Кристалл дефекты решеток

Однако и до такого сжатия периодическая коллоидная структура обычно находится в состоянии только временного равновесия. Время от времени то одна, то другая частица перескакивает из положения равновесия в узле квази-кристаллической решётки в ближайшую потенциальную яму. Возникающие дефекты квазикристаллической решетки множатся необратимо и не могут залечиваться . Таким образом, в отличие от кристаллов, периодические коллоидные структуры находятся часто не в состоянии термодинамического равновесия, а [c.319]

В вопросе о приуроченности атомов активатора к дефектам решётки и об ограниченном числе мест для них в кристалле большой интерес представляют наблюдения над антагонистическим поведением серебра и меди в сульфиде цинка [232]. Серебро не вступает в решётку активированного медью сульфида и даже наоборот, присутствующее серебро может быть вытеснено из решётки избытком меди. Оба металла, как полагают, не образуют твёрдых растворов с сульфидом цинка. Антагонизм отсутствует между серебром и марганцем, с одной стороны, и марганцем и медью, с другой. Сульфид марганца полностью изоморфен с сульфидом цинка атомы марганца, вступая в решётку на правах изоморфных заместителей, не занимают возможных мест серебра или меди. Также могут быть интерпретированы некоторые случаи двукратной активации другими металлами и опыты по влиянию условий термической обработки на люминесцентные свойства фосфоров. [c.274]

Атомы активатора, вступая в решётку, вызывают в ней многочисленные нарушения при распределении по уже существующему кристаллу они концентрируются, естественно, в местах наметившихся дефектов. Такая приуроченность чуждых атомов к местам нарушения понятна в случае активации готовых кристаллических соединений. В обычных условиях работы, когда диффузия активатора [c.273]

Изучение этих процессов производилось главным образом с помощью рентгеноструктурного анализа. Кроме того, применялся также предложенный Ханом, ) радиоактивный метод, по которому в исследуемый кристалл вводится присадка атомов радиоактивного вещества. Продукты радиоактивного распада этого вещества могут диффундировать наружу лишь в известной степени, зависящей от возможности диффузии радиоактивных продуктов, т. е. как от размеров кристаллов, так и от числа дефектов в кристаллической решётке. Следовательно, измеряя степень радиоактивности обычными методами, можно судить [c.411]

Помимо типа и параметров решётки, существенное влияние на люминесцентные свойства оказывает степень совершенства самой структуры. Увеличение размера кристаллов до известных пределов влечёт за собой увеличение люминесцентной способности и, в частности, фосфоресценции. Необходимо при этом учитывать, что рост кристаллов обусловлен обыкновенно термической обработкой. Последняя систематически уменьшает поликристалличность материала, но скорее увеличивает число дефектов решётки. Эти дефекты, представляющие собой чисто локальные нарушения структуры и состава, могут быть вызваны различными-причинами. Помимо намеренно вносимых загрязняющих примесей, нарушения обусловливаются, например, ослаблением связи или ошибочным расположением элементов самого кристалла в решетке. Независимо от природы, места нарушений оказывают существенное влияние на ход люминесценции, так как искажают нормальное периодическое поле кристалла и служат местами для выделения и фиксации свободных электронов. Они оказываются также непроходимым барьером для резонансных процессов, которые принимают широкое участие в транспортировке энергии по кристаллу. [c.272]

Основываясь на данных рентгеноструктурного и электронно-графического анализов, Ю. М. Бутт с сотрудниками 1119[ считает, что в объеме цементного камня раздельно существуют два вида кристаллических каркасов — гидросиликатнЫи"11 гидроалюминатный. Кроме них в структуре распределено большое количество индивидуальных кристаллов гидратов и их агрегатов, которые удерживаются механическими силами сцепления. Механизм срастания структурноподобных гидратов друг с другом описан ими следующим образом. В узком зазоре между сблизившимися (в результате броуновского движения) кристаллами возрастает концентрация вовлеченного раствора, а затем начинается процесс его кристаллизации. Вновь образующийся кристаллик на поверхности кристалла, возникшего ранее, растет в направлении, параллельном поверхности другого, достигает ее и срастается. Выделяющееся при этом тепло расходуется на восполнение убыли концентрации путем перехода в растворенное состояние части поверхностных слоев срастающихся кристаллов. Вследствие переотложения вещества зарастает зазор между сблизившимися частицами. Строение кристаллической решётки шва аналогично строению решеток срастающихся кристаллов, и его прочность может превышать прочность самих кристаллов. Интересно, что несколько ранее М. И. Стрелков [104] предполагал, что сращивание кристаллов протекает после окончания их роста, срастание кристаллогидратов происходит (после их сближения силами диспергационного давления) при помощи пересыщенного в узком зазоре между поверхностями кристаллов раствора подобно залечиванию дефектов в крупных кристаллах. [c.39]

Однако самым замечательным свойством графика является наличие на нем запрещенной области частот (ю , Од) или квазищгли. При с Со новая предельная частота о = < + с Ат1т) удалена от частоты со на расстояние, значительно превосходящее концентрационное уширение квазилокальной частоты бсо Частота соо играет роль предельной частоты оптических колебаний (колебаний системы примесей относительно кристаллической решётки). Поэтому можно говорить о наличии двух ветвей спектра длинноволновых колебаний в кристалле с большой концентрацией дефектов (Л. М. Косевич, 1965 Л. Л. Слуцкин, Г. Г. Сергеева, 1966). [c.235]

Изотопическая разупорядоченность решётки. Изотопический беспорядок в кристаллической решётке существенно уменьшает фононную теплопроводность диэлектриков и полупроводников, если они достаточно чисты химически и совершенны структурно. Этот эффект был предсказан И.Я. По-меранчуком [145] в 1942 г. Изотопы, хаотично распределённые в решётке кристалла, в большинстве случаев представляют собой точечные дефекты, т.е. дефекты, размер которых много меньше длины волны тепловых фононов, доминирующих в теплопереносе. Эти дефекты вызывают упругое рассеяние фононов рэлеевского типа. На основе теории возмущений И. Я. Померанчук рассчитал рассеяние фононов, вызываемое различием масс изотопов, и нашёл, что его скорость пропорциональна квадрату разности масс. [c.80]

Неквантовые кристаллы. В неквантовых кристаллах эффекты, связанные с деформацией решётки вблизи изотопической примеси, практически не дают заметного вклада в тепловое сопротивление. Первые эксперименты с контролируемым изменением изотопического состава кристаллов сделали Р. Берман с коллегами [167] на фториде лития (LiF). Полученные данные анализировались в работе [168] в рамках упрощённой модели Каллауэя. Удовлетворительное согласие было получено лишь при выборе значения параметра изотопического беспорядка в 5 раз больше, чем расчётное значение. Позже были проведены измерения на целом ряде образцов LiF с различным содержанием изотопов лития Li и Li от 0,01 % до 50% в широком интервале температур от 1 до 300 К [169]. Эти эксперименты показали в частности, что в области максимума теплопроводность изотонически и химически очень чистых кристаллов резко изменяется с концентрацией точечных дефектов. Этот результат был подтверждён в работе [170]. Такое поведение очень чистых кристаллов связано с особой ролью так называемых нормальных трёхфононных процессов рассеяния, которые не меняют суммарного квазиимпульса фононной подсистемы. Роль нормальных процессов в связи с изотопическим рассеянием фононов обсуждали также B. . Оскотский с коллегами в работе [171] при анализе своих экспериментальных данных по теплопроводности монокристаллов теллура. Они провели измерения я Т) для кристаллов с двумя различными изотопическими составами — природный состав и обогащённый до 92% по изотопу Те. Было найдено, что в области [c.82]

Эта электропроводность обусловлена наличием дефектов в кристалле. Всякое локальное нарушение периодической структуры решётки приводит к появлению в зонной схеме дискретных электронных уровней (Вильсон). Эти дискретные (локальные) уровни в общем случае располагаются между потолком Гюследней заполненной (валентной зоны) и дном первой пустой зоны (зоны проводимости). Допустим, что при низких температурах локальнее уровни заполнены, [c.119]

Новым в квантовой теории будет лишь определение длины свободного пути при помощи скорости электронных волн ( 4) р решётае кристалла, возможность распространения которых обусловлена в этой теории (см. работы Влоха [267] и Пейерлса [268]), В идеальной кристаллической решётке при Г =в О это распространение происходит совершенно без помех, аналогично распространению света в прозрачном -кристалле и, следовательно, длины свободного пробега и проводимость в этом случае бесконечно веляки. Лишь дефекты в решётке, в виде включений атомов примеси и тепловых колебаний, мешают распространению электронных волн, вызывая, таким образом, конечную длину свободного пути и конечную проводимость. В частности, таким образом, усиливающимися с температурой тепловыми колебаниями объясняется экспериментально наблю------,, . [c.284]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология