Фактор насыщения

В случае малой амплитуды радиочастотного поля Ну членом у Н ТуТ (фактор насыщения) в знаменателе уравнений (31) и (32) можно пренебречь. Тогда уравнения кривых поглощения и дисперсии имеют вид [c.34]

Если приложено радиочастотное поле, амплитуда которого велика, то отношение п /по становится очень малым, а спиновая температура Т5 очень высокой тогда говорят, что система спинов находится в состоянии насыщения. По этой причине правая часть выражения (663), которая обозначена символом 2, называется фактором насыщения. Самое большое насыщение имеет место, когда g(v) максимально. Используя выражение (659), получаем для фактора насыщения [c.371]

Конформационные факторы Насыщенные кетоны [c.351]

Истинная форма линии поглощения может искажаться из-за эффекта насыщения. При высоких мощностях высокочастотного магнитного поля Hv вследствие большой величины времени спин-решеточной релаксации Тх поглощение уменьшается в Z раз по сравнению с ожидаемым в отсутствии насыщения. Величина 2 называется фактором насыщения и определяется выражением [c.29]

Рассмотрим первую систему, в которой образуется только один комплекс состава 1 1. В этом случае готовят серию растворов с постоянной общей концентрацией лиганда [Ь]т, затем растворы титруют , добавляя в них различное количество металла. Отношение концентраций комплекса к общей концентрации лиганда, называемое фактором насыщения имеет вид [c.109]

Фактор насыщения формально выражают через некоторый измеренный количественный параметр, пропорциональный концентрации комплекса. В спектрофотометрии светопоглощение А на единицу толщины поглощающего слоя при длине волны, при [c.109]

Подставляя уравнения (6.5) и (6.6) в уравнение (6.1), находят фактор насыщения [c.110]

Если измерения проводят при длине волны, при которой значение 8м мало, то фактор насыщения можно приближенно определить выражением [c.110]

Таким образом, фактор насыщения можно определить по урав нению [c.110]

Показано [7], что для получения наиболее точных значений К, а также е или б желательно, чтобы фактор насыщения находился в интервале 0,2 5 0,8. Не менее важно точно оценить обе величины — константу устойчивости и фактор интенсивности, поскольку они взаимозависимы. Это обеспечивается проведением измерений в интервале, соответствующем примерно 75% кривой насыщения, т. е. когда 5 принимает значения от 0,13 до 0,87. [c.110]

Если релаксационные процессы неэффективны, то продолжающееся облучение образца может привести к уравниванию населенности спиновых энергетических уровней, и сигналы, обусловленные поглощением энергии радиочастотного излучения, исчезнут. Если это происходит, то говорят, что образец находится в состоянии насыщения. Каждый заданный образец имеет свой фактор насыщения, который является функцией Т , Т и Н . [c.207]

Временные факторы оказывают двоякое влияние на чувствительность определения. Во-первых, фактор насыщения определяет время облучения, необходимое для получения максимальной активности. Практически достаточно облучать изотопы в течение пяти периодов полураспада, при этом наведенная активность будет составлять 0,967 активности насыщения. Очевидно, что для очень долгоживущих изотопов облучение в течение таких промежутков времени оказывается невозможным (например, для Со с Ту = 5,9 года). Обычно длительность облучения находится в пределах от нескольких часов до недели при анализе с использованием короткоживущих изотопов облучение более краткое. Таким образом, фактор насыщения ограничивает реально достижимую чувствительность определения по очень долгоживущим радиоактивным изотопам. [c.117]

Задача сводится к установлению количественных зависимостей, связывающих С с числом атомов углерода, фактором насыщенности и числом колец в молекулах. [c.332]

Если ввести фактор насыщения 5 [c.387]

В седьмом столбце приведены только три значения Ы — 1)/Я , поскольку при малой мощности Из слишком близко к единице, а при высоких уровнях мощности амплитуда у т слишком мала для ее точного определения. Фактор насыщения 8 рассчитывался по вычисленным значениям Т1 и Тг- Его значения приведены в восьмом столбце. Величины 1/5, вычисленные по данным шестого и третьего столбцов, представлены соответственно на фиг. 11.5, в ж г. [c.392]

На сигнал ЭПР будет влиять также модуляционная частота, как это изложено в гл. 5, 5 (см. также [43]). Если используется звуковая модуляционная частота, удовлетворяющая неравенству /мод <С 1/ 1 и тем более/мод <С 1/ 2, то фактор насыщения (спиновая система) будет изменяться с частотой модуляции. Данные [c.395]

Из уравнения (115) видно, что скорость анодного растворения металла определяется, главным образом, анодной плотностью тока, поэтому решающим фактором насыщения очищаемой воды электрогенерируемым коагулянтом является анодная плотность тока. Необходимая концентрация продуктов растворения в растворе (при условии постоянства выхода металла по току), обеспечивающая формирование достаточного количества адсорбционно-способной гидроокиси, может быть рассчитана по формуле [c.223]

Из кривых на рис. 4.17 видно, что величина низкочастотного сигнала поглощения заметно возрастает, когда Я .д превышает ширину спинового пакета. Расчеты показывают, что величина эффекта зависит от фактора насыщения . В отсутствие насыщения сигнал практически не зависит от Я ,д вплоть до амплитуд, сравнимых с [c.150]

Для спиновых пакетов с шириной меньше 0,2 э рассмотренный метод позволяет определять ширину пакетов независимо от формы функции распределения, что является одним из главных его достоинств. Определение параметров спинового пакета в этом методе осуществляется при небольших факторах насыщения, что практически устраняет ошибки измерений, связанные с наличием в исследуемом образце примесей парамагнитных центров с более короткими временами релаксации. [c.151]

Знаменатель (1.33) называется фактором насыщения. Его значение для того, чтобы форма линии не искажалась, должно быть близко к единице. При лоренцевой функции разброса резонансных частот поглощенная мощность будет иметь вид [c.25]

Фактор насыщения зависит как от напряженности СВЧ магнитного поля так и от спин-решеточного и от спин-спинового времени релаксации. Измеряя фактор насыщения в зависимости от можно найти произведение T T и среднее время релаксации Т = VТ Т . [c.25]

V — объем образца (о — резонансная частота поглощения в постоянном магнитном поле ( о — добротность резонатора Р — мощность клистрона т] — коэффициент заполнения резонатора А — фактор насыщения. [c.453]

Рассмотрим другую сторону фактора насыщения—влияние летучести растворителя на насыщение слоя. Степень насыщения зависит не только от структуры сорбента, но и от типа растворителя одинаковая степень насыщения сорбента для бензола, толуола и этилбензола достигается за 30, 60 и 120 минут соответственно (рис. 6). При одинаковой продолжительности насыщения, например 30 минут, слой, находящийся в атмосфере иаров этилбензола, еще высокоактивен, в то время как по бензолу он почти насыщен. Чем менее [c.92]

Показана необходимость учета фактора насыщения слоя парами элюента, особенно для летучих растворителей. [c.93]

Значение гиромагнитного отношения для ядра зна чительно меньше, чем для протона (см. табл. 1 приложения). Резонансная частота поглощения в поле 1,12 10 А/м равна 24,288 МГц. Кроме того, величина у входит в уравнение для фактора насыщения, и потому сигналы ЯМР ядер меньше насыщаются, чем сигналы протоноЕ , так как время релаксации для ядер Р в жидком состоянии примерно такое же, что и для ядер Н, т. е. 0,01 —10 с. При равной концентрации ядер Ф и 44 чувствительность ядер фосфора составляет 6,63 % чувствительности протонов. Следо1зательно, для измерения спектров ЯМР Р растворы должны быть более концентрированные. При этом нужно учесть, что большой диапазон химических сдвигов ядер Ф (500 м. д. и более) дает возможность использовать большую скорость развертки для определения химических сдвигов. В свою очередь, это дает возможность работать при большей мощности радиочастотного поля Н , чем при использовании протонов, что способствует повышению чувствительности метода. [c.146]

Если Я , д я Т в процессе измерения поддерживаются постоянными, то между I и N достигается прямая зависимость. Для исключения влияния времен релаксации на I следует подбирать Я таким обраг<ом, чтобы рабочие условия лежали достаточно далеко от границы насыщения (разд. 5.4.1.1), т. е. необходимо, чтобы фактор насыщения был намного меньше единицы [c.257]

Доступная поляризация определяется степенью ее восстановления Ti-релаксацией между последовательными опытами, разделенными интервалом Т. Ее можно выразить через фактор насыщения ( 1 - ехр( -T/Ti)] и равновесную поляризацию, которая пропорциональна гиромагнитному отношению ядер -увозб. возбуждаемых в начале последовательности. [c.555]

Отношение Правн/ равн, которое всегда меньше единицы, получило название фактора насыщения Zo [c.33]

Я1 — напряженность радиочастотного поля, у — гиромагнитное отношение. При малых напряженностях радиочастотного поля мы приближаемся к пропорциональности и с учетом того, что щ = Ыкх1к1, к пропорциональности 1/Т. Член 1/[1 + l/2Y Я g(v)] называют фактором насыщения г. Он указывает на отношение наблюдаемого сигнала к экстраполированному сигналу при малой мощности или равным образом на отношение разности заселенности к разности заселенности при равновесии Пз1по. Если представление Блоха о поперечной релаксации со временем Тг справедливо, то форма линии определяется кривой Лоренца и в максимуме [g (v)]мaк = 27г. 0 соотношение может быть принято как определение для других случаев. С помощью этой несколько произвольной подстановки мы получаем уравнение (2). Такая же ситуация при соответствующем выборе констант имеет место и в ЭПР. [c.412]

В водном растворе Рс12+ находится в виде [Рс1 (НгО)4] а 4 отражает конкуренцию между такими лигандами, как цианид-ион и вода. Поскольку значение 4 составляет примерно 10 , то практически невозможно определить концентрации свободного палладия или цианид-иона, при которых фактор насыщения находился бы в интервале 0,2—0,8. Для всех разумных концентраций фактор насыщения практически равен единице. [c.111]

В экспериментах по насыщению с образцами большого объема, расположенными, например, вдоль оси резонатора, напряженность СВЧ-поля в образце в разных его точках будет различная. Одни спины будут насыщаться, в то время как другие — нет. В большинстве случаев распределение СВЧ-поля Hi внутри образца описывается функцией sin пх а (фиг. 4.5, стр. 141). При этом фактор насыщения s содержит член sin nxta. Фактор заполнения, так же как и фактор насыщения, имеет наименьшую величину в верхней и нижней частях рабочей ампулы. Для достижения наилучших результатов следует использовать только треть или четверть ампулы около ее середины. [c.395]

Для электронов, захваченных в у-облученном 10 М стеклообразном растворе КОН, методом непрерывного насыщения была оценена ширина спинового пакета и далее по формуле (6.2) вычислены значения Слок при разных дозах [33]. Из этих оценок в [33] сделан вывод о неравномерном захвате электронов. Определенное из величины Сдок среднее расстояние от электрона до ближайшего ПЦ совпадает с оценками, полученными в работе [35] методом акцептора. Аналогичный вывод о неравномерном распределении сделан в [31, 32] исходя из того, что фактор насыщения не зависел от дозы при облучении. [c.214]

Влияние фактора насыщения слоя парами элиента в камере (Х2) также значительно, с увеличением продолжительности выдержки слоя в атмосфере камеры величины красителей уменьшаются. [c.13]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология