону оси абсписс. Эго приводит к снижению граничной напряженности Игр сердечника и увеличению линейного участка зависимости В = /(Н), что существенно увеличиваег чувствительность к малым внешним магнитным полям и расширяет динамический диапазон преобразователя на феррито-вом сердечнике. [c.142]

Магвитооорошковые дефектоскооы. В магнитопорошковых дефектоскопах для визуализации поля рассеяния и идентификации дефектов применяются магнитные порошки и суспензии. В настоящее время идут интенсивные исследования и разработки, направленные на замену магнитного порошка электромагнитными преобразователями, позволяющими получать первичную ин- [c.160]

Визуализация записанных на магнитную ленту полей рассеяния контролируемого изделия основана на преобразовании рельефа магнитного поля в электрические сигналы с помогцью магнитных головок и последующем воспроизведении этих сигналов на экране электронно-лучевой трубки в виде построчной или яркостной индикации. Существуют дефек- [c.162]

Измерив логарифм амплитуды сигнала от поля рассеяния дефекта и ширину поля рассеяния дефекта на поверхности объекта, можно однозначно определшъ поле дефекта независимо от глубины его залепшия. В то же время, зная величину поля дефекта независимо от глубины его залегания и зная величину поля дефекта на поверхности объекта, можно по формуле [77] [c.198]

Ограниченный разрез называют полосой. Ко"да ограниченный пучок лучей, излучаемый преобразователем, охватывает оба ребра полосы, а зеркальное отражение от полосы не попадает на приемный преобразователь, то сигнал на нем определяет интерференция дифрагированных волн от ребер. Точки на ребрах отражателей (как и реальных дефектов), на которых возникают дифраги рованные волны, дающие максимальный вклад в поле рассеянной волны, называют блестящими. [c.47]

НИИхиммашем совместно с ВНИИНКом разработан специализированный ультразвуковой прибор для контроля прочности соединения слоев биметалл — Биметалл-3 [75]. Частоту радиоимпульсов на выходе генератора прибора можно плавно изменять в диапазоне от 2,5 до 15 МГц. Структуру граничной зоны ряда биметаллов контролируют продольными волнами по амплитуде донного сигнала на частотах 2,5, 5 и 10 МГц. Для контроля биметаллов, полученных способом взрыва, может быть применен другой метод, основанный на измерении характеристик ультразвукового поля, рассеянного на волнообразной границе слоев. [c.74]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология