Точечные дефекты в полупроводниковых соединениях

Различные структурные дефекты решетки избыточные атомы в междоузлиях, вакансии, дислокации, границы кристалла, оказывают значительное влияние на структурно-чувствительные свойства полупроводников. Многие полупроводниковые соединения являются фазами переменного состава с более или менее широкой областью существования. Свойства таких соединений определяются главным образом природой и концентрацией точечных дефектов. Управление структурно-чувствительными свойствами материалов сводится к выбору методов и установлению условий, обеспечивающих возможность контролируемого введения дефектов определенного типа в решетку кристалла либо в процессе его выращивания, либо при его последующих обработках. Однако для этого необходимо предварительно установить характер и степень изменения физических свойств при введении в решетку кристалла дефектов определенного типа (например, примесей) в зависимости от их концентрации. Сложность этой задачи заключается в том, что лишь в исключительных случаях удается изготовить кристалл, содержащий дефекты только [c.8]

Мы не будем здесь касаться вопроса о различных методах определения доминирующего в данном кристалле типа нестехиометрии, однако сделаем два замечания. Во-первых, отклонение от идеального значения отношения, выражающего состав соединения, нередко столь мало, что способность вещества проявлять полупроводниковые свойства часто служит единственным критерием, позволяющим судить о наличии нестехиометрического соотношения. Во-вторых, на концентрацию различных точечных дефектов, вызываемую нестехиометрическим составом, накладывается небольшой для большинства используемых температур вклад (которым обычно пренебрегают) от дефектов Френкеля и Шоттки (см. разд. 5.2.3.1). [c.220]

Природа собственных ионных дефектов в ионных кристаллах в принципе не отличается от природы атомных дефектов в интерметаллических или полупроводниковых соединениях. Основными точечными дефектами в ионных кристаллах являются ионные вакансии и междуузельные ионы, отличающиеся от соответствующих атомных дефектов в неионных кристаллах лишь тем, что в основном энергетическом состоянии они заряжены. [c.131]

ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЯХ [c.194]

Ввиду того что точечные дефекты в кристаллах могут играть роль доноров или акцепторов, а отклонения от стехиометрии соответствуют повышению концентрации донорного или акцепторного дефекта, вопрос управления типом и величиной проводимости чистых полупроводниковых соединений может быть сведен к построению графика зависимости концентрации свободных носителей от условий, при которых обрабатывается или изготовляется кристалл. Отклонение от стехиометрии вызывает появление в каждом данном материале дефектов определенного типа, характеризуемых соответствующими энергиями ионизации. Концентрация же нейтральных дефектов, определяющих отклонение от стехиометрии, задается парциальными давлениями компонентов в паровой фазе, с которой взаимодействует кристалл, и температурой обработки. Следовательно, в качестве независимых переменных можно принять парциальное давление паров наиболее летучего компонента и температуру обработки кристалла. В качестве исследуемой величины возьмем концентрацию носителей, определяемую по измерениям эффекта Холла. Эксперименталь- [c.206]

Гораздо сложнее задача управления концентрацией точечных структурных дефектов в кристаллах полупроводниковых соединений переменного состава, обладающих определен- [c.92]

В элементарных полупроводниках основную роль играют точечные дефекты типа примесных атомов. В полупроводниковых соединениях, которые в принципе являются фазами переменного состава, первостепенное значение имеют точечные дефекты типа вакансий (нарушение стехиометрии). Они, как правило, определяют структурно-чувствительные электрофизические и физико-химические свойства полупроводящего вещества. В частности, дефекты Шотткн могут быть не только структурным несовершенством в кристаллах полупроводникового соединения, но н функционировать как электрически активные центры, выполняя функцию оноров или акцепторов. [c.50]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология