Точечные дефекты и дислокации

IV. 4.6. Точечные дефекты и дислокации [c.189]

Естественно, что вклад различных механизмов рассеяния в суммарное времй релаксации зависит от температуры кристалла. По мере изменения энергии носителей заряда роль одних механизмов рассеяния уменьшается, а других возрастает. Поэтому характер движения носителей заряда под действием внешнего поля зависит от того, какой из механизмов рассеяния является преобладающим в данном интервале температур. При очень низких температурах в выражении (391) можно учитывать только рассеяние на нейтральной примеси, точечных дефектах и дислокациях. С повышением температуры роль этих механизмов уменьшается по сравнению с рассеянием на ионах примеси. При высоких температурах доминирующим становится рассеяние на фононах. Поэтому можно считать, что подвижность носителей в зависимости от температуры, согласно формулам (446) и (448), будет определяться соотношением вида [c.251]

Удельное электросопротивление металлов р существенным образом зависит от концентрации дефектов кристаллического строения. Хорошо известно, что на величину р влияют точечные дефекты и дислокации. Однако влияние границ зерен на величину электросопротивления поликристаллических материалов исследовано весьма слабо. Подобные результаты могут быть получены исследованием зависимостей величины электросопротивления р от среднего размера зерен ё. В обычных поликристаллах с размером зерен в десятки и сотни микрометров эффект, связанный с границами зерен, мало существен в связи с невысокой протяженностью границ зерен в структуре. С другой, стороны, в случае наноструктурных металлов размер зерен становится соизмеримым с величиной свободного пробега электронов проводимости. В связи с этим проблема электросопротивления наноструктурных металлов приобретает большой интерес как с физической, так и с практической точек зрения. [c.162]

Монография посвящена современной физике кристаллической решетки. Дан детальный анализ классической и квантовой динамики идеального кристалла. Наряду с традиционными вопросами (спектр колебаний, представление о газе фононов и др.) изложены проблемы, мало освещенные в монографической литературе (колебания слоистых кристаллов, второй звук в кристаллах, теория квантовых кристаллов). Исследованы многообразные дефекты кристаллической решетки, дана их современная классификация. Описаны динамика и кинетика реального кристалла. Рассмотрена связь кинетики системы точечных дефектов и дислокаций с пластичностью кристаллов. [c.2]

Основными дефектами кристаллической решетки микроскопическая теория пластичности считает точечные дефекты (вакансии и междоузлия) и линейные дефекты (дислокации). При более грубом описании пластичности возникает необходимость рассматривать двумерные дефекты границы зерен и блоков, полосы скольжения, границы двойников, межфазные гра[шцы и тд. Механизмы перемещения точечных дефектов и дислокаций, а также процессы, происходящие на выделенных поверхностях, определяют кинетику пластического деформирования. Механизмы движения дефектов разного типа различны, и каждому из них посвящена обширная литература. Но для объяснения предмета данной книги достаточно проанализировать ситуацию с дислокациями. [c.10]

Наряду с точечными дефектами и дислокациями, т. е. нуль-мерными и одномерными дефектами (см. 57), [c.367]

Уменьшение дефектности при старении установлено для кристаллов с точечными дефектами и дислокациями, а также с трехмерными включениями небольшого размера [32—34]. Кинетика ликвидации дефектов и взаимосвязь этого процесса с поведением примеси изучены столь мало, что приходится остановиться лишь на ряде примеров перераспределения примеси при структурной перекристаллизации. [c.163]

В графите точечные дефекты и дислокации, по-видимому, об- [c.33]

Кристаллы с точечными дефектами и дислокациями Наличие макроскопической симметрии. Локальные нарушения трансляционной симметрии Щелочно-галоидные кристаллы [c.312]

В кристаллических телах хорошо изучены разнообразные нарушения структуры или дефекты. Нарушения структуры делятся па две основные категории — точечные дефекты и дислокации. В свою очередь точечные дефекты подразделяются на вакансии и атомы внедрения. Дислокации представляют собой объемные или линейные дефекты, при которых нарушения идеальной решетки распространяются на несколько межатомных [c.292]

Действительно, слоистое распределение примеси снижает степень очистки материала [96] и может приводить к увеличению плотности точечных дефектов и дислокаций в монокристаллах, а также к появлению в них блочности [97—99]. [c.95]

Для решения этих задач в последние годы особое внимание уделялось использованию образцов с контролируемым распределением однотипных дислокаций, анализу влияния температуры деформирования и последующего отжига, по-разному влияющих на состояние точечных дефектов и дислокаций, на макроскопический эффект, а также изучению локальных изменений различных физических свойств кристалла под воздействием индивидуальных дислокаций. [c.239]

Установленные в последние годы новые явления доказали цепной характер разложения ATM различными видами воздействия экспериментально установлены наличие предвзрывной проводимости и люминесценции, которые являются следствием размножения электронных возбуждений в ходе реакции [1] экспериментально и теоретически показано, что при определенных условиях реакция автолокализуется с образованием реакционной зоны, которая во внешнем поле может мигрировать по кристаллу с подвижностью электронных носителей в формировании реакционной зоны определяющую роль играют структурные дефекты кристаллической решетки (точечные дефекты и дислокации) и продукты реакции - малые кластеры металла после прекращения внешнего воздействия процессы в реакционной зоне продолжаются в течении длительного времени (несколько часов), имеют автоколебательный характер и могут быть либо затухающими, либо приводить к взрыву образца. [c.89]

Влияние ионной бомбардировки на структуру поверхности исследовано довольно подробно [19—29]. Прежде всего при указанной обработке устраняются такие особенности микрорельефа, как царапины, выступы и углубления, так что в относительно крупном масштабе поверхность становится более гладкой. Однако в атомном масштабе явно имеются шероховатость и другие виды нарушения структуры поверхности. Поверхность ноли-кристаллнческого образца из-за неодинаковой ориентации индивидуальных кристаллов слагается из различных граней. Поскольку скорость удаления металла зависит от индекса грани, с поверхности одних кристаллитов металл распыляется быстрее, чем с других, и между соседними кристаллитами образуются ступеньки. Кроме того, по границам зерен могут появляться углубления (канавки). После бомбардировки грань кристаллита, обращенная в газовую фазу, может стать иной, чем исходная, и этот эффект усиливается при условии наклонного падения ионного пучка. Все это увеличивает шероховатость поверхности. Если шероховатость поверхности необходимо свести к минимуму, предпочтительно ионный пучок направлять по нормали к поверхности. Если бомбардировке подвергаются монокристаллы, рассмотренные источники образования шероховатости отсутствуют, но нарушение структуры поверхности все же наблюдается. Нарушение структуры поверхности, вызываемое пучками с обычно применяемой для очистки энергией, состоит в образовании микрограней (фасеток) и микрокристаллитов, а также появлении на новерхности точечных дефектов и дислокаций. Этот вид нарушения структуры поверхности наблюдается и на каждой грани поликристаллического образца. [c.126]

Перемещение (диффузия) ионов в решетке кристалла происходит в основном по следующим направлениям а) из узла решетки в междуузлие б) из междуузлия в узел решетки с вытеснением из него в междуузлие находящегося. там иона в) из междуузлия в междуузлие г) из узла или междуузлия в вакантные пустоты, Разунорядоченность кристаллической решетки, наличие в ней точечных дефектов и дислокаций способствуют протеканию реакций в твердой фазе. [c.179]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология