Золото монокристаллическое

Помимо эпитаксиальных монокристаллических пленок, осаждаемых на кристаллические подложки, широко используют в микроэлектронике тонкие поликристаллические и аморфные пленки других материалов. На основе подобных пленок изготавливают не только пассивные, но и активные элементы ИМС, работающие с использованием основных носителей заряда. Для данных целей применяют полупроводниковые (металлические, резистивные, диэлектрические) поликристаллические и аморфные пленки. Последние обычно получают методом вакуумного напыления. Металлические пленки, наносимые на изолирующий слой оксида кремния (IV), служат для создания внутренних соединений элементов ИМС, а также дают возможность осуществлять присоединение электрических выводов к микросхеме. Для этой цели широко применяют материалы на основе золота, никеля, свинца, серебра, хрома, алюминия, а также сплавы систем хром — золото, титан — золото, молибден — золото и некоторые другие. [c.161]

Фото 49. Муаровые узоры от параллельно ориентированных монокристаллических пленок золота и палладия. Изображения изменяются от одной области к другой вследствие сморщивания образца. Кружком выделен участок с нарушенной муаровой структурой, обусловленной дислокацией [c.301]

Морфологические изменения кристаллов золота наступают при одинаковой длительности отжига в азоте при 0,4 Гпл (°К), а в кислороде при 0,3 Тпл- В озоне перестройка кристаллов золота при достаточно длительных выдержках происходит уже при комнатной температуре. На рис. 14.21 показана тонкая монокристаллическая пленка золота в неотожженном состоянии и после отжига в атмосфере водорода. [c.379]

Прочие методы очистки. В дополнение к более общим и широко используемым методам, разобранным в предыдущих разделах, существуют менее известные методы очистки, которые применимы в определенных случаях. Примером является скалывание монокристаллов для получения непосредственно чистой поверхности. Этот метод ограничен, конечно, материалами, имеющими монокристаллическую форму, которые имеют поД ходящие плоскости скола (например, каменная соль). Метод важен только при изучении зародышеобразования и роста, когда точное определение состояния поверхности является важнейшей предпосылкой. Чтобы воспрепятствовать адсорбции атмосферных газов на только что полученной атомарно-чистой поверхности, скол часто выполняется в вакуумной системе при давлениях 10" мм рт. ст. или меньше. Однако были описаны случаи, когда была обнаружена лишь малая разница в тонких пленках золота, выращенных на поверхностях каменной соли, сколотой в воздухе и вакууме [114]. [c.542]

В идеальном случае подложка для образца должна быть хорошим проводником и быть сделана из материала, который не давал бы вклада в рентгеновский сигнал, идущий с образца. Для массивных образцов или срезов, изучаемых в режиме вторичных электронов, образцы обычно помещают на хорошо отполированные сверхчистые углеродные, алюминиевые или бе-риллиевые диски. Подходит также для этого легированный бором монокристаллический кремний. Эти материалы являются достаточно хорошими проводниками и дают только малый вклад в рентгеновский фон. Материалы, которые нужно исследовать с помощью световой оптики, должны монтироваться на кварцевых или прозрачных пластиковых пленках, которые для создания проводимости должны покрываться тончайшим слоем ( 5—7 нм) алюминия. Для материалов в виде среза пригоден целый ряд подложек, в основном на основе стандартной сетки (3,08 мм) для просвечивающего электронного микроскопа. Можно применять сетки, изготовленные из меди, титана, никеля, алюминия, бериллия, золота, углерода и нейлона. Они могут использоваться с пластиковой поддерживающей пленкой и без нее. Имеется тенденция использовать сетки, изготовленные из материалов с низким атомным номером, таких, как алюминий, углерод или бериллий, так как они дают значительно меньший вклад в рентгеновский фон. В качестве подложек для образца использовались нейлоновые пленки с алюминиевым или углеродным покрытием [300, 426], преимущество которых состоит в том, что они являются более прочными и прозрачными [c.285]

Процесс изготовления микроаналитических систем базируется на технологиях, использующихся при производстве интегральных схем (чипов). В их основе лежат хорошо изученные и отработанные на практике процессы фотолитографии и травления либо в растворах, либо в газовой фазе (например, реакционное ионное травление). На рис. 15.2-1 представлен типичный процесс изготовления устройства с системой микроканалов. Подложку, обычно из кремния, стекла или кварца (в принципе, возможно использование полимеров), покрьшают пленкой металла (обычно хром или золото с тонким слоем хрома для улучшения адгезии) и слоем фоторезиста. Затем с использованием фотошаблона, на котором нанесен рисунок будущего микроустройства, поверхность подвергают действию УФ-излучения. После соответствующей химической обработки (проявления) пленка фоторезиста удаляется с участков, подвергнутых экспозиции. Пленка металла, не защищенная фоторезистом, удаляется в травильных ваннах. Затем, на второй стадии травления травится и сама подложка (обычно в НГ/НКОз или КОН). В зависимости от выбранного травителя и типа подложки получающиеся микроканалы имеют различный профиль. Стеклянные и другие аморфные подложки обычно изотропны по свойствам и травятся с одинаковыми скоростями в любом выбранном направлении. Протравленные каналы, как правило, имеют скругленные кромки. На монокристаллических кремниевых или кварцевых подложках в присутствии подходя1цих травителей возможно анизотропное травление, приводящее к получению каналов со специфичными профилями, зависящими от расположения кристаллографических плоскостей, подвергнутых травлению. На заключительной стадии процесса по- [c.642]

В отличие от рассмотренных выше работ контролируемый метод получения муаровых узоров был разработан Нашли, Мен-тером и Бассеттом [42—44]. Методика авторов позволила получить заранее заданную ориентацию двух монокристаллических пленок, каждая из которых имела толщину 200—300 А и приготовлялась напылением. Одним из кристаллов являлось золото, на котором в результате эпитаксиального роста образовывался второй слой, так что получалась система из двух наложенных и параллельно ориентированных кристаллов различных веществ со структурой одного типа, но различаюпщ-мися параметрами решетки. Это приводило к возникновению параллельных муаровых узоров, соответствующих рис. 47, а. [c.197]

Бирн и Роджерс сравнили размеры электродов (золотых, палладиевых и платиновых) с площадью, занимаемой одноатомным слоем серебра, и показали, что первая величина превосходит вторую, когда система подчиняется уравнению (1,41). Обратное соотношение наблюдается, когда систему можно описать, используя -сокращенную форму уравнения Нернста площади соизмеримы в промежуточном случае. По мнению авторов, серебро на платине, палладии и золоте в начале осаждения образует монослой. При электрохимическом выделении висмута и свинца на серебряных и золотых о 5з электродах возникает многослойный осадок на первых выделившихся атомах. В этом случае система даже при частично покрытых осадком электродах описывается сокращенным уравнением Нернста, что противоречит представлениям Роджерса и Стени. Ртуть, железо и кадмий также выделяются на активных центрах поверхности монокристаллических платиновых электродов, затем происходит рост образовавшихся зародышей . [c.22]

Рис. 14.9. Декорированная монослосм золота область между полюсами (111) и (211) электролитически выращенного монокристаллического серебряного шарика

Справочник химика 21

Химия и химическая технология