Схема точечных дефектов в кристаллах

Рис. 2-8. Схемы точечных дефектов в кристаллах

Дальнейшее развитие этой теории с учетом многочисленных дефектов кристалла, особенно дислокаций (см.10.3.2), приводит снова к схеме Уббелоде, который принимал во внимание кооперативные дефекты кристалла. Кооперативными называются такие дефекты, энергия образования которых уменьшается благодаря дефектам в соседних областях решетки (по сравнению с образованием изолированного точечного дефекта). [c.194]

Существующая неопределенность в моделях строения аморфных тел не позволяет сформулировать и надежные механизмы переноса в этих системах. Однако в рамках различных моделей почти всегда можно подобрать те или иные схемы, сводящие процессы переноса в аморфных телах к миграции некоторых локальных образований, аналогичных точечным дефектам в кристаллах. Поэтому почти все существующие теории ионного транспорта в аморфных телах в значительной мере сводятся к теории транспорта в кристаллах с точечными дефектами. [c.57]

Рис. 11.2. Схемы структур реальных кристаллов с точечными дефектами

Книга написана на основе курса лекций, читаемого автором на химическом факультете Ленинградского университета. В ней, впервые в отечественной литературе, излагается материал по применению методов квантовой химии и молекулярных моделей в физике и химии твердого тела, дан подробный сравнительный анализ симметрий молекулярных и кристаллических систем, обсуждаются широко применяемые в расчетах молекулярные модели твердых тел кристаллического строения — кластерная и квазимолекулярной расширенной элементарной ячейки (циклическая). Рассмотрено обобщение на кристаллы основных расчетных схем квантовой химии молекул — приближений нулевого дифференциального перекрывания и Малликена — Рюденберга. На примерах расчетов конкретных систем иллюстрируется применение молекулярных моделей и методов квантовой химии в теории электронной структуры кристаллов — совершенных и содержащих точечные дефекты. [c.2]

Рис. 29. Зонная схема для ионного кристалла типа КаС1 с точечными дефектами (вакансиями) г — расстояние между парой соседних ионов в решетке типа ЫаС1, параметр которой изменяется от > до Го /[у[2 — потенциал ионизации Ка, — сродство к электрону для атома С1. В действительности Зз-зона перекрывает другие свободные зоны

Зонная схема — эта система термов для кристалла. Она несколько видоизменяется при появлении дефектов структуры, так как возникновение дефектов в ионной решетке всегда связано с сильным искажением электростатического поля в соответствующей области кристалла. Проще других описмваются изолированные точечные дефекты в идеальной ионной решетке. [c.137]

Как же тогда определить кристаллический порядок Рассмотрим схему искаженного кристалла на рис. 45, который мы использовали для пояснения влияния деформации кристаллической решетки на спектр фононов. Изображенная на этом рисунке система атомов не обладает пространственной периодичностью, и элементарные ячейки в разных ее участках отличаются размером и формой однако она все же воспринимается как изображение испорченного кристалла. Мы упорядочиваем эту систему, вводя некоторую криволинейную сетку, описываюп ую в каждой точке пространства вполне определенную кристаллическую структуру. Следуя вдоль такой сетки, всегда можно установить связь локального ближнего порядка с таковым в любой части кристалла. Точечные дефекть не нарушают об-ш,ей структуры сетки. [c.268]

Ранее ( 11.1—11.4) мы познакомил СЬ с разл чными видами точечных II протяженных дефектов в кристаллах, пользуясь чисто геометрической статической схемой. В действительности, конечно, точечные и протяженные дефекты находятся в постоянном взаимодействии. Более того, протяженные дефекты — дислокации, внутренние мйкрокаверны, трещины и мозаика — находятся во взаимодействии между собой и ирежде всего через посредство точечных дефектов — вакансий и посторонних атомов. [c.402]

Если образец представляет собой монокристалл, то в результате дифракции рентгеновских лучей на кристаллической решетке на помещенной за образцом фотопленке (так, чтобы плоскость ее была перпендикулярна направлению падающего луча) появляется система пятен — точечных рефлексов, соответствующих отражениям от разных систем плоскостей (точечная рентгенограмма). При использовании монохроматического рентгеновского излучения (X = onst) для получения отражения от всех плоскостей монокристалла, образец вращают внутри полостй, образованной фотопленкой, свернутой в цилиндр. Если образец состоит из беспорядочно ориентированных кристалликов, то на плоской пленке, расположенной за образцом, получается система кольцевых рефлексов, порошковая рентгенограмма, или рентгенограмма Дебая — Шерера. При рассеянии рентгеновских лучей аморфным веществом, т. е. в отсутствие дальнего порядка, возникают широкие диффузные кольца (аморфные гало). Положение рефлексов дает возможность, используя уравнение (26), рассчитать межплоскостные расстояния для главных систем плоскостей в кристалле. Кроме того, существует специальная система приемов, позволяющая определить тип кристаллографической решетки и параметры элементарной ячейки. Однако часто рентгенограммы содержат недостаточную для этого информацию, и тогда при их расшифровке решают обратную задачу — выясняют, удовлетворяет ли дифракционная картина некоторой заданной структуре решетки. Интенсивность рефлексов различного порядка позволяет судить о расположении атомов и групп атомов в узлах кристаллографической решетки. Ширина каждого рефлекса А9 определяется степенью отклонения условий рассеяния от идеальных. Эти отклонения могут быть связаны со схемой прибора, некогерентностью излучения и т. д. Их можно учесть с помощью системы специальных попра-вок Более существенным, особенно для полимерных кристаллов, является уширение рефлекса вследствие ограниченных размеров отдельных кристаллов D и иска жений кристаллографической решетки, вносимых ра ного рода дефектами. При использовании рентгеновск лучей, для которых 0,5 — 2,5 А заметное увеличение [c.59]

Ранее ( И.1— 11.4) мы познакомились с различными видами точечных и протяженных дефектов в кристаллах, пользуясь чисто геометрической статической схемой. В действительности, конечно, точечные и протяженные дефекты находятся в постоянном взаимодействии. Более того, протяженные дефекты — дислокации, внутренние микрокаверны, трещины и мозаика [c.583]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология