Тирский

Ввиду того, что сложные эфиры, образующиеся по реакции Симопини, обычно легче приготовить другими методами, эта -реакция не получила тирского распространения в качестве син--тегического метода. Поэтому подробные сведения о. методике [c.475]

Диброминдиго Тирский пурпур) [c.256]

Известно много важных производных индола. Кубовый краситель индиго (45), известный и широко применяемый с древних времен, был получен из индикана (46) — 3-гликозида индоксила, который встречается в некоторых растениях. В настоящее время индиго получают синтетическим путем. Обширные исследования индиго способствовали развитию химии индола. Тирский пурпур — природный краситель, применяемый с давних времен, представляет собой 6, б -диброминдиго (ср. 45). Изоиндиго (559, стр. 200) [c.151]

Васильевский С.A., Ефимова Л.Г., Тирский Г.А. Постановка задачи обтекания тел вязким теплопроводным частично ионизованным газом и численный метод ее решения. Отчет Ин-та механики МГУ. Же 2265. -М. Издан-е НИИМ МГУ, 1979. [c.221]

Колесников А.Ф., Тирский Г.А. Уравнения гидродинамики для многокомпонентных ионизованных смесей газов с коэффициентами переноса в высших приближениях.В кн. Тр. Всес. конф. по динамике разреженных газов. -М. Наука. 1979. [c.221]

Тирский ГА. Приближенное аналитическое определение отхода головной ударной волны при сверхзвуковом обтекании затупленных тел. В кн. Математическое моделирование нестационарных задач механики сплошных сред.-М. Изд-ние ВЗМИ. 1985. С. 34-50. [c.223]

В ходе работы школы было прочитано 25 лекций с изложением основных результатов современной молекулярной газодинамики иТпоследних достижений в феноменологической аэродинамике и теории химической технологии. С лекциями выступили ведущие специалисты в этих областях науки М. Д. Миллионщиков, В. Б. Струминский, С. В. Валландер, В. А. Малю-сов, М. Г. Слинько, В. С. Авдуевский, М. А. Аэров, Ю. А. Буевич, В. В. Дильман, М. Н. Коган, Г. А. Тирский, О. М. Тодес, А. М. Розен. В заключительный день работы школы была проведена плодотворная дискуссия. [c.139]

Флейшман и Тирск [35] независимо пришли к подобному же уравнению. Однако они рассматривали поверхность в условиях уже развивающейся спирали (Вермилиа [36]), тогда как во многих быстрых измерениях стационарное состояние достигается меньше чем за 10 сек. При использованной плотности тока это соответствует менее чем одному монослою. За это время еще не появляются спиральные витки, в частности из-за того, что большинство осаждаемых нонов в этот период идет на создание определенной концентрации адионов. В этом случае расстояние между ступенями соответствует расстоянию между ними до осаждения и может быть связано с числом дислокаций [37, 38]. [c.282]

Для ознакомления с этим вопросом достаточно описать в общих чертах приемы, использованные Бокрисом с сотрудниками [85, 86], Тирском, Флейшманом и другими (ссылки приведены ниже). Авторы не используют очень большое число имеющихся литературных источников, потому что по существу акцент здесь делается на изучение элементарных последовательных реакций, а не на всю проблему электроосаждения. [c.304]

С другой стороны, Тирск, Флейшман и их сотрудники больше внимания уделили стадии осаждения. Они провели тщательный экспериментальный и теоретический анализ с очень заметным акцентом на потенциостатические методы. Схему последовательных реакций можно представить следующим образом [c.304]

Работы, упоминаемые в дальнейшем, подобраны так, чтобы проиллюстрировать эти представления как экспериментально, так и теоретически. Первая группа работ [88—92] относится к общей проблеме потенциостатического типа методов. Очень общая трактовка этой проблемы была дана Флейшманом и Тирском [93], причем они не ограничились рассмотрением только анодного потен-циостати 1еского метода. [c.305]

Дальнейшая попытка решить проблему последовательных ступенчатых процессов и, в частности, проблему кинетики действительного роста осаждающегося металла недавно была предпринята Эстли, Гаррисоном и Тирском [121]. Их подход основан на потенциостатическом изучении осаждения металла на угольной подложке двухимпульсным методом первый короткий отрицательный импульс служит для образования центра кристаллизации, а переходные значения переменных, полученные из данных по наложению второго устойчивого и менее отрицательного потенциала, можно непосредственно проанализировать для детализации кинетики роста решетки подобно тому, как это делается при изучении анодной электрокристаллизации. Применение метода позволяет надеяться на достижение значительных успехов в решении поставленных вопросов, хотя на основе только кинетических наблюдений все еще можно привести доводы, показывающие, что невозможно отличить поверхностную диффузию от непосредственного осаждения металла, даже если определена геометрия роста. Весьма вероятно, что наиболее четко выраженные структурные ограничения можно найти в последних работах болгарской школы [122, 123]. В этих работах было исследовано осаждение на микроскопической грани (100) монокристалла серебра, не содержащей дислокаций. В этом случае кривые i — t и ф — t относятся к процессу двумерного роста простых зародышей моноатомной высоты, а кинетические данные — к включению на ребро. [c.310]

Автором книги дан обзор [34] различных теорий мембранного потенциала и оценка уравнения (III.82) Скэтчарда применительно к поведению трех мембран с изменяющейся в тирских пределах плотностью фиксированных зарядов X, а именно сшитых полиметакриловой (X 3m) и сульфированной фенолформ-альдегидной мембран (X Im), а также необработанной коллодиевой мембраны (X =< Ю т). Численное интегрирование уравнения (III.82) с использованием экспериментально определенных достоверных значений и для различных моляльностей внешнего раствора дало значения Е, отличающиеся не более чем на 1 мВ от измеренных. Авторы работ [35, 36] также нашли соответствие указанных значений при изучении продажных ионообменных мембран. [c.103]

Следуя Г. А. Тирскому ), выпишем для случаев стационарного плоского (я=1) или осесимметричного п — 2) обтеканий тупоносого тела следующую основную систему уравнений пограничного слоя [c.471]

Тирский Г. А,, Журнал вычислительной математики и математической физики 1, 5 (1961). [c.471]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология