Шотки

Простейшие виды дефектов структуры кристалла представлены иа рис. 49 и 50. Первые из них, называемые дефектами Френкеля, заключаются в том, что некоторые ионы из узлов кристаллической решетки смещены в другие положения. Нормальные места их в данный момент Остаются свободными и затем замещаются другими ионами. Вторые, называемые дефектами Шотки, заключаются в существовании свободных мест в различных узлах решетки. [c.143]

Рис. 20. Кристаллическая ре-шотка соединений включения карбамида (а) и тиокарбамида (б). Внизу поперечные сечения соединений включения.

Поршень под усилием, создаваемым перепадом давления, вместе со шотком двигается вправо, поворачивая регулирующее кольцо [c.162]

Точечные дефекты в ионных кристаллах. Аналогичные дефекты (см. раздел 1 настоящего ) существуют и в кристаллах с ионной связью. В отличие от дефектов металлического кристалла дефекты в ионных кристаллах несут на себе определенный заряд. На рис. 259, а показаны дефекты (обозначенные пунктирными кружками), связанные с появлением вакансий (дефекты Шотки), а на рпс. 259, б — дефекты, возникшие от попадания отдельных ионов в междоузлие (дефекты Френкеля). Из-за наличия в структуре положительных и отрицательных ионов на вакансию, обозначенную на рис. 259, а стрелкой 1, может попасть только анион, а стрелкой 2 — катион. Энергия образования дефектов Шотки в щелочногалоидных кристаллах порядка 2 эв, дефектов Френкеля — 1,5 эв. [c.257]

Рис. 259. Типы точечных дефектов в структуре ионного кристалла а — появление вакансии (дефект Шотки) б — внедрение дополнительных ионов между ионами, занимающими нормальные положения в структуре (дефекты Френкеля)

Поскольку в реальном кристалле обычно сосуществуют дефекты обоих типов (Шотки и Френкеля), постольку замещения вакансий и перескоки атомов по междоузлиям могут осуществляться параллельно. [c.257]

В. Шотка на основе этой зависимости получил расчетную формулу [c.670]

Таким образом, взаимодействие диффундирующих в монокристаллах собственных дефектов, типа дефектов Шотки, с примесными ионами существенно меняет картину диффузии. Точечные дефекты захватываются примесными ионами, образуя устойчивые центры. Примесь в этом процессе играет роль ловушек. [c.81]

В работе [58] предпринята попытка оценить влияние точечных дефектов поверхности на хемосорбцию водорода. Эта работа представляет особый интерес в связи с тем, что может служить прототипом квантовохимического исследования влияния промотирования на свойства гетерогенных катализаторов с целью предсказания их каталитической активности. В качестве первого примера в [58] рассмотрена адсорбция водорода на германии (кластер VI), изучены следующие дефекты а) вакансия атома Ое в центре фрагмента, б) дефект Шотки — добавочный атом Ое в междоузлии, в) твердый раствор замещения, в котором центральный атом Ое замещен атомами 81, Оа, Аз. Результаты рас- [c.68]

Дефект Шотки есть вакансия в кристаллической решетке. Электрическая нейтральность достигается образованием вакансий положительного и отрицательного ионов [74]. [c.337]

Атомные дефекты проявляются или в виде вакансий вакантных узлов кристаллической решетки дефекты Шотки), смещений атомов из узлов в междуузлия дефекты Френкеля) или в виде внедрения в решетку чужеродных атомов или ионов. В ионных кристаллах для сохранения электронейтральности кристалла концентрации дефектов Шотки и Френкеля должны быть одинаковы. [c.454]

Энергия активации процесса образования вакансии Шотки Ев 1 эВ, поэтому при 295 К пв/п г 10 при Т = 600/С — 10- и при Т = 900 К— 10 2. Энергия образования дефекта внедрения равна 3- 5 эВ. [c.454]

Повышение активности некоторых металлов (Си, N1), быстро охлаждаемых от температур 1300 °С, в реакции разложения муравьиной кислоты, свидетельствует о роли точечных дефектов. Роль дислокаций удалось проследить следующим образом. При бомбардировке атомами аргона серебра, вследствии внедрения атомов аргона в кристаллическую решетку серебра, возникают дефекты Френкеля и Шотки и дислокации. После отжига при [c.457]

Номенклатура выпускаемых ИМС обширна. В устройствах автоматики и вычислительной техники широко применяются цифровые микросхемы серии К155. Имеется свыше ста наименований микросхем этой серии. При всех своих преимуществах высоком быстродействии, обширной номенклатуре, хорошей помехоустойчивости, - эти микросхемы отличаются сравнительно большой потребляемой мощностью. На смену им выпущены микросхемы серии 555, принципиальное отличие которых - использование транзисторов с коллекторными переходами, за-шунтированными диодами Шотки. Транзисторы микросхем этой серии не входят в насыщение, что существенно з леньшает задержку выключения транзисторов. К тому же они имеют значительно меньшие размеры, что уменьшает емкость их р-п-переходов. В результате при сохранении быстродействия микросхем удалось уменьшить потребляемую ими мощность приблизительно в 4 — 5 раз. [c.140]

Вакансии и занятые междоузельпые места, соотиетствую-щие состоянию теплового раиновесия кристалла (Я. Френкель [78], В. Шотки, К. Вагнер [79]). Состояние, установившееся при повышенной температуре, может в течение некоторого времени сохраняться в замороженном виде п при пизко температуре. [c.114]

Рнс. 49. Схема дефектов кристалли- Рис. 50. Схема дефектов кристаллической решетки АвВг по Я. И. Френ- ческой решетки ЫаС1 по Шотки. келю. [c.142]

Начнем с доводов за и не потому, что автор принадлежит к числу заш,итников термина равновесие газ — газ . Просто этого требует историческая последовательность. Вначале (еще до появления результатов экспериментов) это явление было названо равновесием газ — газ и этот вопрос обсуждали Шотки и другие. [c.132]

ВАКАНСИИ (от лат. уасапз — пустующий, свободный) — узлы кристаллической решетки, не содержащие молекул, атомов или ионов. Относятся к точечным дефектам в кристаллах. Представление о В. сложилось в конце 20-х — начале 30-х гг. 20 в. Совокупность В. и атома, перешедшего в междоузлие, наз. дефектом по Френкелю, а отдельные В. при отсутствии атомов в междоузлиях — дефектом по Шотки.В ионных кристаллах, если нет дефектов др. типов, для соблюдения электронейтральности необходимо образование [c.166]

Рассмотрим упрощенную модель процесса отжига. Изменение (рост) удержания с изменением подводимой энергии Ед (концентрации экситонов и фононов) обратно пропорционально количеству имеющихся в области стабилизации атомов отдачи дефектов решетки п (по Шотки или Френкелю), образовавшихся в твердом вевдестве в результате действия атомов отдачи пх, при получении [c.184]

При термическом отжиге концентрация дефектов (по Фрекнелю или Шотки) меняется экспоненциально [c.185]

Особенности кристаллической TpyKijpu ЬаРз находят отражение в уникальных физических, особенно в транспортных свойствах при 300—1000 К. Работы Шера, Соломона, Ли и Мюллера [78] и Голдмана и Шена [79] доказали наличие в решетке ЬаРз исключительно высокой концентрации дефектов Шотки (большинство которых нейтрально) и связанный с этим быстрый обмен атомами фтора между кристаллографически различными местами. Существование большого числа дефектов в решетке ЬаРз и других фторидов, имеющих ту же или близкую структуру, проявляется в термических свойствах этих соединений, и прежде всего в теплоемкости Ср и связанных с ней величинах Н°т—Н°2д [c.141]

Поглощаемая в процессе облучения мономерными кристаллами энергия может оказать существенное влияние не только на акты зарождения цепей, но и на условия их роста. Как указывалось выше, энергия возбуждения обычно локализуется на примесях либо на дефектах, где инициируется рост цепей. Процесс роста цепей можно также рассматривать как процесс развития новых дефектов в кристалле, а активный конец цепи — как примесь или дефект Например, дефект аналогичный дефекту Шотке, характеризующийся наличием вакансии или микрополости в решетке мономера, непосредственно у активного центра, может возникнуть в результате уменьшения линейного размера полимерной цепи по сравнению с мономерной заготовкой, из которой она образовалась. [c.101]

Рассмотрим сначала бездефектную заготовку (а), в которой активный центр (радикал) сопряжен с очередной молекулой мономера и достигнуто соответствующее геометрическое расположение частиц, способствующее акту присоединения. На причинах устранения дефектов в заготовке (б), изображенных условно как дефект подобный дефекту Шотке, остановимся ниже. [c.102]

Энергпя активации процесса образования вакансии Шотки Ев -X 1 эВ, поэтому при 295 К Пв/п 10 , при 600 К — 10- и при [c.465]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология