Кристалл фигуры травления

В работах [5—8] было показано, что при травлении обычным кислотным травителем поверхностей полярных кристаллов фигуры травления появляются только на поверхности А (111). Для выявления фигур травления на поверхносги В (ill) необходимо подбирать специальный состав травите-ля [8]. [c.74]

При исследованиях в отраженном свете можно полнее и с большей объективностью, чем в проходящем свете, изучить кристаллическую структуру материалов. Это обусловлено тем, что в полированных шлифах просматриваются разрезы кристаллов, располагающиеся лишь в одной плоскости, тогда как в проходящем свете изучается слой материала толщиной до 300 мкм, в котором кристаллы часто накладываются друг на друга, в связи с чем возникают ошибки в определении границ зерен. В отраженном свете весьма отчетливо просматриваются плоскости двойникования, становятся контрастными края кристаллов и дефекты их поверхности и выявляется макроструктура зерен по фигурам травления. При применении косого освещения и проведения исследования в темном поле можно получить и некоторые дополнительные данные о строении отдельных кристаллов и зерен. В отраженном свете более точны и количественные определения содержания отдельных фаз. [c.118]

Исследования поликристаллических образцов меди и латуни [44, 51] позволили проверить влияние текстуры, т. е. ориентированного расположения кристаллов. Образцы, подвергнутые холодной деформации, имеют кристаллиты, в основном ориентированные в некотором определенном направлении. Исследование поверхности при помощи электронного микроскопа (Х 23000) через разное время электрополировки показывает глубокие фигуры травления, ориентированные в направлении прокатки. Образцы, прошедшие отжиг (лишенные [c.52]

Тем не менее однозначное определение точечной группы симметрии на более ранней стадии исследования облегчает задачу экспериментатора и поэтому всегда желательно. Обычно для этой цели, в дополнение к дифракционным данным, привлекаются результаты изучения тех или иных физических свойств кристалла внешней формы, фигур травления, пироэлектрических и пьезоэлектрических свойств, врашения плоскости поляризации лучей видимого света или некоторых других свойств [c.254]

Однако при тщательном выращивании кристалла могут развиваться дополнительные грани, которые дадут более определенные указания о кристаллографическом классе, и все Рис. 6-32. Фигуры травления же только в очень редких случаях поверхности кристаллов клас-образуются все наиболее важные грани. [c.241]

И все же следует подчеркнуть, что развитие граней у того или иного кристалла является определяющим фактором его симметрии. Кроме того, для опознавания какого-либо кристалла существенно, что не только его грани, но и все другие сведения о внешней симметрии и его свойствах определяют симметрию, характерную для этого кристалла. Симметрию кристалла помогают определить фигуры травления, рентгенограммы, а также изучение оптических, электрических, термических и других свойств кристалла, зависящих от внутренней структуры кристалла. [c.241]

Старейшим методом распознавания истинной симметрии кристалла является использование фигур травления. Если подействовать растворителем на грань кристалла, то она будет растворяться совершенно определенным образом, характерным для симметрии данного кристалла. На рис. 6-32 показаны фигуры травления, образующиеся на кубической грани кристалла классов тЗт и тЗ. По ним можно обнаружить соответственно оси 4-го и 2-го порядков. [c.241]

Итак, по морфологическим признакам кристаллы можно разделить на семь кристаллографических систем. До разработки метода дифракции рентгеновских лучей внутреннее строение кристалла, вообще говоря, нельзя было непосредственно наблюдать. Однако несмотря на ограниченность морфологических исследований на основании фигур травления, изучения оптических и других свойств представление о внутренней структуре уже было в основном разработано для большого числа кристаллов. [c.247]

Например, ось симметрии 2-го порядка возникает при помещении двух молекул вокруг каждого узла решетки, и хотя геометрия самой молекулы может быть полностью асимметричной, именно группировка из двух молекул около узла обусловливает наличие оси 2-го порядка. Если молекула сама имеет оси симметрии 2-го порядка, она может быть узлом в кристалле с такой же симметрией, но только когда она соответствующим образом ориентирована по отношению к ребрам элементарной ячейки. Ясно, что одна молекула не может быть узлом в решетке, принадлежащей кристаллографической системе с более высокой симметрией, нежели она сама. Поэтому именно в таких группировках структурных единиц вокруг узлов решетки нужно искать причину существования 32 кристаллографических классов. В зависимости от числа структурных единиц и их взаимного расположения может возникнуть симметрия более низкая, чем у кристалла нормального класса. Это благоприятствует развитию специфических граней, характерных для того или иного класса, и обусловливает характерную симметрию в фигурах травления, оптические свойства и т. д. [c.254]

Практически это значение определяется путем подсчета числа так называемых ямок травления, образующихся в точках выхода линии дислокации, например на поверхность кристалла при химической обработке этой поверхности подходящим реагентом (трави-телем). При такой обработке кристалла растворение вещества происходит повсеместно, однако избыточная энергия деформации вблизи дислокации приводит к более быстрому растворению вещества в этом месте, вызывая образование углубления (ямки) у выхода каждой линии дислокации. В результате этого на поверхности грани кристалла возникают так называемые фигуры травления. Число ямок на единице площади подсчитывается под микроскопом. [c.92]

Окислительно-восстановительные потенциалы также различны для разных граней кристаллов [17]. Кристаллическая ориентация зерен меди, бронзы и латуни может быть определена с помощью фигур травления, в тиосульфате натрия. Так, грани куба [1 О 0] не растравливаются или вытравливаются в виде квадратов, грани додекаэдра [110] дают при травлении параллельные линии, а грани октаэдра [1 1 1] — сетку [18]. [c.248]

Следует еще указать, что, изменяя интенсивность освещения,, удается заметить в кристалле ряд деталей, как, например, двойные контуры, фигуры травления и др. Изменение интенсивности освещения достигается изменением величины отверстия диафрагмы резкое очертание кристаллов в поле зрения наблюдается при уменьшенном отверстии диафрагмы. [c.30]

N1" — мелкие шестиугольники, прямоугольники, параллелограмы, часто с фигурами травления. Кристаллы обладают плеохроизмом желтый—зеленый—синеватый). [c.138]

Схематическая форма фигур травления на гранях кристаллов кварца (ср. с рис. 84) [c.96]

Фигуры травления на грани куба кристалла (класс тЗт) [c.96]

Раскалывание но спайности почти не искажает структуру приповерхностных слоев кристалла. Кристаллическая структура у плоскостей спайности всегда гораздо более совершенна, чем у шлифованных, распиленных или механически полированных плоскостей. Поэтому для измерения твердости, для наблюдения фигур травления (см. ниже), для наращивания тонких монокристальных слоев предпочитают использовать не механически обработанные поверхности, а свежие плоскости раскола по спайности. [c.303]

Вокруг дислокаций имеются упругие напряжения, в местах дислокаций скапливаются чужеродные атомы. Поэтому места выхода дислокаций на гговерхность кристалла легко травятся. По числу фигур травления можно подсчитать число дислокаций, выходящих на 1 см поверхности. В полупроводниках оно обычно меньше, чем в металлах, где плотность дислокаций даже в отожженных образцах достигает 10 см . Особыми методами научились получать монокристаллы с малым числом дислокаций (см. гл. X). [c.140]

Рис. 89. Диаграмма состояний ус- Рис. 90. Фигуры травления на пло-ловной системы Л—С скости (100) кристаллов ИАГ

Связь механизма растворения с энергетически выгодными то ками и узлами в кристаллической решетке полностью согласуете с обширными экспериментальными данными кристаллографии, иг копленными при изучении травления и растворения кристалло Известно, например, что растворение протекает более интенсивн у вершин и ребер, чем в серединах граней. Это доказывается тем что при растворении кристаллов получаются кривые поверхност -которые, пересекаясь между собой, образуют кривые ребра сложные фигуры растворения с закругленными вершинами. Поми МО того, грани кристалла при растворении теряют характер плос костей, покрываясь микроскопическими многогранными утлубле ниями — фигурами травления, и вследствие этого становятся ше роховатыми. Поэтому растворяемая кристаллическая грань пре вращается по существу в агрегат граней различного кристалле графического характера, что нивелирует разницу в скоростях рас творения отдельных граней кристалла, хотя известно, что скорост растворения зависит от направления, и иногда скорости растворе ния разных граней одного и того же кристалла различаются в не сколько раз. [c.76]

Для определения температуры насыщения порция раствора отбирается из кристаллизатора пипеткой и помещается в кювету. Пипетка должна быть сухой и предварительно нагретой. Рас-1 ор в кристаллизаторе должен быть перегрет на 5—10° С. Изменяя температуру в кювете, можно переходить от роста к растворению и обратно. Для роста характерна прямореберность, зеркальность граней, иногда видны центры роста для растворения — появление фигур травления, округление ребер, искривление граней, оплав-ленность кристалла. Иногда можно видеть движение слоев разрастание слоев при росте и отступание тех же слоев при растворении (Не путать Требуется навык ). Эта методика определения температуры насыщения наиболее чувствительна и довольно обычно дает вилку 0,05° С. Длительность определения при некотором навыке меньше, чем по предыдущему способу. [c.145]

Известные работы, разбирающие вопрос о скорости растворения граней кристаллов в их маточном растворе, не дали определенных результатов [2]. Одни исследователи нашли, что различные грани кристаллов растворяются с различными скоростями, другие —что скорость растворения различных граней в их маточном растворе одинакова. Например, Г. В. Вульф [3] для кристаллов Fe NH4][S04]2 6H20 показал, что в пределах точности измерений скорости растворения различных граней кристаллов одинаковы, тогда как скорости роста разных граней сильно отличаются друг от друга. Несколько работ, проведенных с целью выявления анизотропии скорости растворения кристаллов щелочногалоидных солей в воде [4, 5], не дали положительных результатов. В то же время имеются многочисленные доказательства того, что отделение частиц, вызываемое растворителем, происходит по одним направлениям легче, а следовательно, и скорее, чем по другим. Например, при опускании кристалла Na l в раствор метилового спирта можно наблюдать появление фигур травления на гранях куба в виде квадратных пирамидок, обращенных вершинами в глубь кристалла [2]. Аналогичные квадратики наблюдаются на поверхности кристаллов щелочногалоидных солей при их травлении с целью выявления дислокаций. П. Грот [6] наблюдал появление на кристаллах под воздействием тонкой струи воды угловатого углубления, имеющего определенный вид и определенное положение, однако эти наблюдения не были подтверждены опытами В. Д. Кузнецова [2]. [c.179]

На рис. 89 и 90 речь идет о гранях , являющихся гранями тпригоналъной бипирамиды. По ним кристаллы лёвого и правого кварца можно различить лишь в том случае, если они заштрихованы, как на приведенных рисуннах. Если в кристалле хорошо выражены грани трапецоэдра, то левый и правый кварц легче всего различить но ним. Если отсутствуют такого типа грани, то, помимо определения оптической вращательной способности, левый и правый кварц можно различать еще на основании фигур травления, образующихся при обработке кварца плавиковой кислотой. [c.529]

Если считать, что центрами образования ямок травления во время окисления могут быть только групповые или одиночные вакансии, то при окислении двух плоскостей сколотого кристалла нельзя ожидать соответствия в распределении ямок, пока петли вакансий имеют заметную тенденцию группироваться одна под другой на расстояниях нескольких слоев [37, 95]. Б основном эти расстояния при сколе и последующем окислении очень мало или вообще не соответствуют рисункам травления на каждой из плоскостей. Однако на основании этого нельзя сделать вывода, что одиночные дислокации по осям с, если таковые имеются, не являются инициаторами образования ямок травления. Так как разрушение кристалла преимущественно происходит по плоскостям с большим числом двойниковых окончаний (т. е. по трещинам), то вероятно, что линии дислокаций, не лежащие в базисной плоскости, не будут пересекать таких границ или микротрещин это означает, что небазисные дпслокации в подобных местах обрываются. (В связи с этим необходимо вспомнить замечание Хенига [33] о том, что с-осевые винтовые дислокации начинаются и оканчиваются, очевидно, на трещинах раскола, поскольку топологически невозможно существование дислокаций, оканчивающихся внутри любого кристалла, в том числе и графита.) Таким образом, слабое совпадение (или отсутствие совпадения) фигур травления на соответствующих [c.165]

Li htertrag п световая отдача, светоотдача Li htfiguren / pl световые фигуры (на поверхностях некоторых кристаллов, подвергшихся травлению) [c.417]

Исследование развития внешних граней отвечает часто на все вопросы в результате гониометрических измерений можно обнаружить полярный характер симметрии и отсутствие плоскост,ей симметрии. Но как уже отмечалось в первой части, симметрия внешней формы может оказаться и завышенной. Если по внешней форме кристалл может быть отнесен к голоэдрической симметрии, то это еше не означает, что такова же симметрия в расположении атомов. Проверить это можно, например, при помощи фигур травления на гранях кристалла. [c.255]

Рис. 3. Типичный пример фигур травления, образованных в местах выхода линий дислокаций. Эта интерференционная картина грани (100) кристалла кальцита получена в лучах натрия после того, как поверхность была подвергнута действию водного раствора й-виниой кислоты в течение 30 сек. Плотность дислокаций составляет около 10 см .

Значение г обычно берется кратным нескольким величинам вектора Бургерса. Именно эта энергия дислокации (которая может составлять несколько электронвольт на атомную плоскость, пересекаемую дислокацией) и ответственна за образование ярко выраженных фигур травления при течении химических реакций в точках выхода линий дислокаций. На микрофотографии, показанной на рис. 3, видно как легко с помощью метода травления можно реально оценить число линий дислокаций, пересекающих данную поверхность кристалла. Более надежные результаты измерения количества дислокаций получаются при использовании методов просвечивающей электронной микроскопии, рентгеноскопии, дифракции рентгеновских лучей и методов декорирования . (Более подробно см. [14 и 15].) [c.214]

В некоторых случаях окраска кристаллов служит признаком их разложения например, кристаллы хлористого серебра Ag l на свету постепенно приобретают фиолетовую окраску. Некоторые кристаллы по-разному окрашены в проходящем и отраженном свете. Так, кристаллы тетрароданомеркуриата цинка Zn[Hg( N)4l в проходящем свете кажутся черными, в отраженном — белыми кристаллы иодида свинца PbJ2 в проходящем свете желтые, в отраженном свете окрашены в радужные цвета. Меняя интенсивность освещения, можно заметить различные детали поверхности кристаллов например, некоторые кристаллы имеют двойные контуры, у других на поверхности наблюдаются фигуры травления. [c.142]

Выявление дефектов решетки производилось методом химического травления. По форме и расположению фигур травления можно было судить о типе дефектов дислокация, сегрегация примесей, блочность кристалла и т. д. Интерпретация картины травления осложнялась из-за неопределенной кристаллографической ориентации кристаллов. Полученные результаты, в случае твердых растворов трехкальциевого силиката, носили. таишь качественный характер. Тем не менее электронпоми-кроскопическая картина позволила охарактеризовать своеобразие внутренней структуры твердого раствора. [c.73]

Выделяется К2[Р1С1е] в виде блестящих, сильно преломляющих свет лимонножелтых октаэдров и комбинаций куб с октаэдром (рис. 24). Концентрированные растворы солей К, а также присутствие большого количества свободной минеральной кислоты понижают чувствительность реакции, так как получаются мелкие кристаллы, часто неправильной формы, с фигурами травления, или дендриты. [c.72]

Изучение фигур травления, получающихся на кристаллах высокотемпературной и низкотемпературной модификаций кварца, показало, что я-форме свойственна гексагонально-трапецоэдри-ческая, а -форме—тригопально-трапецоэдрическая симметрия. [c.240]

Истинная симметрия кристалла наглядно видна и по фигурам травления, т. е. небольшим ямкам, котор1ле образуются на грани кристалла под действием специально подобранных активных растворителей. Травление происходит локально именно в областях дефектов структуры кристалла (см. 63). [c.96]

Травитель растворяет грань кристалла неравномерно из-за анизотропии скоростей растворения. Симметрия фигуры травления отвечает симметрии грани, поэтому по форме фигуры можно определять симметрию кристалла. На рис. 88 и 89, где схематически показаны идеализированные формы фигур травления, видно, что фигуры травления действительно дают возможность установить симметрию кристалла. На гранях кубов разных классов симметрия фигуры травления выявляет истинную симметрию грани (рис. 90). Такие же различия видны и в кристаллах других 1 атегори11. [c.96]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология