Картины с лишними отражениями

Часто на дифракционной картине и.меются отражения кроме тех, которые можно было ожидать у исследуемого вещества. Такие лишние отражения могут возникать в основном благодаря примесям посторонних веществ. Дифракционные методы, вообще говоря, мало чувствительны к небольшим примесям иногда последние не обнаруживаются даже, когда они присутствуют в количестве 10% и даже более. Но в электронографии часто обнаруживаются даже совершенно ничтожные примеси. [c.96]

Картины с лишними отражениями [c.132]

Эти соображения о механизме роста кристаллов при электроосаждении подтверждаются и при изучении других поверхностных структур. Из рассмотрения электронограммы, приведенной на фото 44, следует, что кристаллы никеля ориентированы плоскостями (112) параллельно поверхности. На фото 57 в одинаковом масштабе приведена электронограмма, изображенная и на фото 44, и теоретически рассчитанная для ориентировки [112] (белые кружки — ожидаемые рефлексы, отрезками дуг для сопоставления изображена действительно наблюдавшаяся картина). Совпадение найденных и вычисленных отражений подтверждает правильность определения оси текстуры. Однако сразу же бросается в глаза наличие на электронограмме и одного лишнего отражения, указанного стрелкой. [c.121]

Наиболее часто встречается потребность в проведении фазового анализа. При фазовом анализе состав образца устанавливается путем сопоставления диффракционного спектра образца х известными диффракционными спектрами различных веществ. Для такого анализа рентгеносъемка проводится с помощью характеристического излучения. В случае анализа простых веществ, диффракционный спектр которых содержит сравнительно небольшое число линий, наличие в характеристическом спектре Ка-и /Ср -линий мало мешает проведению анализа, а в некоторых случаях даже помогает. В случае фазового анализа веществ, обладающих сложной диффракционной картиной с большим числом линий, наличие 8-излучения не желательно /Ср -излучение может быть ослаблено селективно поглощающим фильтром, но это вызывает увеличение экспозиции. Для фазового анализа многокомпонентных систем и смесей, содержащих поликристаллические вещества, требуется более строгое монохроматическое излучение, так как в этом случае мешает не только -излучение, но и белый спектр, создающий лишний фон на рентгенограмме. Кроме того, при многокомпонентных системах или анализе веществ со сходными диффракционными картинами для идентификации линий необходимо прецизионное определение углов отражения. [c.120]

Дифракционная картина с нормально расположенными линиями плп пятнами, характеризующимися целочпс.ч енными индексами, даже для чистых веществ иногда сопровождается появлением лишних рефлексов. Последнио соответствуют дробным индексам, поскольку располагаются в интервалах между двумя нормальными рефлексами. У чистых веществ отражения дробного порядка частично обусловлены образованием двойниковых структур при кристаллизации. В случаях же, рассматриваемых в этой главе, линейные отражения дробного порядка появляются в результате образования поверхпостпых структур при адсорбции посторонних веществ поверхностью металла и характеризуют этп структуры. Для краткости изложения мы сохраняем терминологию автора — отражения дробного порядка . — Прим. ред. [c.280]

Вероятно, первым теоретическим исследованием движения дислокаций была работа Сиггиа и Циппелиус [253]. Вопрос изучался и аналитически (на основании уравнения Нюэлла—Вайтхеда—Зегеля), и численно — интегрированием как полных уравнений приближения Буссинеска, так и уравнения НВЗ. Рассматривалась пара дислокаций, которая образуется на концах отрезка лишней пары валов, вклиненной в валиковую систему. Такая конфигурация получается, если дополнить картину, показанную на рис. 41, ее зеркальным отражением относительно верхней границы (и убрать пограничный слой, имеющийся у этой границы). Поскольку авторы пользовались амплитудным уравнением без учета вертикальной компоненты завихренности, результаты их анализа справедливы лишь в пределе Р оо. [c.150]

К таким же выводам приводит и электронографическое исследование [10] тонких пленок алюминия, полученных путем конденсации пара алюминия на тонкой пленке целлулоида или на слюдяной пластинке в условиях хорошего вакуума. В случае осаждения металла на целлулоиде электронографическая съемка по методу прохождения проводилась непосредственно после достаточно длительного (от одного дня до месяца) соприкосновения пленки с воздухом. Тонкие слои алюминия, полученные на слюде и обследованные по методу отражения, давали электронограммы исключительно от металла. Чтобы провести исследование этих слоев по методу прохождения, слюдяные пластинки вместе с пленками погружались в воду. При этом металлический слой отслаивался от слюды и плавал на новерхности воды. Прозрачные пленки иногда помещали на решетку с целлулоидной подкладкой, но основные опыты были проведены с пленками, свободно лежащими на решетке. При этом пришлось использовать решетки с очень малыми отверстиями (0,3—0,5 мм). Электронографичёские картины для этих образцов мало отличались от картин для алюминиевых слоев, конденсированных из пара непосредственно на целлулоидную подкладку. Даже для образцов, соприкасавшихся с воздухом в течение месяца, диффракционная картина не содержала колец, не относящихся к металлу. Таким образом, указания Штейнхейля о якобы защитных свойствах целлулоидной подкладки должны быть признаны необоснованными, так как и электронограммы от свободных от подкладки пленок конденсированного алюминия (но не травленого соляной кислотой и не соприкасавшегося с хлористым натрием) даже при лмесячной выдержке образцов на воздухе не содержали отражении окиси, описанных Штейнхейлем, Ряд образцов давал диффракционные картины, содерн ащие лишние (но сравнению с картиной для металла) кольца. Два из них, с й = 4,13 А и 3,72 А, интерпретировались как наиболее интенсивные линии жира , представляющего теперь общеизвестное загрязнение поверхностей и состоящего пз органических веществ с длинными углеводородными цепями. Одно четкое отражение с <1 =4,5 А, встречающееся очень часто, но слабое по интенсивности, иока не получило достаточно ясного толкования. Других лишних линий на этих электронограммах не обнаружено. [c.70]

При отражении электронов от полированной и электролитически осажденной меди, выдержанной в течение полусуток на воздухе, была получена диффракционная картина, свойственная куприту СнзО, постоянная решетки которого а =4,21 А [1]. Позже [2] было показано, что полированная медь дает электронограммы с широкими линиями, которые можно приписать куприту с постоянной решетки 4,16—4,23 А. После нагревания в воздухе при 100 и 183° линии на электронограмме становились тоньше, константа решетки была найдена равной 4,35 А, причем некоторые лишние линии остались необъяснен-ными. [c.93]

Для проверки достаточности чистоты проводившихся опытов в первую очередь была исследована тонкая пленка магния, конденсированная в вакууме на поверхность целлулоидной пленкиКак и следовало ожидать, на электронограмме получается картина металлического магния с совершенно беспорядочной ориентацией кристаллов (фото 58). Особенно хорошо заметны первые два кольца, соответствующие наиболее интенсивным отражениям 002 и 101 металлического магния с периодами 2,600 и 2,447 A. Достаточно хорошо можно видеть также и несколько внешних колец, которые имеют такую же ширину, как и первые два, и которые относятся к другим, хорошо известным отражениям магния. Однако рядом с указанными двумя главными кольцами можно заметить также и одно широкое, значительно более слабое кольцо. В этой области электронограммы никаких отражений у металлического магния быть не может, и поэтому данное кольцо приходится считать принадлежащим другой фазе, на что указывает и его особенная ширина. Пользуясь линиями магния как стандартом, можно найти для этого лишнего кольца период в 2,09 А, весьма близко совпадающий с периодом наиболее сильной линии окиси магния MgO. Это показывает, что предположение об аномальной решетке окиси на поверхности магния не обосновано. [c.126]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология