Облучение образцов

Первая искусственно осуществленная ядерная реакция была реализована супругами Ирен и Фредериком Жолио-Кюри 1з А1(а, я)15 Р, она привела к открытию искусственной радиоактивности. Эта реакция происходила при облучении образца металлического алюминия а-частицами (тип ядерной реакции а, л). В результате образовался искусственный радиоактивный изотоп фосфора и происходило выбрасывание нейтронов. Другая ядерная реакция того же типа 5 °В(а, га)7 Ы, осуществленная ими же, — это облучение бора а-частицами, при котором образовался радиоактивный изотоп азота и тоже выделялись нейтроны (тип а, п). [c.219]

В рефлектометре с зеркаль юй полусферой ]18—23] образец однородно облучается излучением полости (или любого источника, имеюн1его непрерывный спектр), отраженным от зеркала. В рефлектометре с интегрирующей сферой [8—10] диффузное облучение образца достигается путем отражения излучения источника от обладающей высокой отражательной способностью диффузной поверхности сферы. Многократные отражения внутри сферы [c.458]

Для изучения влияния радиолиза ацетатцеллюлозных мембран на технологические показатели проводилось облучение образцов мембран на кобальтовом у-источнике [1]. Снижение селективности с одновременным повышением проницаемости, происходящем за счет деструкции ацетатцеллюлозы, оказалось весьма малым до значения поглощенной дозы 20 кДж/кг (2 Мрад). Расчеты показали, что в процессе обработки жидких отходов низкого уровня радиоактивности срок службы мембран не будет лимитироваться радиолитическими процессами. [c.307]

При облучении образца УФ-светом возможна флуоресценция молекул, дающая свет с большей длиной волны, который может попадать на детектор и приводить к ошибкам. Наличие флуоресценции у вещества может быть проверено на флуориметре. Чтобы уменьшить количество излучения от флуоресценции образца, можно или поставить фильтр, поглощающий данное излучение, или отнести кювету на максимальное расстояние от детектора. [c.22]

Прежде всего было установлено, что во время низкотемпературного радиолиза органических веществ (независимо от их молекулярной массы) в них, так же как и в неорганических веществах, происходит стабилизация положительных и отрицательных зарядов (ионов, дырок и электронов). Об этом свидетельствует изменение краски облученных образцов, их термолюминесценция при разогреве, фотолюминесценция при низких температурах, уменьшение окраски и РТЛ под действием света, изменение электрической проводимости, а также результаты анализа спектров электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) облученных полимеров и низкомолекулярных органических веществ [9.7]. [c.236]

Спектры триплет — триплетного поглощения в твердых растворах или в стеклах при низкой температуре могут быть получены обычными методами при одновременном облучении образца светом высокой интенсивности. [c.160]

При частичном проникновении жидкости или пара в матрицу возникают градиенты концентраций, которые действительно оказывают прямое механическое действие вследствие неоднородного набухания или косвенное действие вследствие неоднородной релаксации или распределения напряжений. Подобные действия даже усиливаются в присутствии температурных градиентов и могут вызвать быстрое образование обычных трещин и трещин серебра. В случае медленного проникновения окружающей среды в однородную матрицу с достаточно перепутанными цепями вынужденные напряжения обычно снимаются упругими или вязкоупругими силами. Например, в листах поликарбоната после проведения искусственных погодных испытаний не обнаруживаются трещины даже после воздействия суровых температурно-влажностных циклов [212]. Однако за относительно короткий период, 30—32 мес, естественных погодных испытаний на стороне, обращенной к солнечным лучам, возникала сетка поверхностных микротрещин. Путем сравнения с искусственным ультрафиолетовым облучением образцов авторы работы [212] смогли показать, что фотохимическая деградация поверхностных слоев вносит дефекты в материал и снижает прочность полимера в такой степени, что вызванные физически неоднородные напряжения стимулировали образование микротрещин, а не рассасывание неоднородностей. Влияние жидкой среды на образование обычной трещины и трещины серебра будет рассмотрено в разд. 9.2.4 (гл. 9). [c.319]

Из данных рис. 7.18 следует, что, например, для ПС различие значений необлученного и облученного образцов при комнатной температуре (20° С) составляет 2,5 десятичных порядка. При повышении температуры до 373 К это различие резко уменьшается (до 0,2 порядка). Под влиянием ионизирующего облучения полимеров чаще всего происходит изменение их строения, что сказывается и на характере ибо при этом меняется подвижность, а иногда и концентрация носителей. [c.203]

Существуют два основных метода наблюдения резонансных сигналов метод непрерывного воздействия слабого высокочастотного магнитного поля на образец и импульсный метод, при котором интенсивное высокочастотное поле включается лишь на короткое время. В случае использования метода непрерывного воздействия при изучении спектра и формы линии ядерного резонанса производится облучение образца монохроматическим переменным магнитным полем Я1 с частотой, определяемой формулой (8.3). Для протонов, например, резонансная частота, согласно формуле (8.3), при Яо = 5000 Гс равна 21,25 МГц (коротковолновый диапазон). Амплитуда переменного поля Я1 не должна [c.217]

Освещение облученного полимера монохроматическим или обычным светом (оптическое отбеливание ) приводит к изменению спектров возбуждения фотолюминесценции до некоторого предельного уровня. Так, длительное отбеливание облученного при 77 К полиэтилена светом с длиной волны 612 нм снижает интенсивность РТЛ на 25—30%, а при длине 405 нм она уменьшается в 3—4 раза. Форма кривой высвечивания при этом существенно не изменяется, однако отбеливание уменьшает высоту всех максимумов РТЛ. После оптического отбеливания облученного образца полимера светом с длиной волны Яо фотолюминесценция перестает возбуждаться светом с длиной волны ХЖо. [c.237]

Метод декорирования основан на образовании очень маленьких частиц в активных центрах твердых тел. Обычно при нагреве кристалла до определенной температуры вдоль дислокационных линий появляются частицы, которые можно наблюдать либо в проходящем, либо в рассеянном свете. Декорирование дислокаций возможно из-за более быстрой диффузии частиц вдоль дислокационных линий, преимущественного зарождения частиц на дислокациях, способности дислокаций служить источниками вакансий. Декорирующими частицами не всегда являются частицы примеси. Известны два способа декорирования деф тн ой структуры кристаллов. В одном случае исходный образец помещали в кварцевую ампулу, в которой создавали вакуум 0,66 Па. Затем ее запаивали, нагревали до температуры 350°С и выдерживали 1 ч. Во втором случае дефекты в кристалле декорировались после облучения образцов рентгеновским излучением. Вдоль дислокационных линий появлялись микроскопические поры. [c.160]

Облучение образца короткими импульсами ВЧ-генератора, который в непрерывном режиме дает монохроматическое (или близкое к нему) излучение с частотой эквивалентно воздействию на образец большим числом ВЧ-генераторов с частотами, соответствующими компонентам ряда Фурье и работающими в диапазоне Гц 1//р. Очень важно то, что все компоненты имеют одну и ту же фазу колебаний, т. е. являются когерентными. Таким образом, мы видим, как можно реализовать идею об облучении образца дискретными когерентными частотами в интервале от —Т до + Г надо создать короткий импульс ВЧ-поля с длительностью 1/Г = 1р. [c.56]

Измерение активности облученных образцов можно проводить непосредственно после их переведения в раствор, а также после предварительного химического выделения определяемого элемента в осадок, экстракт или раствор любыми доступными методами. [c.355]

Пробирки вставляют в ячейки парафинового блока и облучают с помощью лабораторного источника нейтронов, обеспечивающего интегральный поток 10 ° нейтронов. Для этой цели парафиновый блок помещают вблизи места хранения источника нейтронов. Источник вносят, соблюдая меры предосторожности против облучения, в центральное отверстие парафинового блока. По прошествии необходимого времени ( 2 ч) источник перемещают в место хранения (см. инструкцию по использованию нейтронного источника), вынимают образцы и эталоны и проводят измерение их активности, опуская поочередно пробирки в колодец кристалла сцинтилляционного счетчика. Определяют активность к моменту прекращения облучения образцов и эталонов. [c.357]

Дефектность кристаллической решетки алита. Внедрение примесных ионов в кристаллическую решетку минерала приводит к созданию локальных дефектов, изменяющих ее энергию. Твердые растворы трехкальциевого силиката обладают значительным количеством точечных дефектов, таких, как вакансии, свободные носители заряда (электроны и дырки), центры термолюминесценции, парамагнитные центры, полученные при облучении образцов. Для определения концентрации точечных дефектов в алите промышленных клинкеров необходимо либо выделить минерал из клинкера, либо учесть влияние дефектности строения остальных фаз, что в настоящее время чрезвычайно затруднительно. [c.235]

Облучение потоком нейтронов, длительность которого может составлять от нескольких часов до нескольких суток, приводит к превращению всех элементов пробы в радиоактивные изотопы. Поэтому непосредственное измерение активности облученного образца не дает возможности определить содержание примеси каждого элемента в отдельности. Необходима предварительная химическая обработка материала. Полный нейтронный активационный анализ включает в себя следующие этапы. [c.790]

Помимо основной реакции (п, ) в ядерном реакторе протекают реакции на быстрых нейтронах типа (п, р), п, а) и др., в которых образуются изотопы соседних по Периодической таблице элементов. Кроме того, в облученном образце возможно появление дочерних радиоизотопов - промежуточных продуктов распада первично образующихся изотопов. И те и другие статистически равномерно распределены в определяемом элементе и могут, в принципе, использоваться в качестве чужеродной метки. [c.207]

Основываясь на представлении о миграции и объединении пузырьков, Барнс предсказал [ПО], что распухание отжигаемых после низкотемпературного облучения образцов должно описываться выражением типа [c.73]

Ясно, что, хотя экспоненциальный реактор и критические сборки требуются, в конечном счете всегда при создании реактора больших размеров вое же желательно провести некоторую предварительную экспериментальную проверку расчета реактора с помощью других, более простых методов. Такой эксперимент, но-видимому, весьма подходящий для этой цели, основан на использовании пульсирующего нейтронного пучка. Этот метод применялся для определения коэффициента диффузии тепловых нейтронов и макроскопических сечений поглощения реакторных материалов [С8—711. Позднее он был использован Кэмпбеллом и Стелсеном нри изучении корот-коживущих изотопов и измерении параметров размножающей среды в реакторе [72]. Эксперимент, в сущности, заключается в облучении образца реакторного материала очень коротким импульсом нейтронов и в измерении постоянной распада основного радиоактивного изотопа, возбужденного в образце. Интересующие параметры реактора могут быть затем получены из рассмотрения зависимости постоянной распада от формы и размеров образца (т. е. от геометрического параметра). Этот эксперимент особенно полезен при определении свойств материала ио отношению к тепловым пей- [c.409]

Ряс. 4.6. Битум 4Н54 после облучения а — увеличение объема на 24% при дозе излучения 5-10в Р б —увеличение объема на 12% при дозе излучения Ы09 Р в — кавернозная структура поверхности излома облученного образца. [c.170]

Условия облучения образцов и их оазмеры [c.132]

В составе большого исследовательского отдела были сосредоточены несколько квалифицированных лабораторий по исследованию свойств углеродных конструкционных материалов. Одной из важнейших лабораторий, которую возглавил Ю.С. Виргильев, стала лаборатория по исследованию радиационных нарушений в графите атомных реакторов. По соглашению с Минсредмашем на ряде действующих реакторов за этой лабораторией бьшо закреплено несколько экспериментальных каналов, где проводилось облучение образцов графита в широком диапазоне — до 10 нейтрон/см1 Эта работа помогла определить срок безопасной эксплуатации уран-графитовых реакторов, в том числе и ныне действующих АЭС. [c.107]

Радиоактивационный метод анализа. Метод основан на облучении испытуемого материала элементарными частицами, причем вследствие ядерных реакций возникают радиоактивные изотопы определяемых элементов или новые радиоактивные элементы. После облучения определяют содержание радиоактивных компонентов ядерной реакции. Для этого в простейших случаях используют непосредственно измерение радиоактивности материала после облучения, учитывая природу излучения, его энергию и период полураспада изотопа. Так, например, определяют содержание примеси меди в металлическом серебре. При облучении образца серебра посредством а-частиц медь (Си ") превращается в радиоактивный изотоп галлия (Са° ). который излучает позитроны и характеризуется периодом полураспада 9,6 часа. По интенсивности излучения этого изотопа галлия рассчитывают содержание меди в образце серебра. При облучении, вследствие ядерной реакции, из основного материала — серебра образуется два радиоактивных изотопа иидия, однако их период полураспада велик, поэтому радиоактивность мала таким образом, эти изотопы не мешают определению меди. [c.21]

Примером более слол<ного анализа является определение примесей в металлическом германии свойства этого материала, применяющегося, например, в качестве полупроводника для детекторов, чрезвычайно сильно зависят от присутствия очень малых количеств примесей других элементов. Для определения микропримесей редкоземельных элементов, сурьмы, молибдена, меди и др. поступают следующим образом . В ядерный реактор вводят испытуемый образец германия и чистый образец с известным количеством введенных примесей. После облучения образцы растворяют, вводят в качестве носителей-коллекторов нерадиоактивные изотопы определяемых элементов. Германий отгоняют в виде легколетучего тетрахлорида, а остаток подвергают разделению химическими методами, осаждая отдельно группу редкоземельных элементов, отдельно сурьму, медь и другие определяемые элементы. Активность выделенных фракций сравнивают с активностью фракций эталона и на этом основании вычисляют содержание микропримесей в испытуемом образце. Таким методом удается определить миллионные доли процента примесей редкоземельных элементов— до З-Ю / о сурьмы, молибдена и др. [c.21]

ИК-Спектры. При воздействии электромагнитных воли ИК-диа-пазона на систему взаимосвязанных атомов амплитуды колебаний связи увеличиваются. При этом молекула поглощает те частоты ИК-излучения, энергия которых соответствует разности между двумя колебательными уровнями энергии. Таким образом, при облучении образца инфракрасным светом с непрерывно меняющейся частотой поглощается излучение только с определенной энергией (длиной волны), при этом происходит растяжение или изгиб соотвстствуюцдих связей. Регистрируя интенсивность прошедшего излучения в зависимости от длины волны или волновых чисел, получают спектр поглощения — ИК-спектр. [c.271]

После охлаждения образцы по грани 8 х 35 мм шлифовали, исследовали их структуру на металлографическом микроскопе МИМ-8М и по методу Глаголева определяли объемное содержание связующего сплава по длине образцов. Распределение меди и кобальта по длине образцов исследовали методом локального рентгеноспектрального анализа на установке Микроскан-5 . Облучение образцов проводили электронным зондом длиной 1000 и шириной 2 мкм. Это позволило замерять усредненную интенсивность рентгеновского излучения исследуемых элементов и избежать влияния структуры сплава (зернистости) на измерение интенсивностей. Пять участков измерения интенсивностей располагались на грани 8 X 35 жж по линии, перпендикулярной продольной оси грани, расстояние между этими линиями составляло 0,5 мм. В образцах, контактировавших с расплавом кобальта, количественное содержание связующего металла находили также путем сравнения отношений интенсивностей кобальта и вольфрама (/со// у) с отношением интенсивностей этих элементов в эталонах. Абсолютная ошибка определения содержания кобальта составляла 0,5 об. %. Разность результатов определения содержания связующего металла по методике Глаголева и путем измерения отношений интенсивностей не превышала 0,8 об.%. [c.95]

Исследование природы парамагнитных центров (ПМЦ) в Y-облученных образцах методом электронного парамагнитного резонанса позволило установить присутствие двух типов дефектов в кристаллических решетках твердых растворов 3S электроны и дырки, локализованные вблизи примесных атомов, и электроны и дырки, захваченные катионными и анионными вакансиями, а также другими дефектами, присутствовавшими в кристаллах до облуче- [c.235]

При облучении образца УФ-светом возможна флюоресценция молекул, даюшая свет с большей длиной волны, который может попадать на детектор и приводить к ошибкам. Наличие флюоресценции у веш,ества может быть проверено на флюориметре. Чтобы уменьшить количество излучения [c.24]

ЛИЯ на актииометрируемой длине волны. Времена облучения 1 обычно выбирают таким образом, чтобы изменение оптической плотности составляло 0,1—0,6. Для большей точности обычно проводят холостой опыт сне-облученным образцом. [c.257]

При выборе режима предварительного облучения образцов иногда полезно заранее оценить ожидаемую для этого режима чувствительность радиометрического анализа. Такая оценка проводится на основе известных ядерных характеристик образующихся при облучении изотопоё с учетом параметров имеющейся в распоряжении экспериментатора измерительной аппаратуры. [c.207]

Кроме исследования распределения олова в стекломассе и толщины слоев, метод нейтронно-активационного анализа может быть успешно использован и для изучения изотопного обмена На — Зп в системе стекломасса — олово. Образец стекла диаметром 20 мм совмещали шлифованной стороной с поверхностью расплава олова и в таком состоянии нагревали до температуры 1100° С с последующим отжигом при этой температуре в течение 1 ч в среде очищенного аргона. Затем олово, находившееся в контакте с стекломассой, исходное олово и эталонный образец НагСОд облучали в потоке тепловых нейтронов 10 см сек пый анализ облученных образцов [c.211]

Облучение образцов моно- и бикристаллов бериллия проводилось в реакторе СМ-2 различными интегральными потоками быстрых нейтронов при температуре [c.63]

После отжига облученных образцов увеличение рассеяния стало заметным лишь при температурах более 450 °С. При этом на угле 15 оно составило 0,5имп/сек. С повышением температуры рассеяние от ступени к ступени отжигов сперва возрастало приблизительно в 2 раза, однако, начиная с температуры 650 °С, темп этого возрастания замедлился, а интенсивность хвостовых частей- даже стала уменьшаться (рис. 13). При температуре 900 °С рост интенсивности рассеяния полностью прекратился (рис. 14). [c.65]

Рис. 20. Распределение пор в облученных образцах берпллпя после отжига а — при 850 С в течение 20 мпп (смешанный излом) б — 50 мин (пзлом по телу зерна) в — 10 час г — 50 час <3 — при 900°С в течение 5 час е— 10 час (излом по границе зерна)

Исследованию подвергался горячепрессованный, тепловыдавленный, а также моно- и бикристаллический бериллий. Средняя величина зерна исследованных разновидностей бериллия составляла —30 и 70 мкм для горячепрессованного и 20 мкм для тепловыдавленного бериллия. Облучение образцов бериллия проводили в среде гелия при давлении 2—3 кГ/см . [c.80]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология