Муаровые узоры

Рис. 48. Оптическая аналогия, поясняющая проявление дислокаций в муаровых узорах.

Муаровые узоры, получающиеся наложением двух систем линий при изменении угла наложения. [c.399]

Муаровые узоры моделируют образование нескольких радуг во время дождя. Радуги, образованные каплями большего размера (верхняя часть), расположены теснее, а каплями меньшего размера (нижняя часть)-дальше отстоят друг от друга [19]. Воспроизводится с разрешения. [c.401]

Возникновение двух основных типов муаровых картин схематически показано на рис. 47. Параллельные муаровые узоры (рис. 47, а) образуются при параллельном наложении двух [c.194]

Наличие дислокации в одной из наложенных решеток будет приводить к появлению дополнительной полуполосы в муаровом узоре. Это можно продемонстрировать при помощи оптической аналогии (рис. 48). При параллельном наложении решеток дополнительная полуполоса муарового узора будет параллельна линиям решеток, при вращении она будет перпендикулярна линиям решетки, содержащей дислокацию. [c.196]

Вначале муаровые узоры наблюдались в электронном микроскопе в результате случайно достигнутой благоприятной ориентации наложенных одного на другой тонких кристаллов графита [34], различных минералов[35, 36], трехокиси молибдена [37]. Наблюдавшиеся в этих работах муаровые полосы находились одна от другой на расстоянии порядка 100 А, причем эти расстояния не изменялись при изменении ускоряющего [c.196]

Авторами был разработан также контролируемый метод приготовления образцов для получения вращательных муаровых узоров. Монокристаллические пленки тех же металлов приготовлялись каждая в отдельности и затем совмещались, будучи сдвинуты одна относительно другой на заданный угол. Некоторым преимуществом этого метода для изучения структуры металлических пленок является отсутствие искажений решеток за счет взаимного проникновения атомов разных металлов, что имеет место при эпитаксиальном росте одной пленки на другой. [c.198]

Фото 48. Муаровые узоры от кристаллов сульфида меди, содержащие искажения, соответствующие наличию дислокаций в кристаллах. [c.300]

Фото 49. Муаровые узоры от параллельно ориентированных монокристаллических пленок золота и палладия. Изображения изменяются от одной области к другой вследствие сморщивания образца. Кружком выделен участок с нарушенной муаровой структурой, обусловленной дислокацией [c.301]

При различном наклонении азимута плоскостей кристалла к оси микроскопа и вследствие изогнутых поверхностей кристалла довольно часто наблюдаются явления контрастной интерференции, включающие контрасты интенсивности . При изменении угла между осью микроскопа и перпендикуляром к плоскости кристалла интенсивность интерференции центрального электронного луча будет периодически изменяться даже при очень малых углах 1(около 10 радиана). Поэтому яркость изображения кристалла также будет меняться . В электронно-микроскопическом изображении тонких кристаллических плиток часто наблюдаются темные полосы или муаровые узоры . Они объясняются легким сдвигом или изгибом кристаллической решетки вследствие механических или температурных напряже-ний или действия падения электронных лучей под слегка различными углами в небольшом диапазоне апертуры радиации, влияющей на структурные плоскости . [c.281]

Последующее молекулярное описание одноосного деформирования неориентированного частично кристаллического полиэтилена характеризует пластическую деформацию волокон, образующих термопласты со сферолитной структурой. Оно может служить иллюстрацией большого разнообразия механизмов деформирования. При деформациях менее 1 % выявляют анизотропные упругие свойства кристаллов (орторомбического) полиэтилена [57] и аморфного материала [53]. При тех же самых условиях имеют место неупругие деформации СНг-групп и сегментов цепей, которые обусловливают низкотемпературные Р-, у- и б-релаксационные механизмы [10, 56]. При больших деформациях (1—5%) происходит дополнительное изменение сегментов цепи, их относительного положения и конформационные изменения (поворот связей). Подробное исследование поведения цепей в аморфных областях было выполнено Петракконе и др. [53]. В кристаллических областях под действием деформаций такого же порядка возникают дислокации и дислокационные сетки (наблюдаемые в ламеллярных кристаллах в виде муаровых узоров). В зависимости от условий внешнего нагружения и типа дислокаций их движение вызывает пластическую деформацию кристалла путем двойникования, смещения плоскостей или фазового перехода орторомбической ячейки в моноклинную. Обширный обзор деформирования полимерных монокристаллов был дан Зауэром и др. [57] и в книге Вундерлиха [3]. Детальный расчет вклада различных структурных элементов и дефектов в деформирование частично-кристаллических полимеров можно найти во многих статьях, из которых здесь приводятся только некоторые [47—62]. Хотя упомянутые выше эффекты обусловливают нелинейность зависимости напряжение—деформация, первоначально существовавшая надмолекулярная организация все еще сохраняется. Подобная деформация называется однородной. [c.41]

Метод муара — косвенный метод структурного анализа. Пользуясь им, можно исследовать структуру кристаллических тел и, в частности, характер распределения различного рода дис- покаций в кристаллических решетках. Основан он на явлении интерференции электронных лучей, дифрагированных от двух наложенных друг на друга кристаллических решеток с близкими кристаллографическими параметрами. Интерференцирующие лучи образуют сложную картину (муаровые узоры), которую, однако, можио расшифровать, зная показатели одной из кристаллических решеток. [c.134]

Контраст от трехмерных включений (зародыщи кристаллов в поверхностном слое и т. д.) йыявляется по муаровым узорам островки с уклонами по краям. Островки имеют обычно форму усеченных тетраэдров. [c.157]

Шубников и Копцик [2] описали разнообразные примеры муаровых узоров в различных сферах. Здесь мы приведем одно, возможно неожиданное, применение только капли определенного размера могут образовывать одновременно две или три радуги во время дождя. Интерференционная картина, которая возникает из-за взаимодействия отдельных частей фронтальной волны, хорошо моделируется муаровыми узорами. Иллюстрация этого явления по Фрейзеру [19] приводится на рис. 8-46. Видно, что расстояние между соседними радугами явно зависит от размера капли. Подобный анализ муаровых узоров и их применений был недавно сделан Гайгером [20], а Витши [21] продемонстрировал возможности, заложенные в технике получения таких узоров, с точки зрения художественной выразительности. [c.398]

Муаровые узоры, получаюи1иеся наложением двух систем кружков при изменении угла наложения. [c.400]

Хашимото и Уеда [38] наблюдали возникновение муаровых полос при прохождении электронного пучка через два тонких кристалла сульфида меди с расстоянием между плоскостями (110) (1 1,88 А. При угле поворота кристаллов одного относительно другого в сотые доли радиана авторы, в согласии с указанным выше соотношением, отметили возникновение муаро вых полос с /)я= 100 А. Помимо областей с правильной структурой, были обнаружены участки, на которых фигуры муара соответствовали наличию дислокаций в кристаллах (фото 48, а, б, в). Это была первая работа, в которой дислокации были обнаружены в результате углового смеш ения двух кристаллов одного и того же соединения. На основании искажений муаровых узоров Гудмен [39] указал на присутствие дефектов решетки в изученных им пластинчатых кристаллах нитрида бора. Анализ темнопольных снимков, полученных с ограниченных участков кристаллов, позволил автору уверенно определять индексы граней, ответственных за ноявление полос и, благодаря повышенной контрастности изображения, наблюдать серию полос, отстояш их друг от друга на 60 А. Возникновение муаровых полос для ряда кристаллов описано также в работах [40, 41]. [c.197]

В отличие от рассмотренных выше работ контролируемый метод получения муаровых узоров был разработан Нашли, Мен-тером и Бассеттом [42—44]. Методика авторов позволила получить заранее заданную ориентацию двух монокристаллических пленок, каждая из которых имела толщину 200—300 А и приготовлялась напылением. Одним из кристаллов являлось золото, на котором в результате эпитаксиального роста образовывался второй слой, так что получалась система из двух наложенных и параллельно ориентированных кристаллов различных веществ со структурой одного типа, но различаюпщ-мися параметрами решетки. Это приводило к возникновению параллельных муаровых узоров, соответствующих рис. 47, а. [c.197]

Во всех случаях бьщи обнаружены муаровые узоры. Наиболее отчетливо они наблюдались для комбинаций золота с палладием и платиной в согласии с данными табл. 6. В качестве примера на фото 49 приведены муаровые узоры от слоя золото-палладий. Расстояния между муаровыми полосами для различных образцов обычно с точностью до 10% совпадали с расстояниями, вычисленными согласно уравнению (1). Однако в некоторых случаях наблюдались большие расхождения, выходящие за пределы ошибок опытов, что, вероятно, было обусловлено ненормальными межплоскостными расстояниями в тонких пленках. [c.198]

При изучении основных процессов переноса в водных биомолекулярных системах биологи исследовали гидраты с помощью методов электронной микроскопии и электронной дифракции. Они предлагают использовать гидраты в качестве основы для непосредственного изучения биологических систем в их нативном гидратном состоянии. Отмечая, что открытая структура воды способствует образованию клатратов, Фернандес-Моран [93] сообщил об исследованиях, которые позволяют представить структуру воды в виде клеточных составных частей с помощью локальных образований гидратов ксенона и аргона и муаровых узоров, проступающих через наложенные изоморфные кристаллы. В результате комбинирован- [c.144]

Рекомендуемая методика [1], предусматривающая использование двойного конденсора в электронном микроскопе, заключается в следующем. Прибор сначала юстируют так, чтобы в центре поля было освещено падающими электронами только очень маленькое пятно диаметром в несколько микронов. Это дает возможность сфокусировать микроскоп на испытываемом кристалле, который полностью теряет при этом всю свою кристалличность на пути луча за доли секунды и таким образом разрушается. Изменяя фокусировку с помощью конденсорной системы, освещают площадь диаметром около 50—100 мк, и как раз нри такой интенсивности пучка оказывается возможным наблюдать фигуру кристалла визуально после адаптации в темноте, однако удлинять время фокусировки и расфокусировки нельзя. Теперь можно передвинуть в освещенное поле неосвещавшийся до этого кристалл на несколько квадратиков сетки, и он может находиться в нем без заметного нарушения кристалличности приблизительно 30 сек, что позволяет сделать серию фотографий. Этот же или аналогичный метод можно применять и для изучения темнопольных изображений или муаровых узоров, обусловленных перекрыванием слоев кристаллов и связанных с когерентной дифракцией на кристаллической решетке. [c.434]

Геометрическая теория образования картин муара от совмещенных решеток предложена недавно Рангом [62]. Хотя полное понимание механизма образования муаровых узоров может быть достигнуто лишь в рамках динамической теории электронной дифракции, природа явления ясна из простого кинематического рассмотрения. При прохождении электронных волн через двуслойную кристаллическую пленку в плоскости изображения наблюдается интерференция пучка нулевого порядка и пучка, дважды продифрагировавшего на совмещенных решетках. [c.377]

Вращательные картины муара в электронном микроскопе впервые наблюдались Митсуиши, Нагасаки и Уеда [63] в результате случайно достигнутого благоприятного совмещения кристаллов графита, повернутых друг относительно друга. Впослед ствии вращательные муаровые узоры получены в ряде работ [64—71] для различных веществ. [c.380]

Картины муара свидетельствуют о значительных перспективах этого метода для изучения тонкой структуры пленок распределения и плотности дислокаций, определения вектора Бюргерса, движения дислокаций, поля напряжений около дислокационных линий и т. п. Другими приложениями является исследование процессов образования и роста зародышей при кристаллизации, в том числе образования окисных пленок, изучение процессов упорядочения и разупорядочения, определение строения границ зерен и блоков мозаики, доменной структуры, изучение тонкого механизма пластической деформации, осуществляемой прямо в микроскопе, и многие другие. Некоторые из этих задач уже изучаются, другие ждут своего решения. Кроме указанных приложений, большой интерес представляет использование муаровых узоров в качестве тестобъектов для определения [c.387]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология