Гистерезисная петля

Рис. 12. Гистерезисные петли тиксотропной жидкости

МСС пирографит — Вгг при нагреве примерно до 170 С расширяется предпочтительно вдоль оси с в соответствии с кривой 1 на рис. 6-37. Перед началом расширения зарегистрирована акустическая эмиссия, свидетельствующая о сдвиговых деформациях в кристаллитах матрицы, которые предшествуют расщеплению слоев и увеличению объемов образца. Кривая первого цикла нагрева имеет четыре наклона. Первый наклон определяется накоплением газов и связан в основном с расширением твердой и жидкой фазы внедряемого вещества, второй — с расширением матрицы без ее расщепления, третий и четвертый наклон кривой — с двумя стадиями расщепления. При охлаждении образуется гистерезисная петля, а кривая не приходит в нулевую точку. Это связано с частичным расщеплением матрицы в ци-кле. С повышением температуры нагрева величина остаточного расширения увеличивается. [c.348]

Ферриты тверды и хрупки. Р1х можно только шлифовать и полировать, а обработка резанием не удается. Коэрцитивная сила Яс у них изменяется от 12 до 320 А/м, точка Кюри — до 400—500° С, индукция насыщения 0,2—0,4 Тл. У марганцово-цинковых ферритов гистерезисные петли узкие (Я небольшая). Никель-цинковые ферриты в зависимости от состава и способа [c.438]

Аналогичные результаты были получены при применении в качестве углеродной матрицы рекристаллизованного пирографита и монокристалла графита. Для каждой из этих матриц кривые изменения размеров имели свои особенности. Для монокристаллов графита расширение в первом цикле нагрева имеет большие значения по сравнению с рекристаллизованным пирографитом (3100 и 2400% соответственно). Температуры разрушения были 210 10 С для монокристаллического графита и 100 10 С для рекристаллизованного пирографита. Гистерезисная петля меньше для монокристаллического графита. [c.350]

Площадь гистерезисной петли является мерой тиксотропности жидкости. Большей площади соответствует большая степень тиксотропности. Однако метод оценки степени тиксотропности, основанный на методе оценки площади гистерезисной петли, не может считаться удовлетворительным, т.к. сама площадь петли зависит от методики проведения измерений. [c.41]

Интеграл берут графически по всей области капиллярной конденсации — от начала гистерезисной петли по десорбционной ветви, ближе отвечающей равновесному процессу. Величина 5к равна площади (заштрихованной на рис. 62) под кривой в координатах п ро/р — X (легко вычисляемой из экспериментальных значений р, х) . [c.164]

В ГС индивидуальных органических кислот насыщенного ряда наблюдаются нелинейные вольт-амперные характеристики с гистерезисной петлей, свойственные сегнетоэлектрикам, имеющим доменную структуру, а также аномально высокая проводимость, соответствующая по порядку величины нижнему пределу проводимости у металлов. [c.35]

Для определения величины гистерезисных потерь, кроме кривой растяжения, необходима кривая сокращения. Кривая сокращения располагается под кривой растяжения и пересекается с осью удлинений в некоторой точке, расстояние которой от начала координат характеризует остаточное удлинение, возникающее при данных условиях испытания образуется так называемая гистерезисная петля (линия ОМа на рис. 22). Площадь 81, ограниченная кривой растяжения и осью удлинений, пропорциональна работе Ах, затраченной на растяжение, тогда как площадь 5а, ограниченная кривой сокращения и осью удлинений, пропорциональна работе Лз, возвращенной при сокращении разгружаемого образца. [c.97]

Резине, также как и пластмассе, присущи и гистерезисная петля и ползучесть и релаксационный характер возникающих напряжений и влияние на свойства времени действия нагрузки и температуры, ио, как конструкционный материал, она коренным образом отличается от всех других материалов (в том числе и пластмасс) своими, в основном, деформационными свойствами. [c.320]

При р = О силикагель еще содержит немного воды, что характеризуется отрезком О А. Это кристаллизационная вода, которая может быть удалена только прокаливанием. Изотерма адсорбции обратима лишь на участке АВ. От точки В изотерма становится необратимой — одной и той же массе влаги mi при поглощении отвечает давление пара рь а прн обезвоживании — р2, причем Р > р<2. Это становится ясным, если провести параллельную абсциссе линию, пересекающую гистерезисную петлю, и из точек пересечения опустить перпендикуляры на ось давлений. Зигмонди объяснил подобное явление тем, что на участке BED происходит капиллярная конденсация, а на участке B D — испарение воды из капилляров. Воздух, адсорбированный сухими стенками капилляров, препятствует их смачиванию при оводнении силикагеля. Очевидно, вследствие этого краевые углы, образуемые жидкостью со стенками капилляров при оводнении силикагеля, будут всегда больше соответствующих углов при испарении, когда стенки полностью смочены водой. В результате мениски жидкости, заполняющей капилляры, в первом случае также всегда будут менее вогнуты, чем во втором, и давление пара, отвечающее одному и тому же количесту поглощенной силикагелем жидкости, при оводнении будет больше, чем при обезвоживании. . [c.101]

Реальные адсорбенты не обладают- порами, какого-нибудь одного размера и какой-нибудь одной формы. Их поры заполняются или опустошаются не одновременно. Это является причиной того, что ветви гистерезисной петли обычно наклонены к оси абсцисс. [c.102]

Переход с режима на режим при медленном изменении расхода воздуха происходит без запаздывания. При резком изменении расхода воздуха или топлива новый режим устанавливается не сразу, а через 15—20 сек. Обратный переход, также с резким изменением подачи, приводит к несколько отличному от первоначального состоянию, В общих чертах эти явления напоминают гистерезисные петли в нелинейных системах. [c.282]

Подобно реологическим изменениям, описанным в главе V, изображенные на рис. 57 циклы напоминают гистерезисные петли и [c.283]

На рис. 5.20 представлены гистерезисные петли для всех трех типов материалов, деформированных циклически до насыщения при пл = 5. [c.220]

При высушивании оводненного геля (при температурах ниже 150°) упругость пара соответственно падает по мере удаления воды, вначале из широких, затем из все более узких капилляров, но на стадии удаления адсорбционных слоев кривая проходит ниже, чем при оводнении (рис. 75, кривая /). Это расхождение кривых прямого и обратного процессов называется гистерезисом в данном случае Хок объясняет наличие гистерезисной петли изменением капиллярной структуры при высушивании, а Песков и Прейс — различием условий смачивания при наличии, соответственно, воздуха или воды на стенках капилляров. Внешне гель с пустыми или частично заполненными капил- [c.199]

Изотерма типа в имеет ярко выраженную область капиллярной конденсации (на графике изображается гистерезисной петлей, верхняя ветвь которой отвечает равновесному состоянию при десорбции). Такого рода изотермы наблюдаются на адсорбентах с развитой системой крупных и средних пор. Эти сорбенты целесообразно применять [c.86]

В Оз-методе Синга [49] вычерчивается зависимость от X, где as = x Xs, х — количество адсорбированного газа и Xs — количество адсорбированного газа при выбранном значении относительного давления (стандартное состояние). Как правило, считается, что as равно 1,0 при р ро = 0,4. Такое относительное давление выбрано потому, что ниже этой точки образуется лишь монослойное покрытие поверхности и происходит заполнение микропор, тогда как гистерезисные петли, возникающие вслед- [c.642]

Адсорбенты с радиусом пор > 40 ммк. В этом случае капиллярная конденсация наступает лишь вблизи давления насыщения и часто проследить за гистерезисной петлей невозможно. [c.112]

Непористые сорбенты характеризуются 5-образной формой изотермы без гистерезисной петли и толщиной адсорбционного слоя, не превышающей двух—пяти молекул до относительного давления паров, равного 0,9. Поверхность такого адсорбента 5 равна поверхности адсорбционной пленки S вблизи PIP, = 1. [c.113]

Гистерезисная петля для веществ с крупными молекулами отсутствует, появляется только при переходе к веществам с малыми молекулами Резкий подъем — в области низких и второй резкий подъем — в области средних относительных давлений [c.114]

Явление гистерезиса (остаточная индукция, коэрцитивная сила) обусловлено необратимым намагничиванием. Необратимое намагничивание соответствует крутому подьему кривой намагничивания или крутой части гистерезисной петли, где намагничивание проходит через нуль. Поле, соответствующее наибольшей проницаемости, приблизительно равно коэрцитивной силе //с. Необратимое намагничивание обусловлено смещением междоменной границы. Иа процесс намагничивания влияют кристаллическая анизотропия и различные включения. Наличие внутренних напряжений приводит к изменению энергии междоменной фаницы, при этом основное значение имеет фадиент нагфяжений. При возникновении полей рассеяния возле включений образуется доменная субструктура. Магнитный поток как бы обходит включения,и внутри домена, возле включения, образуются малые домены и соответственно дополнительные междомен-ные фаницы. При росте одних доменов за счет других происходит переход фаницы через включение, что сопровождается увеличением поверхност- [c.54]

Для нахождения величины поверхности пленки 5 уравнение нужно проинтегрировать от некоторой величины сорбции а , при которой начинается капиллярная конденсация (точка начала гистерезисной петли), до предельного значения сорбции а,. [c.143]

Ферриты тверды и хрупки. Их можно только шлифовать и полировать, а обработка резанием не удается. Коэрцитивная сила у них изменяется от 0,15 до 4 э, точка Кюри до 400—500°С, индукция насыщения 2000—4000 гс. У марганцово-цинковых ферритов гистере-зистые петли узкие небольшая). Никель-цинковые ферриты в зависимости от состава и способа получения имеют различную начальную магнитную проницаемость и более широкую гистерезисную петлю, Магний-марганцевые ферриты имеют почти квадратную гистеризионную петлю, что важно для изготовления запоминающих устройств в счетнорешающих машинах. Ферриты используются для изготовления контур-пых катушек, сердечников импульсных трансформаторов, трансформаторов развертки телевизионных приемников, магнитных экранов, резонаторов, накопителей в вычислительных машинах и для других целей. [c.352]

Следовательно ри низких и высоких температурах площадь гистерезисной петли мала. При промежуточных скоростях и температурах, когда деформация все же успевает развиться, но заметно отстает от напряжения, эта площадь приобретает максимальную величину Это сходство в действии температуры и скорости изменения напряжения характерно для всех релаксационных процессов и объясняется тем, что безразлично, каким образом достигается сближение скоростей изменения напряжения и развития деформации — путем снижения первой или за счет снижения второй, [c.386]

Величина гистерезисной петли равняется разнице между площадями ОМС и СМО (рис. 97), т. е. сумме интегралов [c.387]

Сумма интегралов, представляющая собой разность плотностей затраченной и возвращенной работы, дает количество энергии (на единицу объема), накопленной в образце вследствие проведения цикла растяжения и сокращения. Эта невозвращенная энергия может превращаться только в тепло, вызывающее нагревание полимера. Та часть механической энергии, которая при этом теряется в виде тепла, называется механическими потерями, которые тем больше, чем больше площадь гистерезисной петли. Подобные механические потери наблюдаются также при других релаксационных процессах. [c.387]

Изучение зависимости величины площади гистерезисной петли от температуры и скорости приложения нагрузки позволяет судить [c.387]

Таким образом, угол сдвига фаз, так же как величина площади гистерезисной петлй, достигает максимального значения при переходе полимера от стеклообразного состояния к высокоэластическому (это примерное совпадение максимума ф с указанным переходом может быть использовано для оценки Т ). Такое совпадение отнюдь не случайно, поскольку оба эти показателя являются количественной характеристикой релаксационных процессов, наиболее отчетливо проявляющихся в области перехода из одного состояния в другое. [c.390]

При фиксированных значениях параметров процесса концентрации реагентов и температура в реакторе определяются совместным решением уравнений (VII.2), (VII.5) или (VII.7), (VII.8). Легко заметить, что эти уравнения полностью эквивалентны уравнениям материального и теплового балансов на внешней равнодоступной поверхности катализатора (см. раздел II 1.3). oглi нo полученным там результатам, при определенных условиях система уравнений материального и теплового балансов может иметь несколько решений, соответствующих однозначно заданному набору характерных параметров процесса. Появление множественных режимов возможно в случае, когда реакция ускоряется одним из ее продуктов или тормозится одним из исходных веществ, а также в случае экзотермической реакции со значительным тепловым эффектом. В этих условиях при плавном изменении температуры исходной смеси или теплоносителя температура реактора изменяется скачком в критических точках перехода между режимами поэтому на графике зависимости Т от Т появляется характерная гистерезисная петля (как на рис. III.4). Заметим, что, в отличие от процессов на внешней поверхности зерна, при проведении процесса в реакторах идеального смешения возможна ситуация, когда не только промежуточный, но и один из крайних режимов становится неустойчивым. Рассуждения, основанные на анализе стационарных уравнений, которые привели к условию неустойчивости (III.51), доказывают только неустойчивость промежуточного режима, но еще не свидетельствуют об устойчивости тех режимов, для которых неравенство (III.51) не удовлетворяется. Более того, существует область значений параметров процесса, в которой имеющийся единственный стационарный режим реактора [c.277]

В ряде случаев время достижения катализатором стационар-.ного состояния велико, и он в течение длительного срока сохраняет свойстаа, отличные от свойств, характерных для равновесия системы. Этим объясняется наличие гистерезисной петли на кривых активности катализатора (рис. 7)..При повышении температуры образование нового более активного соединения и соответственный рост константы скорости характеризуется нижней кривой петли а при понижении — верхней. Такой характер кривых наблюдается в частности при окислении сернистого ангидрида [13]. [c.41]

Если скорость сдвига не остается постоянной и вначале возрастает, а затем понижается без учета времени на установление равновесной структуры при некоторой определенной скорости сдвига, идущая вверх кривая напряжения пе совпадает с ндуще вниз кривой, образуя гистерезисную петлю (рис. IV.4). Такпм образом, предельное напряжение сдвига может зависеть или не зависеть от истории сдвига. [c.200]

Затем система приводится в исходное положение, добавляется расчетное количество испытуемого реагента и опыт проводят в последовательности, описанной выше. На рис. 47 приводятся типичные кривые выделения и растворения газа в нефти как для чистой нефти, так и с добавками химреагентов. Видно, что при введении химреагента в газированную нефть петля гистерезиса сужается и уменьшается ее высота. Уменьшение высоты гистерезисной петли связано с сокращением общего количества вьщелив-шегося газа вследствие запаздывания вьщеления газовых пузырьков при добавке реагента. [c.121]

Рассмотренным способом вычисляют коэффициенты гармонической линеаризации и для других типовых нелинейных характеристик, приведенных в параграфе 6.1. В табл. 6.1 даны эти коэффициенты для некоторых нелинейных характеристик. Для всех типовых однозначных нелинейных характеристик коэффициенты гармонической линеаризации (а,,, со) получаются равными нулю. При этом нелинейные звенья в результате гармонической линеаризации принимают вид безынерционных усилительных звеньев С коэффициентами передачи, зависящими от амплитуды входного сигнала. В случае неоднозначных нелинейных характеристик (с гистерезисными петлями) коэффициенты 1 (с , ) не равны нулю, что согласно соо шошению (6.32) во атверждае наличие [c.189]

Как было показано Ждановым [141], дегидратация поверхности кремнезема вызывает появление гистерезисной петли ири измерении изотерм адсорбцгш — десорбция паров воды, причем такой гистерезис первый раз проявляется на дегидратированном силикагеле. (Вероятно, Жданов обнаружил этот эффект, связанный с дсгидратаг(ней кремнезема, еще до того, как выполнили свою работу Дзисько, Вишневская и Чесалова [90].) Жданов пришел к заключению, что НгО адсорбируется главным образом на группах ОН, но оксидные мостики, получаемые в результате дегидратации, могут быть регидратированы до образования груип ОН за счет адсорбции воды. До.казатсльством того, что НгО адсорбируется на группах ОН, согласно Жданову, является следующий факт. Когда силикагель нагревался при 500, а не ири 300 С, то образец дополнительно терял 2,2 ммоль групп ОН в расчете на 1 г 8102. При сравнении изотерм адсорбции, измеренных иосле предварительного нагревания силикагеля при 300 п 500°С соответственно, и при. значении относительного давления р/ро = 0,1, образец, который нагревался при 500°С, адсорбировал на 1,95 ммоль НгО/г 8102 меньше, чем образец, который нагревали прп 300°С. При р/ро = 0,2 эта разница составила 2,7 ммоль НгО/г 8102- Таким образом, прн низком относительном давлении при потере каждой группы ОН с поверхности воды адсорбировалось приблизительно на одну молекулу меньше. [c.899]

Таким образом, как при очень высоких скоростях изменения напряжения, так и при малых ветви гистерезисной петли расположатся сравнительно близко друг к другу, и площадь петли будет небольшой.[Повышенпе температуры, ускоряющее развитие деформации и сокращающее отставание деформации от напряжения, действует аналогично снижению скорости изменения напряжения. При понижении температуры деформация не успевает развиться, и картина будет примерно такой же, как при больших скоростя , [c.386]

Технология обработки корда из химических волокон в резиновой промышленности (1973) -- [ c.33 ]

Краткий курс коллойдной химии (1958) -- [ c.192 , c.219 ]

Механические испытания резины и каучука (1949) -- [ c.45 , c.131 ]

Свойства химических волокон и методы их определения (1973) -- [ c.129 ]

Механические испытания каучука и резины (1964) -- [ c.199 , c.256 , c.299 , c.305 , c.310 ]

Фармацевтические и медико-биологические аспекты лекарств Т.2 (1999) -- [ c.2 , c.273 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология