Контакт двух полупроводников

В связи с этим при рассмотрении контакта металл—полупроводник следует различать два принципиально разных случая. [c.178]

Согласно сказанному в 26, следует ожидать, что при контакте полупроводника с металлом подавляющая часть контактной разности потенциалов распределяется в слое пространственного заряда полупроводника. При этом на границе раздела должны образоваться два последовательно расположенных потенциальных барьера—электростатический и начальный. Оказывается, что в некоторых частных, но важных случаях, на границе раздела возникает потенциальный барьер простейшей формы и вольт-амперная характеристика такого контакта соответствует вольт-амперным характеристикам р—р + (п—п ) или р—п(п—р) переходов. [c.178]

В 26 было показано, что на границе соприкосновения двух различных тел возникает электрический заряд, вызванный выравниванием электрохимических потенциалов электронов или ионов в соприкасающихся телах. Поверхность и объем одного и того же кристалла обладают неодинаковыми физико-химическими свойствами и могут поэтому рассматриваться как два находящихся в контакте разнородных тела. Ниже мы рассмотрим поверхностные свойства полупроводников на примере германия и кремния. [c.204]

Измерения электропроводности в ходе каталитической реакции позволили установить, что окись иттрия, плохой полупроводник, приближающийся скорее к диэлектрикам, в условиях катализа становится хорошо проводящим контактом. Так, электропроводность образца 2 в первые минуты подачи спирта при температуре каталитической реакции (300°) возрастает на два порядка. [c.190]

Мы приписываем указанные явления внешнему фотоэффекту с полупроводников, а не фотоэффекту с адсорбированных молекул, на том основании, что отрыв электронов с газообразных молекул требует энергии порядка 10 эв и невероятно, чтобы даже хемосорбция молекул на активном контакте могла снизить их энергию фотоионизации в два раза. [c.223]

Энергетический спектр электронов в полупроводнике не является сплошным верхний край валентной зоны и дно зоны проводимости разделяет запрещенная зона, в которой оказывается уровень Ферми (рис. 1.12). Последний (Ер) сдвинут к валентной зоне или зоне проводимости в зависимости от того, к р-или п-типу относится рассматриваемый полупроводниковый материал. Также, как и в случае гомогенного электронного обмена, для электродных реакций справедлив принцип Франка — Кондона, и теоретическое описание электродных процессов на металлах и полупроводниках базируется на том, что электронный обмен с наибольшей вероятностью происходит между электронными состояниями с одинаковой энергией, находящимися в разных фазах. Поэтому для раствора, содержащего компоненты редокс-системы, также рассматривается распределение электронов по энергетическим уровням, локализованным у Ох- и Red-формы (формально соответствуют зоне проводимости и валентной зоне). При равновесии полупроводника с раствором в реакции электронного обмена на контакте принимают участие уровни, расположенные в двух энергетических областях, поэтому, как изображено на рис. 1.12, возможны два разных по характеристикам процесса [c.65]

Контакт с электролитом в качестве генератора ЭДС. Из предыдущих рассуждений следует, что на границе раздела полупроводника или металла с электролитом происходит реакция окисления погруженного в раствор кристалла. Такая реакция, как мы уже видели, может протекать электрохимическим путем и состоять из двух стадий перехода электронов и перехода положительно заряженных ионов из кристалла в раствор. Отсюда следует, что через контакт полупроводника или металла с электролитом протекают два тока электронный и ионный. При стационарном процессе значения этих токов должны совпадать, так как в противном случае просиходило бы беспрерывное увеличение числа избыточных электрических зарядов на контактных поверхностях соприкасающихся тел. Из сказанного понятно, что электрохимическая реакция на границе раздела с электролитом может быть представлена эквивалентной схемой, изображенной на рис. 55. Символами и / + на этой схеме обозначены сопротивления контакта для электронов и положительных ионов, причем их величина зависит от скорости электронного и ионного обмена между соприкасающимися телами. Так как движение электронов и положительно заряженных ионов происходит в одном направлении (из кристалла в раствор), а заряды этих частиц противоположны, то сопротивления Гд и г включены между собой последовательно. Очевидно, что падение электрических потенциалов на этих сопротивлениях определяется следующими формулами [см. формулу (137)] [c.196]

По классификации, введенной Фарадеем, различают два типа проводников — ир0в0(3ны/сы первого и второго рода. Электрическую проводимость в проводниках 1-го рода (металлы, полупроводники) обеспечивают электроны, а в проводниках 2-го рода (растворы электролитов, расплавы, твердые электролиты, ионизированные газы)—ионы. Если электрическая цепь включает, по крайней мере, один проводник 2-го рода, то прохождение постоянного электрического тока — I = ад/сИ ( —время) — по этой цепи сопровождается электрохимическими реакциями на обоих проводниках 1-го рода, находящихся в контакте с проводником 2-го рода. Анодом будем называть проводник 1-го рода, на котором протекает электрохимическая реакция окисления, а сам проводник несет избыточный положительный заряд по отношению ко второму проводнику 1-го рода. Последний будем называть катодом-, на нем протекает электрохимическая реакция восстановления. [c.444]

Важнейшая область прикладной электрохимии — гальванотехника. Этим названием объединяются два направления гальваностегия — получение гальванических покрытий иа металлах и гальванопластика — электрохимическое получение точных металлических копий с рельефных поверхностей (Якоби). Сейчас гальваиоиластика находит применение для нанесения металлических рисунков на полупроводники и непроводящие материалы (например, в производстве печатных радиосхем для миниатюрных радиоирпемииков). Гальванические покрытия наносят для защиты металлов от коррозии, а также в декоративных и специальных целях (увеличение отрам<а-тельной способности волноводов и рефлекторов, уменьшение сопротивления электрических контактов и т. д.). Покрытие осуществляют электролизом растворов как с растворимым анодом (никелирование, кадмирование, цинкование, лужение, серебрение и др.), так и с нерастворимым (хромирование, золочение). Покрываемое изделие всегда является катодо . [c.264]

Как уже отмечалось выше, изолирующая пленка может быть получена непосредственно из самого полупроводника, что должно устранить вредную границу раздела. Такие структуры были получены на селениде цинка путем диффузии меди из контакта в монокристалл селенида цинка, а также прогревом в сероводороде [12]. В этом случае возможны два механизма инжекции туннелирование дырок из металла через тонкую изолирующую пленку или инжекция дырок из электронно-дырочной плазмы, созданной ударной ионизацией электронами, проникшими через изолирующий слой. Последний механизм обусловливает, видимо, интенсивную люминесценцию, наблюдавшуюся у теллурида цинка. Ватанабе [88] наблюдал красное свечение у катода (индий) в диоде, изготовленном из нелегированного теллурида цинка р-типа с контактами из индия и серебра. Возможно, что при вплавленин индия в p-ZnTe образовывался приконтактный непроводящий слой теллурида цинка. [c.48]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология