Кинетика роста

Рис. 5.6. Кинетика роста микроорганизмов на различных битумах

Высказанные выше представления о механизме накопления твердой фазы при окислении топлив, вероятно, не являются исчерпывающими, но даже при наличии только двух процессов укрупнения твердых частиц — адсорбции продуктов окисления на них и соединении частиц при столкновениях — строгое математическое описание кинетики роста твердой фазы при окислении представляется весьма сложным. Поэтому целесообразно рассмотреть только некоторые эмпирические зависимости, которые могут представить чисто практический интерес, а именно, зависимость скорости накопления частиц данной фракции от ее начальной и текущей концентрации. Получить указанную зависимость можно, проанализировав кинетику накопления частиц различных фракций в опытах по окислению топлив растворенным кислородом при различных температурах и различных концентрациях механических примесей. [c.257]

Результаты многочисленных работ по статической усталости и по кинетике роста трещин часто обсуждаются в терминах коррозии под напряжением . Если под коррозией понимать растворение с переходом атомов твердой фазы в объем раствора, то такой процесс действительно иногда вносит существенный вклад в общую картину [297]. Однако чаще всего судьба атомов, образовавших связь, после ее гидролитического расщепления несущественна. В ряде случаев можно утверждать, что они остаются на месте, так как активная среда не образует жидкой фазы, а присутствует в виде адсорбционного слоя [268]. Однако даже если они переходят в раствор (может быть, с переотложением в другом месте, если раствор насыщенный), то мерой действия среды все равно может служить работа адсорбции, хемосорбции или топохимической реакции, т. е. термодинамика поверхностных взаимодействий. [c.97]

Рис. 3.14. Схема автоматизированной установки для исследования кинетики роста, и растворения кристаллов

Рис. 2.11. Кинетика роста стрелы прогиба на одном из реакторов

Рассмотрение кинетики роста трехслойной окалины (рис. 43), аналогичное приведенному выше для двухслойной окалины, дает следующие закономерности [c.73]

На рис. 7.3 показаны кривые кинетики роста кристаллов аммиачной селитры в акустическом поле, рассчитанные по уравнениям (7.4), Г7.6) и (7.8). В расчетах приняты частоты 15, 20. 35 и 45 кГц, Н = 10-< см, й, = 1,85-10- см, 2=5,8-10-3 см, Р=3-10- см /с, Дс = 7,8-10 г/смЗ у = 10 2 см /с, р = 1,725 г/смЗ. Интенсивность ультразвука принята 3 Вт/см , что соответствует колебательной скорости 45 см/с. [c.150]

Рис. 7.3. Кинетика роста кристаллов в акустическом поле

Учет зародышеобразования в случае диффузионной кинетики роста при подстановке соотношения (2.114) в (2.109) и разделении переменных дает следуюш,ую зависимость размера кристалла от времени [c.176]

Прямые методы определения скорости роста кристаллов характеризуются непосредственным измерением масс (размеров) кристаллов в процессе их роста. Эти методы применяются при исследовании кинетики роста отдельных закрепленных [84—88] или свободных [84, 89] кристаллов. [c.289]

Для исследования кинетики роста закрепленных кристаллов используются несколько различных методик. По одной из них кристалл помещается в термостатированную кювету с неподвижным пересыщенным раствором и с помощью оптической системы [88] исследуется рост его граней. [c.289]

Рис. 3.13. Ячейки для исследования кинетики роста (растворения) кристаллов

К прямым методам исследования кинетики следует отнести и метод, предложенный в [90]. Авторы работы исследовали кинетику роста кристаллов сахарозы в ячейке (рис. 3.13, д), которая представляет собой термостатированный цилиндр со стеклянными, герметично собранными дном и крышкой. Ячейка заполнялась пересыщенным раствором так, чтобы в ней не оставался воздух, после чего в нее опускался предварительно измеренный кристалл. Когда кристалл, осаждаясь в процессе роста, достигал дна ячейки, он фотографировался, ячейка переворачивалась и процесс ро- [c.290]

Опишем методику экспериментального исследования кинетики роста кристалла в ячейке-трубе [92]. Данные об изменении скорости осаждения кристалла в процессе его роста или растворения содержат информацию о кинетике исследуемого процесса. Но саму кинетику изменения массы частиц конкретного вещества определяют условия проведения процесса. Поэтому для проведения кинетических исследований необходим аппарат, в каждой точке объема которого в любой момент времени известна концентрация раствора и его температура. Кроме того, аппарат должен допускать возможность измерения скорости движения исследуемого кристалла. [c.292]

Рис. 3.15. Информационная схема автоматизированной системы исследования кинетики роста кристаллов

Оптимальные условия для получения нефтяного углерода создаются при средних температурах коксования (450—480°С), когда скорости реакций деструкции и уплотнения, обусловливающие образование зародышей кристаллизации, соизмеримы с кинетикой роста мезофазы (см, с, 174). Повышение давления в системе и коэффициента рециркуляции сырья обычно способствует увеличению выхода, а также размеров кристаллитов сырых нефтяных [c.148]

Кинетика роста трещины серебра в метаноле объясняется течением жидкости сквозь пористый материал, содержащий трещины серебра (в котором среднее расстояние между пустотами 0,25 мкм, размер пустот 72 нм, а предел вынужденной эластичности при образовании трещины серебра 9 МПа) [c.369]

Долговечность образца под действием заданного напряжения в интервале (оо, акр) складывается из времени разрыва на первой и второй стадиях. Из рассмотрения кинетики роста трещины следует интерполяционная формула для долговечности [17], совпадающая с эмпирической формулой (VI. 16) [c.211]

Развитие экспериментальных методов изучения кинетики роста трещин достигло в настоящее время высокого уровня и дает возможность сравнивать и анализировать не только долговечности образцов в целом, но и непосредственно зависимость между длительностью разрушения и длиной трещины. [c.302]

Влияние релаксационных свойств ка процесс разрушения полимеров сказывается и на кинетике роста трещин. Это связано с тем, что в процессе микродеформации вблизи вершины трещины происходит переход упругой энергии в теплоту. [c.317]

Подробно разработаны теоретические вопросы, связанные с кинетикой роста оксидных пленок при пассивации металла. Рассмотрим основные из них. [c.273]

Кинетика роста толстых пленок [c.475]

Кинетика роста тонких пленок [c.477]

Все реакции микробиологического превращения углеводородов являются окислительными процессами. Предельная восстановлен-ность этих веществ делает необходимым для их окисления включение кислорода. Гидрофобный характер молекулы углеводородов является причиной того, что процессы окисления осуществляются оксигеназа-ми, в отличие от окисления более гидрофильных веществ, происходящего под действием дегидрогеназ. Гидрофобность углеводородных субстратов и их ничтожная растворимость в воде требует специфического способа транспорта таких веществ в клетку. Этот процесс еще недостаточно изучен, но имеющиеся в настояищй момент данные говорят о том, что на основном этапе он происходит пассивно, поэтому способы поступления углеводородного субстрата к клеткам в водной среде и его транспорта через оболочку существенно влияют на кинетику роста культур на углеводородных средах [149]. [c.85]

МЕХАНИЗМЫ И кинетика РОСТА [c.479]

В то время как общий закон роста двухслойной однофазной окалины описывается параболическим законом, относительно кинетики роста внутреннего слоя окалины данные противоречивы по Мровецу и Верберу, образование внутреннего слоя идет по линейному закону, в то время как в других работах найдена параболическая зависимость. [c.75]

Рис. 263. Кинетика роста окисных пленок на различных металлах в JiИ лopoдe или сухом воздухе при комнатной температуре

Первый путь состоит в том, что при выводе уравнений движения многофазной многокомпонентной среды типа (1.66) наряду с пространственными координатами х , х , з и временем Ь вводится еще одна независимая переменная — характерный размер включений или объем частицы V. Все зависимые переменные модели становятся функциями пяти аргументов х , х , х , I, V, а система уравнений движения дисперсной смеси типа (1.66) дополняется еще одним уравнением баланса относительно многомерной плотности распределения частиц по названным координатам р (х , а , I, у). Несмотря на некоторое усложнение математической модели, такой подход иногда (например, когда включения представляют твердые частицы) приводит к эффективному решению задачи. Примером может служить описание процессов массовой кристаллизации с учетом многофазности среды, фазовых превращений, кинетики роста кристаллов и зародышеобразова-нйя, распределения частиц по размерам и эффектов механического взаимодействия между ними [4]. [c.136]

Дислокационная теория росаа кристаллов из растворов [59]. Модель предыдущего раздела основана на предположении о том, что полную скорость диффузии определяет поверхностная диффузия модель удовлетворительным образом описывает кинетику роста кристаллов из газовой фазы в случае, когда градиент концентрации в объемной фазе можно считать пренебрежимо малым по сравнению с разностью концентрации в непосредственной близости от кристалла и равновесной концентрации. В случае, когда градиент концентрации в объемной фазе велик, процессом, определяющим полную скорость диффузии, является объемная диффузия. Этот случай, как правило, приходится рассматривать при кристаллизации из растворов (или из газовой фазы в присутствии инертного газа) [60]. [c.272]

Установка для исследования кинетики роста и растворения кристаллов, включающая в себя ячейку-трубу, представлена на рис. 3.14. Установка состоит из термостатированной трубчатой ячейки, снабженной щлюзом для вывода частиц. По высоте ячейки через фиксированные расстояния установлены электронно-оптические преобразователи (ЭОП), представляющие собой блок из источников света и фотоприемника, снабженного щелевой диафрагмой. Фотоприемник выполнен на основе фотоэлектронного умножителя ФЭУ-74. Ячейка-труба с ЭОП представляет собой источник информации ИИ-1 в автоматизированной системе исследования кинетики роста кристаллов (рис. 3.15). Принцип действия ЭОП основан на прерывании светового потока, проходящего через щелевую диафрагму на фотоприемник, движущейся частицей. Сигнал с фотоприемника поступает на устройство первичной обработ- [c.293]

Айзин С. М. Автоматизированный метод исследования кинетики роста и растворення кристаллов Автореф. дис.. ..канд. техн. наук. М. МХТИ им, Д. И. Менделеева, 1981. 20 с. [c.327]

Известно [30], что в интервале температур 450—480 С межслое-вое расстояние в кристаллитах нефтяных коксов является наименьшим. Выпрямление вогнутой поверхности кристаллитов и их параллельная укладка осуществляются за счет избыточной поверхностной энергии ненасыщенных краевых атомов углерода. На кинетику роста размера кристаллитов кроме свойств сырья больщое влияние оказывают температура, давление, длительность процесса, коэффициент рециркуляции сырья и др. [30]. [c.148]

Рис. 5.2. Кинетика роста Pseudomonas-aeruginosa на глюкозе и на битуме t — культура выросла на глюкозе, дальнейший рост на глюкозе 2 — культура выросла на битуме, дальнейший рост на глюкозе 3—культура выросла на битуме, дальнейший рост на битуме 4 — культура выросла на глюкозе дальнейший-рост на битуме.

Хорошим примером иепредсказуемых результатов является поведение труб из полиэтилена (ПЭ) и других частично кристаллических материалов при постоянном поперечном напряжении для них обнаружено резкое падение рабочих напряжений при длительном нагружении (рис. 1.5). На начальном участке временной зависимости для ПЭ, как и для ПВХ, долговечность сильно зависит от напряжения. В зависимости от температуры ослабление материала бывает либо хрупким (рис. 1.1), либо пластическим (рис. 1.2 и 1.6). Оба материала также сравнимы по термической активации роста трещин при ползучести (рис. 1.3, 1.7 и 1.8), которая может вызвать ослабление трубы по истечении длительного срока службы. Оба материала различны в тОлМ смысле, что для ПЭ кинетика роста трещины при ползучести заметно отличается от кинетики роста трещины при пластическом ослаблении (рис. 1.5), а для ПВХ практически не отличается. Это лишний раз свидетельствует о том, что необходимо изучать собственно физическую природу развития дефекта материала, чтобы надежно предсказывать его поведение, особенно при первом применении, и (или) улучшать свойства путем введения дополнительных компонентов или изменения способа изготовления. [c.12]

Совместно с Л.С.Гордеевым и А.Ю.Винаровым сформулированы научные принципы анализа, оптимизации, масштабирования и проектирования биотехнологических процессов. С позиций системного подхода последовательно проведен анализ эффектов и явлений, происходящих в биохимическом реакторе на микро- и макроуровне. Разработаны математические модели, учитывающие кинетику роста микробных популяций, транспорт питательного субстрата к клеткам и гидродинамическую обстановку в реакторе, характеризуемую эффектами се1регации ферментациогшой среды и неидеальностью структуры потоков в реакторе большого объема. Предложена методика решения задачи масштабного перехода от лабораторных установок к промышленным биореакторам на основе вычислительных экспериментов. Показаны направления оптимизащш конструктивных и режимных параметров биотехнологических процессов. [c.13]

В течение времени Х1 происходит образование микротрещин на слабых местах структуры, а за время п происходит прорастание микротрещин, приводящее к разрыву образца. В зависимости от соотношения времен Т] и Т2 полимер будет вести себя как высокопрочный или как низкопрочный. В высокопрочных материалах время Т1 Т2, поэтому долговечность определяется временем ть В низкопрочных материалах соотношение обратное Т[ -С тг, и долговечность определяется прорастанием одной или нескольких наиболее опасных микротрещин. Для полимерных материалов первого типа более пригодна теория Чевычелова, а для материалов второго типа — флуктуационная теория Бартенева, учитывающая кинетику роста микротрещин, рассматривающегося как последо- [c.209]

Теперь рассмотрим применение термофлуктуационной теории к квазнхрупкому разрушению. Как и в хрупком состоянии, кинетика роста трещин определяется здесь термофлуктуационным механизмом, но в условиях проявления релаксационных свойств. Так, при [c.318]

Скорость роста идеально гладкой грани пропорциональна частоте появления на ней двумерных зародышей. Этот этап является весьма чувствительным к пересыщению, и вероятность образования нового слоя при пересыщениях ниже 25—50% совсем ничтожна. Дальнейшее разрастание слоя происходит быстро и от пересыщения не зависит. Однако в реальных кристаллах рост кристалличеекой поверхности становится непрерывным и осуществляется при ма/гых пересыщениях порядка 1 % и ниже. Это противоречие между теорией и практикой объясняет так называемая дислокационная теория. В настоящее время эти представления о механизме и кинетике роста кристаллов из пара являются общепринятыми. Согласно дислокационной теории винтовые дислокации, всегда присутствующие в реальном кристалле и выходящие на растущую поверхность, обеспечивают наличие готовых ступенек. Частицы, адсорбировапные поверхностью, свободно по ней перемещаются и, наконец, присоединяются к имеющемуся дислокационному выступу — ступеньке. В процессе кристаллизации ступеньки не зарастают, а сохраняются в новых слоях. Поэтому вся кинетика роста определяется движением ступенек и нет необходимости в появлении новых двумерных зародышей. При таком механизме роста полностью заполненных плоскостей нет, присоединение частиц происходит по спирали. -Для образцов с достаточно ( свершенной структурой плотность дислокаций, выходящих на поверхность, достигает 10 Поэтому рост такой поверхности происходит во многих точках одновременно и микрорельеф ее оказывается не гладким, а шероховатым. [c.60]

Каждую из кривых, представленных на рис. 67, условно можно разбить на три участка начальный (I), линейный (И) и предельного насыщения (III). На участке I происходит зарождение анодного оксида, и кинетика роста здесь существенно зависит от свойств кремниевой подложки. Когда преобладающим становится вклад оксида fnpH его достаточной толщине), меняется характер дальнейшего течения процесса, и зависимость U = /(т) определяется лишь приростом толщины оксида во времени. Поэтому на участке [c.117]

Изменение дисперсности пены во времени может быть связано как с протеканием изотермического переноса газа через пленки, так и с разрывом самих пленок. Измерение дисперсности пены и ее изменений во времени обычно проводится подсчетом числа ячеек, контактирующих со стенкой сосуда, в котором находится пена (по микрофотографиям). Изотермический перенос газа от малых ячеек с более высоким давлением воздуха к крупным, в которых давление воздуха ниже, особенно существен для высокодисперсных полидисперсных пен, т. е. на начальных стадиях их разрушения. Поскольку толщина пленок в пенах в состоянии, близком к метастабильно-равновесному, не изменяется во времени, кинетика роста ячеек пен при изотермическом перено1 ж газа, как было показано де Фризом, описывается соотношением (1Х.36). [c.340]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология