Взаимодействие между краевыми дислокациями

Рис. 51. Отталкивание (а) скользящего ряда дислокаций краевой дислокацией. Взаимодействие (б) между краевой дислокацией и скользящим рядом согласно схеме, приведенной на рис. 50, б.

Рис. 50. Взаимодействие между линейными рядами дислокаций и краевыми дислокациями.

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖДУ КРАЕВЫМИ ДИСЛОКАЦИЯМИ И ОБЫЧНЫМИ ЛИНЕЙНЫМИ РЯДАМИ ДИСЛОКАЦИЙ [c.68]

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ МЕЖДУ КРАЕВЫМИ ДИСЛОКАЦИЯМИ [c.71]

Взаимодействия между краевыми дислокациями аналогичны дислокационным петлям, которые рассматривались в разд. 12, н поэтому этот вопрос обсуждаться не будет. Единственное отличие обусловлено различием в длине вертикальной компоненты. [c.71]

Бюргерса Аа + оВ). Краевая дислокация может в этом случае иметь вектор Бюргерса с основными компонентами Ло, Ва и Са. Вначале рассмотрим случай, представленный на рис. 53, а. Краевая дислокация взаимодействует с двумя частичными дислокациями, и две частичные дислокации удерживаются на расстоянии благодаря наличию области отрицательной энергии дефекта упаковки и отталкивания между ними. На рис. 53, е [c.72]

На диффузию оказывают влияние не только группировки дислокаций, как это имеет место па границах зерен, но и отдельные дислокации. Можно ожидать взаимодействий между определенными дефектами структуры и диффундирующими атомами примеси. В зоне вдвинутой плоскости кристаллической решетки (случай краевой дислокации) решетка находится в состоянии избыточного гидростатического давления, тогда как с противоположной стороны плоскости скольжения имеется гидростатическое разрежение. Если кристалл находится при достаточно высоких температурах, когда подвижность элементов решетки довольно велика, атомы примеси с большим атомным радиусом, чем у атомов основного кристалла, перемещаются в область гидростатического разрежения, потому что благодаря этому достигается самое благоприятное распределение напряжений (рис. 11.6). [c.246]

Зависимость силы взаимодействия между параллельными краевыми дислокациями в параллельных плоскостях скольжения от расстояния между дислокациями для случаев [c.348]

Сила, действующая со стороны краевой дислокации на другую краевую дислокацию, расположенную в параллельной плоскости скольжения, вычисляется но формуле (5.8), если в нее подставить величину т из формулы (5.12). В системе координат, начало которой совмещено с первой дислокацией, а через х ж г/ обозначены координаты второй дислокации, компоненты и /у взаимодействия между параллельными краевыми дислокациями, рассчитанные на единицу длины дислокации, равны [c.348]

Как видно из этих формул, сила взаимодействия между параллельными краевыми дислокациями обратно пропорциональна расстоянию между ними. [c.348]

Введение в решетку совершенного кристалла любых точечных или атомных дефектов приводит к появлению вокруг этих дефектов некоторого поля упругих деформаций. Взаимодействие между полями упругих напряжений примесных атомов и дислокаций должно привести к установлению между ними некоторой связи. Вокруг краевой дислокации имеются области сжатия и растяжения. Если атом примеси, атомный радиус которого больше атомного радиуса основного вещества, переместится в область растяжения вблизи дислокации, то свободная энергия кристалла снизится за счет уменьшения величины упругой деформации, вносимой атомом примеси. То же самое относится и к атомам меньшего размера при их перемещении в область сжатия. [c.228]

Работы в этом направлении в последние годы ведутся достаточно интенсивно [188] и уже дали первые обнадеживающие результаты. Так, авторами работы [189] показано, что при выращивании монокристаллов Si образующиеся в результате пластической деформации скользящие 60-градусные дислокации могут взаимодействовать между собой с образованием сидячих краевых дислокаций с плоскостью скольжения (001) и вектором Бюргерса а/2 [110]. Учитывая малую подвижность таких дислокаций, при выращивании монокристаллов в направлении [110] удается сравнительно просто избавиться от дислокаций, беспорядочно расположенных в объеме, и сохранить сидячие краевые дислокации, ориентированные вдоль оси роста кристалла, практически по всей длине слитка. [c.105]

Мы используем термин субграница для границ между двумя частями одного и того же кристалла, отличающихся лишь слегка по ориентировке. Если эти две решетки совершенны, то, очевидно, будет иметь место эффект двухмерного нониуса или муарового шелка у поверхности их встречи. Вокруг определенных точек в обширном регулярном узоре атомные положения отвечают почти точно непрерывному переходу решетки от одной части к другой вдоль определенных линий между этими точками узоры совершенно не совпадают друг с другом. Так как межатомные силы, несомненно, стремятся сохранять регулярный узор решетки, эта конфигурация, которая могла бы существовать только в отсутствие сил, действующих на границе, будет преобразована в результате малых атомных смещений таким образом, что области с почти совершенным схождением решеток увеличатся в размерах, а ширина областей несхождения, где плотность энергии сравнительно велика, сократится. Дальнейшее уменьшение энергии могло бы происходить в результате поворота обеих решеток до полной параллельности, но этому могут воспрепятствовать натяжения на других поверхностях этих двух частей кристалла кроме того, если ось относительного поворота не является нормальной к поверхности их встречи, то поворот включает диффузионный перенос атомов на значительные расстояния и будет медленным. Узкие полосы не-схождепия решеток являются дислокациями, как это можно пока к-)ть. используя данное выше определение вектора Бургерса. Это приближение приводит к той же картине, как альтернативное, которое рассматривает квазиравновесные системы дислокаций, стянутых в поверхностные сетки в результате их упругих взаимодействий. Можно дать точное выражение для поверхностной плотности дислокаций на субгранице (определенной надлежащим путем) в терминах угла относительного поворота двух решеток и направления оси поворота [16]. Достаточно сказать здесь, что дислокации мощности Ь при расстоянии с1 между ними вызывают относительный поворот 6 порядка Ь/с1 радиан и что ось поворота, лежащая параллельно граничной поверхности, приводит к параллельным сеткам краевых дислокаций, тогда как компоненты вращения около оси, [c.24]

Если иа поверхность кристалла выходят несколько винтовых дислокаций, то рост на них может происходить независимо или в условиях их взаимодействия. Это определяется расстояниями между дислокациями и их векторами Бюргерса. Началом спирали роста, очевидно, может также быть и краевая дислокация. Так как ступень винтовой дислокации (рис. 4.7, а) имеет изломы, то адсорбированные частицы диффундируют к ступени, а затем к изломам, где встраиваются в рещетку кристалла. В результате ступень будет двигаться. Прямая ступень со временем искривляется, как это схематически изображено на рис. 4.7,6. Линия I отвечает началу роста конфигурации, изображенной на рис. 4.7, а (буквой А указан излом). В процессе роста ступень движется в направлении, показанном стрелкой, и приобретает конфигурацию, обозначенную линией 2. На последующих стадиях появляются конфигурации 3, 4 я 5. В конечном счете образуется спираль, близкая по форме к спирали Архимеда. Частицы присоединяются по всей длине ступени с одинаковой скоростью, однако угловая скорость спирали у центра наибольшая. [c.135]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология