Легирование полупроводниковых материалов

Применение белого фосфора ограничено в связи с его ядовитостью. Красный фосфор применяется в военном деле для снаряжения зажигательных и дымовых снарядов, бомб. Много его потребляется в спичечном производстве. В металлургии используется для легирования полупроводниковых материалов. [c.171]

Для сравнительно легкоплавких алмазоподобных соединений, например антимонидов индия и галлия, синтез не представляет каких-либо затруднений они получаются одним из наиболее распространенных методов — сплавлением компонентов в эвакуированных и запаянных кварцевых ампулах в обыч- юй печи [96]. Наиболее сложными этапами являются очистка исходных веществ, дальнейшая очистка соединений и получение их в монокристаллическом состоянии. Весьма тонкой задачей является легирование полупроводниковых материалов и в связи с этим вопросы гомогенизации. [c.85]

Разработана различная аппаратура для получения этим методом металлических, окисных, полупроводниковых и эпитаксиальных слоев, а также для осуществления легирования полупроводниковых материалов. Ряд изделий, получаемых термическим разложением МОС в паровой фазе, уже освоен в промышленности. Учитывая преимущества этого метода и его возможности, следует уже в ближайшие годы ожидать широкого внедрения в промышленность, и в частности в электронику, метода термического разложения МОС в паровой фазе. [c.183]

Фосфор — более активный элемент, чем азот он легко соединяется с кислородом, серой, галогенами и многими металлами. Соединения фосфора с металлами называются фосфидами. Они имеют практическое применение в осветительных составах (MgsPj, ZnaPa и др.) и как средство для борьбы с вредителями сельского хозяйства. Фосфор используется в спичечном производстве, в металлургии для получения и легирования полупроводниковых материалов, в химической промышленности. [c.134]

Испаритель. В значительной мере равномерность, однородность, а также скорость роста покрытия определяются характером и способом подачи паров МОС из испарителя. В общем, вводить твердые пли жидкие исходные вещества в газ-носитель можно путем испарения их из какой-либо емкости или испарителя типа барботера. В тех же случаях, когда требуется заданная толщина покрытия или при осаждении сплавов и соединений определенного состава путем одновременного разложения двух или более соединений, а также при проведении легирования полупроводниковых материалов в паровой фазе необходим тщательный контроль скорости испарения исходных МОС. Конструкции испарителей подробно рассмотрены в [8]. [c.189]

Легирование полупроводниковых материалов [c.416]

Рассмотренный метод легирования полупроводниковых материалов был применен в технологии изготовления интегральных матриц, содержащих шесть транзисторов и шесть диодов [101]. Глубина залегания эмиттерного перехода составляла 1,5 мкм, ширина базы 0,5 мкм, в коллекторной области имелся слой п+ толщиной 8 мкм. [c.425]

Па. Во время работы с фосфором и его соединениями (особенно фосфорорганическими) требуется соблюдение особых правил безопасности. Ф. применяется в военном деле для снаряжения зажигательных и дымовых снарядов, бомб в спичечной промышленности, в металлургии для получения и легирования полупроводниковых материалов, сталей, бронзы. Большая часть вырабатываемого Ф. расходуется для получения производных фосфорной кислоты концентрированных удобрений, реактивов для пропитки тканей, пластмасс, древесины, для придания им огнестойкости для получения буровых жидкостей, зубной пасты, пищевых и фармацевтических препаратов. Пентоксид Ф. применяют для тонкой осушки газов, сульфиды Ф. применяют как флотореа-генты, антикоррозионные добавки к маслам и горючему, в производстве фосфорорганических инсектицидов (тиофоса, карбофоса и др.). [c.265]

Применение брома, иода и их соединений. Бром применяется для получения бромидов, красителей, фармацевтических препаратов. Иод используется для осуществления транспортных реакций с целью получения веществ высокой степени чистоты. Наиболее распространено иодидное рафинирование титана, циркония и других тугоплавких металлов. Кроме того, иод — катализатор в органическом синтезе и антисептик в медицине. Бромид бора используется для легирования полупроводниковых материалов для придания им р-проводимости. Бромид серебра — основной компонент светочувствительного слоя фотобумаги, кино- и фотопленки. Иодид серебра — компонент иодобромосеребряных фотобумаг, материал для влектрохимических преобразователей, твердых электролитов. " [c.371]

Бор, его соединения и сплавы. К,, 1960. П. М. Федоров, БОРА БРОМИД ВВг,, —45,84 °С, Ik .. 89,8 С плотн. 2,69 г/см (15 С) дымит на воздухе быстро разлаг. водой и спиртами, смешивается с углеводородами и их галогенопроизводными. Получ. взаимод. В с Вга. Примен. для легирования полупроводниковых материалов кат. в орг. синтезе. [c.79]

Белый фосфор ядовит примерно 0,1 г его могут вызвать летальный исход. Фосфор находит все более широкое применение по мере развития цив глизации. Так, спичечное производство стало возможным благодаря применению фосфора. В военном деле нашли значительное, к сожалению, употребление зажигательные, дымовые н отравляющие вещества на основе соединений фосфора. Современная электроника использует соединения этого элемента для легирования полупроводниковых материалов. Более половины мирового производства технического фосфора идет на выработку синтетических моющих средств. [c.263]

Для получения пленок металлов или их соединений, а также для легирования полупроводниковых материалов используются следующие типы МОС ал-кильные и арильные производные металлов, алкоголяты и ацетилацетонаты, карбонилы, циклопентадиеповые, ареновые, аренкарбонильные и некоторые другие типы соединений. Методы получения этих соединений подробно изложены в ряде монографий [1—7]. [c.183]

Диэлектрические пленки находят широкое применение в электронике. Они используются для пассивации поверхности и стабилизации параметров полупроводниковых приборов, в качестве маскирующих покрытий в процессах легирования полупроводниковых материалов, а также в качество диэлектрических слоев при создании пленочных конденсаторов, изолирующих слоев при создании многослойных структур. Окислы в виде сплошных равномерных пленок могут быть осаждены из паровой фазы в результате разложения паров таких МОС, как алкоголяты, карбокенлаты, феноляты и ацетил ацстона-ты металлов. [c.311]

Интересные возможности для легирования полупроводниковых материалов открываются в связи с разработкой метода получения слоев двуокиси кремния, содержащих диффузант, осаждением из растворов [95 — 98]. Метод заключается в том, что в смесь эфира ортокремпиевой кислоты (тетраэт-оксисилап), воды и органического растворителя вводится вещество-диффузант, которое одновременно является катализатором процесса гидролиза и конденсации тетраэтоксисилана. Протекание этих процессов приводит к появ- [c.424]

АйрапетянцС. В., Шмелев Г. И. Метод выращивания однородных монокристаллов легированных полупроводниковых материалов, твердых растворов и интерметаллических соединений определенного состава, задаваемого составом расплава. — ФТТ, 1960, т. 2, № 4, с. 747. [c.259]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология