Импеданс реакции

Приняв, что процесс не осложнен адсорбцией и импеданс реакции (кристаллизации) равен нулю, найти сопротивление перехода и ток обмена. [c.127]

Импеданс реакции при переменном токе [c.282]

При замедленной химической реакции (так же, как и при перенапряжении другого типа) переменный ток вызывает колебания перенапряжения реакции в положительную и отрицательную стороны с частотой, равной частоте тока. Эти колебания перенапряжения реакции, так же как и перенапряжения диффузии, смещены по фазе относительно переменного тока. Поэтому сопротивление, связывающее между собой напряжение и плотность тока, является импедансом. Этот импеданс реакции состоит из омической составляющей Лр и, в соответствии со смещением фазы, из емкостной составляющей Ср. При этом, как покажет дальнейшее обсуждение, смещение по фазе не остается постоянным, как это было для перенапряжения диффузии, а сильно зависит от частоты тока и скорости реакции. Поэтому все соотношения здесь значительно сложнее, чем при переменноточных измерениях перенапряжения диффузии. [c.282]

Подробное теоретическое исследование импеданса реакции Zp было проведено Геришером как для гомогенных так и для гетерогенных замедленных реакций. При этом влияние торможения диффузии и реакции рассматривалось совместно, вследствие чего сами явления и их математическая обработка стали очень сложными. [c.283]

Если глубина проникновения о, д Для одной только диффузии в соответствии с уравнением (2. 170) при уменьшении частоты становится значительно больше, чем стационарная толщина реакционного слоя бр, то можно ожидать квазистационарного установления такого распределения концентраций, которое получается, если рассматривать мгновенный ток через электрод, как постоянный. Таким образом, импеданс реакции должен перейти в сопротивление реакции при постоянном токе i p, ст- Действительно, сравнение уравнения (2. 299) с уравнениями (2. 281) и (2. 257) показывает, что они полностью согласуются друг с другом. Смещение по фазе также стремится к нулю для (0 0. Это ясно видно из рис. 94, на котором изображена зависимость смещения но фазе от /со. [c.289]

Рис. 95. Зависимость [по ур. (2. 314)] оптической Лр (кривая 2) и емкостной 1/((вСр) (кривая 3) составляющих импеданса реакции (последовательное соединение) и тех же составляющих импеданса диффузии (кривая 1) от обратной частоты А/со при замедленной гетерогенной реакции [за единицы измерения приняты стационарное сопротивление Лр при постоянном токе (со = 0) и к — pv(, (см. рис. 93)].

Рис. 113. Эквивалентная схема электрода с перенапряжениями перехода (Еа), диффузии (Дд, Сд) и реакции (2 р, Ср) (или кристаллизации Ск), учитывающая емкость двойного слоя Сдв и омическое сопротивление электролита Лом- ( д — импеданс диффузии 2р — импеданс реакции — концентрационный импеданс — фарадеевский импеданс.)

Если химическая реакция (кристаллизация) незамедленна, импеданс реакции (кристаллизации) Хр (или Z ) = О, а значит и Вр (или Дк) = О и Ср (или С ) = [c.374]

При замедленности одновременно гетерогенной реакции и диффузии по Геришеру получается аналогичное соотношение . Компонентам 7 р и Ср импеданса реакции эквивалентной схемы (см. рис. 116), применимой и здесь, соответствуют теперь функции, данные в уравнении (2. 314 а, б) для последовательного включения. Вследствие этого омическая и емкостная Н(ыС = = 1/((оСф) компоненты фарадеевского импеданса в данном случав равны [c.376]

При рассмотрении различных сопротивлений и импедансов поляризации сопротивления перехода (см. 54), импеданса диффузии (см. 61, 62), импеданса реакции (см. 71, 72), импеданса кристаллизации (см. 77) и фарадеевского импеданса (см. 81) предполагалось, что плотность тока является линейной функцией перенапряжения. Это предположение приближенно справедливо только при малых величинах перенапряжения т] I < КТ пР. [c.397]

Нахождение pj по зависимости импеданса реакции от концентрации и частоты [c.477]

Рис. 153. Отделение компонентов импеданса реакции (или импеданса кристаллизации) Лр (или Лй) и 1 /а>Ср (иди 1/(оСи) от фарадеевского импеданса 2ф для гетерогенной замедленной реакции (кристаллизации) (<о/2и — частота)

Это уравнение будет соответствовать уравнению (2. 3176), если использовать емкостные составляющие импеданса кристаллизации (импеданса реакции) в области высоких частот. [c.707]

Лр — сопротивление реакции омическая компонента импеданса реакции Др —сопротивление реакции, стационарное [c.846]

Реакция переноса заряда, осложненная адсорбцией реагирующих веществ, неоднократно рассматривалась в работах по теории электрохимического импеданса. Именно на примере этой реакции Делахей [24] сформулировал положение о невозможности априорного разделения тока заряжения и фарадеевского тока. При вычислении импеданса реакции традиционными методами конечные [c.56]

Таким образом, можно сформулировать закон сложения импедансов ) полный импеданс реакции равен сумме импедансов стадий, рассматриваемых каждая как единственная неравновесная в системе. [c.298]

Как было уже указано, перенапряжение реакции при наложении переменного тока аддитивно складывается из омической т)р ом и емкостной составляющих i p, емк- Поэтому эквивалентную схему электрода можно представить в виде последовательно соединенных омического сопротивления i p и емкости Ср, зависящих от частоты тока. Омическая компонента импеданса реакции Zp получается из значения ом/, а емкостная компонента 1/соСр — из [c.287]

Поэтому омическое сопротивление при малых частот,ах стремится к постоянной величине. При этом емкостное сопротивление 1/соСр становится равным нулю. На рис. 93 представлейа зависимость обеих составляющих импеданса реакции от 1/]/ш (единица измерения на оси ординат равна предельному значению омической компоненты Лр, ст при 0=0). На оси абсцисс, кроме /с/со, могут быть также отложены единицы, равные глубине проникновения [c.287]

Рис. 93. Зависимость [по ур. (2. 297)] омической Лр (кривая 2) и емкостной 1/((оСр) (кривая 3) составляющих импеданса реакции 2р (последовательное соединение) и тех же составляющих импеданса диффузии 2д (кривая 1) от обратной частоты (Ук а) нри замедленной гомогенной реакции и аналогичная зависимость [по ур. (2. 292)] от глубины проникновения для чистой диффузии [за единицу измерения приняты предельные значения омической составляющей Лрдля (0 = 0 к=ридЬ (где р — порядок реакции по 8, 1>о — скорость обмена нри равновесной концентрации с вещества 8) стационарная толщина реакционного слоя бр].

При наличии одной замедленной реакции или кристаллизации кривая зависимости емкостной компоненты 1/((вСф) от 1/]Ам состоит из линейного хода 1/(саСд), на который накладывается колоколообразная кривая емкостной компоненты импеданса реакции 1/(ю, Ср) или импеданса кристаллизации 1/(( С к) с максимумом (см. рис. 93 или 95, а также 152 или 153). Если замедлены и реакция и кристаллизация, то суммарное значение емкостной компоненты составляется из двух таких функций. При этом кривая ем-, костной компоненты импеданса кристаллизации имеет форму, характерную для замедленной гетерогенной реакции. Максимум 1/(саС) для замедленной гетерогенной реакции (кристаллизации) лежит при частоте со = к, а для гомогенной реакции при ю = = кУЗ. Поэтому наложение замедленных гомогенной реакции и кристаллизации можно распознать по двум отдельным максимумам при (Ор и (Ок- В этом случае разделение обеих компонент сравнительно просто. При не столь сильном различии (Ор и максимумы сливаются. В принципе и в этом случае возможно разделение на основе хода зависимости 1/((вСр) 1/(шСк) от ну (О. Снижение омических компонент перенапряжения реакции и кристаллизации происходит в интервале частот, на который приходится максимум 1/((йС) (ср. приведенные выше рисунки). [c.444]

Таким образом, полный импеданс реакции оказывается выраженным через давление Р в системе. Он становится бесконечным (скорость равна нулю) при Р = К11К , где Р — давление равновесия. С учетом этого обозначения выражение (7.40) можно записать в несколько иной форме [c.303]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология