Алмазоподобные соединения

Многие алмазоподобные соединения — полупроводники. Они представляют большой интерес как материал для выпрямителей переменного тока, усилителей, фотоэлементов, датчиков термоэлектрических генераторов и др. Многие из них успешно конкурируют с полупроводниковыми германием и кремнием. [c.543]

Алмазоподобные соединения, состоящие из двух видов атомов, не могут образовывать чисто ковалентные кристаллы, так как из-за разности электроотрицательностей атомов компонентов в ряде свойств всегда появляется ионная компонента связи. [c.69]

СКОРОСТЬ РАСПРОСТРАНЕНИЯ УЛЬТРАЗВУКА И ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКАЯ ТЕМПЕРАТУРА АЛМАЗОПОДОБНЫХ СОЕДИНЕНИЙ ТИПА А В Сг [c.427]

Многие алмазоподобные соединения — л, полупроводники. Они представляют большой интерес как материал для выпрямителей переменного токае усилителей, фотоэлементов, датчиков термоэлектрических генераторов и др. [c.509]

В настоящей книге рассмотрены материалы, имеющие наибольшее практическое значение и наиболее перспективные. Большинство изученных материалов представляет собой бинарные соединения, которые характеризуются тетраэдрической координацией атомов и кристаллизуются в решетках типа сфалерита или вюрцита. Поэтому ограничимся предопределением состава алмазоподобных соединений. [c.56]

Скорость распространения ультразвука и характеристическая температура алмазоподобных соединений типа А В Сг [c.521]

Удельная теплоемкость ряда тройных алмазоподобных соединений [c.315]

Кристаллическая структура всех алмазоподобных соединений в настоящее время исследована, с большой точностью определены периоды идентичности. Для некоторых из этих соединений установлено существование вторых модификаций (см. табл. 3) иногда вторые модификации существуют только в тонких слоях. [c.81]

Для сравнительно легкоплавких алмазоподобных соединений, например антимонидов индия и галлия, синтез не представляет каких-либо затруднений они получаются одним из наиболее распространенных методов — сплавлением компонентов в эвакуированных и запаянных кварцевых ампулах в обыч- юй печи [96]. Наиболее сложными этапами являются очистка исходных веществ, дальнейшая очистка соединений и получение их в монокристаллическом состоянии. Весьма тонкой задачей является легирование полупроводниковых материалов и в связи с этим вопросы гомогенизации. [c.85]

Галлий и индий образуют с р-элементами V группы периодической системы бинарные соединения типа А" (например, ОаР, ОаАз, 1п5Ь и др.). В преобладающем большинстве соединений типа А" В электронные орбитали р -гибридизованны кристаллические решетки этих соединений имеют структуру, характеризующуюся тетраэдрическим расположением химических связей. Многие из этих алмазоподобных соединений — полупроводники. Их используют как материал для выпрямителей переменного тока, датчиков, термоэлектрических генераторов и др. [c.270]

В алмазоподобных соединениях, характеризуемых малым координационным числом, возможность появления атомов в междоузлиях почти так же вероятна, как и образование вакансий, что подтверждается большим числом соединений с дефектами Френкеля. [c.198]

Алмазоподобные соединения. Адамантан, или трицикло[3,3,1,1 ] декан, молекулярная структура которого показана на рис. 37, представляет простейший насыщенный полициклический углеводород (СюН ) с атомами углерода, расположенными в виде сетки, напоминающей так называемую характерную ячейку решетки алмаза. Более того, адамантан является прототипом большого семейства алмазоподобных соединений со сходной молекулярной структурой, получающихся при замещении некоторых атомов углерода, образующих пространственную сетку, другими подходящими атомами. Кремний, азот и фосфор могут замещать третичный или мостиковый атом углерода, а кислород и сера могут играть роль одной или более метиленовых групп адамантана. Теплоемкость адамантана в области от 5° до 350° К определили Чанг и Уэструм [ПО] результаты их исследования представлены на рис. 38. При 208,62° К наблюдался резкий переход с кажущейся теплоемкостью больше 4000 кал -град -моль , а энтропия перехода равна 3,87 кал-град- -моль . Из-за значительного предпереходного увеличения теплоемкости изотермическая энтропия перехода при полном превращении в пластическую кристаллическую фазу, по-видимому, минимальна. Новацкий [480] сообщил, что адамантан образует плотно упакованную гранецентрированную кубическую решетку пространственной группы Та —Р 43т с а = 9,43 А. В недавней неопубликованной работе Нордмана [478] показано, что предположение о произвольной ориентации молекул лучше согласуется с новыми данными рентгеноструктурного исследования монокристалла, чем структура, предложенная Новацким, которая, однако, почти так же хорошо согласуется с этими данными. Проведенное Мак-Коллом и Дугласом исследование спектра протонного магнитного резонанса [391] показало резкое уменьшение теплоемкости в другой точке, при 143° К, которое интерпретируется как вращательный переход с энергией активации около 5 ккал-моль . [c.88]

На основании эксперим. данных обсуждается теплоемкость тройных алмазоподобных соединений. Показано, что кривые температурной зависимости характеристич. тройных алмазоподобных соединений по своему виду аналогичны кривым для бинарных соединений. Можно полагать, что это обусловлено общностью кристаллич. структуры в пределах семейства алмазоподобных полупроводников. Табл. 3, рис. 3, библ, 8 иазв. [c.422]

Нитрид алюминия относится к алмазоподобным соединениям типа А В . К этому же классу соединений относится и нитрид бора, который в свете вышеприведенного рассмотрения, можно считать аналогом углерода, тогда как нитрид алюминия можно отождествить с кремнием. И действительно, нитрид бора имеет две модификации — гексагональный нитрид бора со структурой типа графита и боразон со структурой цинковой обманки (электронные конфигурации валентных з р - и хр -электронов соответственно). Нитрид алюминия имеет одну модификацию типа вюртцита с координационным числом 4 и возможной электронной хр -конфигура-цией, которая возникает в результате перехода одного электрона азота к алюминию, что приводит к значительной поляризации связи [1]. Гетеродесмический характер этого соединения обусловливает высокую жесткость решетки, что определяет высокие значения модуля нормальной упругости, характеристической температуры и фононной составляющей теплопроводности, а также малое значение коэффициента термического расширения. [c.170]

Приводимые в табл. 5 алмазоподобные соединения имеют одинаковое строение наружных электронных оболочек. Среди данных полупроводниковых фаз пары Si и А1Р, Ge и GaAs, a-Sn и InSb являются полными изоэлектронными аналогами, и в соединениях А В каждой из названных пар имеется одинаковое общее число электронов, приходящихся на один усредненный атом. Этим объясняется глубокая кристаллохимическая аналогия изоэлектронных пар соединений, имеющих исключительно близкие значения постоянных решетки и соответственно длин связи. Самое незначительное изменение свойств в пределах каждой изоэлектронной пары связано с различием природы связи [c.171]

Жузе и сотр. [136] предложили модель химической связи в дефектных алмазоподобных соединениях. Рассматривая закономерности изменения свойств в рядах полупроводниковых соединений с нормальной тетраэдрической структурой, они нашли, что свойства ХпзТез укладываются в ряд а-Зн, ХпЗЬ, ХпзТез, С<1Те, AgJ, представляющий собой ряд изоэлектронных соединений с одинаковым числом внутренних электронов, равным 46. Другие соединения А-2 Вз также составляют изоэлектронные ряды аналогов [20].Палатник [106] не считает соединения Аа В членами изоэлектронных рядов и дает несколько отличную от пред- [c.135]

Согласно работе [3], процесс образования тройных алмазоподобных соединений типа А В СУ можно рассматривать как растворение халькогенида одновалентного металла (А С 1) в халькогениде трехвалентного металла (В. " С " ) и образование надструктурной фазы в области твердых растворов. Указанная особенность образования соедииеннй А В СУ видна также из рассмотрения соответствующего концентрационного треугольника, построенного согласно правилам Н. А. Горюновой [4] (рис. 1). Ввиду этого в литературе наиболее подробно исследованы квазнбннарные разрезы вида А С 1—В Сз [5—7]. [c.248]

При образовании алмазоподобных соединений типа А В со структурой цинковой обманки или вюртцита происходит коллективизация электронов с образованием двухэлектронных связей, однако даже здесь, например в соединении InSb, индий нельзя считать акцептором, а сурьму донором. Их эффективные заряды возникают не вследствие передачи электрона от сурьмы индию, а в силу разделения электронов и координации атомов. [c.176]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология