Криптон изомерия

Метод анализа по характеристическому излучению был применен, например, для установления ядерной изомерии брома [279]. Чтобы отличить рентгеновское излучение брома от излучения селена и криптона, необходимы две системы характеристических фильтров. Для анализа излучения брома и селена используются фильтры из селена и мышьяка. Сравнение полос поглощения селена и мышьяка с длиной волны (/Са, и Ка ) селена показывает, что последняя больше длины волны края полосы поглощения селена и мышьяка. Вследствие этого рентгеновские лучи селена должны поглощаться в этих фильтрах почти одинаково. В случае же брома длина волны (/Са, и Ка,) брома больше, чем длина волны края полосы поглощения селена и меньше, чем длина волны края полосы поглощения мышьяка. При этом рентгеновские лучи брома будут сравнительно слабо поглощаться селеном и сильно — мышьяком. Более сильное поглощение исследуемых лучей в мышьяке свидетельствует о принадлежности их либо брому, либо криптону. Что- [c.156]

Химическим путем можно перевести бром из этого осадка в бромистый этил. Бромистый этил будет состоять из смеси неактивных молекул и молекул, содержащих в своем составе радиоактивный бром. При радиоактивном распаде из радиоактивных изотопов брома образуется криптон. Это произойдет с теми молекулами, в состав которых входит бром-82 или изомер брома-80, находящийся в основном состоянии. Ядра изомера брома-80, находящиеся в возбужденном состоянии при переходе из метастабильного состояния в основное, испытывая отдачу, освободятся из исходной молекулы бромистого этила и будут находиться в свободном состояний, после чего, добавляя носитель — свободный бром, радиоактивный бром-80 может быть отделен химическим методом от других изотопов радиоактивного брома. [c.161]

Ряд работ посвящен разделению изомеров других элементов неона [22], азота [23], кислорода [24], криптона и ксенона [25] (другие ссылки см. в обзоре [11]). [c.229]

Для проверки предположения о существовании переходов на уровень с энергией 145 кэв, протекающих путем электронного захвата, к выдержанному в течение длительного времени образцу прибавляли теллур и иод в качестве носителей. Затем эти элементы разделяли химическими методами. Было установлено, что тщательно очищенная фракция теллура оказалась неактивной. На этом основании был сделан вывод, что к образованию 58-дневного изомера Те в приводит не более 5-10 от общего числа распадов Р . Если излучение Р направить через бериллиевое окошко в пропорциональный счетчик, заполненный криптоном, то окажется, что амплитудное распределение, наблюдаемое с помощью одноканального амплитудного анализатора, включает пики у-лучей с энергией 35 кэв и характеристические рентгеновские лучи isT-оболочки теллура. В другом исследовании в качестве сцинтиллятора использовали кристалл иодистого натрия, выращенный из раствора, содержащего Р . В этом случае каждый переход на уровень с энергией 35 кэв дает импульс с амплитудой, равной сумме 35 кэв и энергии характеристического рентгеновского излучения [c.429]

Вещества, образующие гидраты этого типа, обладают различными химическими свойствами. Они могут быть и, гидрофобными, не склонными к интенсивному взаимодействию с водой, нанример, за счет образования водородных связей. Этими веществами могут быть насыщенные и ненасыщенные углеводороды, хлор, четырехфтористый углерод, галогензамещенные производные метана и этана, а также аргон, криптон и ксенон. Способность к образованию данным газом гидрата определяется размерами и формой молекул, а не их химической природой. Метан, этан, к-пропан и изо-нропан образуют гидраты, а высшие члены гомологического ряда гидратов не образуют. 1,2-Дихлорэтан, молекула которого имеет вытянутую форму, не образует гидрата, в то время как его наиболее компактный изомер 1,1-дихлорэтан дает гидрат. Верхнему пределу размеров молекул, при которых возможно образование гидратов, соответствует -мольный объем около 85 см (для жидкости). Какую большую роль яграют при образовании гидратов молекулярные размеры, можно показать на примере бутанов в то время как к-бутан не образует гидрат, изо-бутан его образует. [c.404]

Накопление большого положительного заряда на отдельном атоме молекулы приводит к возникновению сил электростатического отталкивания, в результате чего молекула диссоциирует и многозарядный ион оказывается в свободном состоянии. Дальнейшая судьба такого иона зависит от матрицы, в которой происходит ядерный лроцесс. Если матрица лредставляет собой сильно разреженную газовую фазу, то время нейтрализации таких высокозарядных состояний может быть значительным (до нескольких секунд), и их существование можно установить экспериментально. Так, например, в электростатическом лоле из паров СбН5 Бг (под давлением несколько микрон ртутного столба) на катоде осаждались ионы изомера °Вг со средним зарядом -Ь10,2 е. В аналогичных условиях заряд атомов криптона после изомерного перехода в 83 Кг оказался равным - 7,7 е, а средний заряд изомера Хе -1-8,5 е. [c.233]

Либби и др. [23] провели очень интересный эксперимент по облучению малых концентраций гексана в жидком ксеноне при —80°. Димеры и гексены образуются с выходами, сравнимыми с выходами в чистом гексане, что свидетельствует о полном переносе энергии или заряда от ксенона к гексану даже при концентрациях порядка 0,04 мольной доли гексана. В пределах ошибок опыта распределение изомеров димера, по-видимому, не зависит от концентрации гексана. Стоун [101] облучал различные парафины в жидком криптоне при —190° и нашел для гексана С(Н2) = 1,7 независимо от концентрации в диапазоне 3—10 электрон. %. В аналогичных экспериментах с циклогексеном он практически не обнаружил убыли образования циклогексена по сравнению с чистым твердым состоянием, но димера, дициклогексила, образуется меньше. В присутствии таких акцепторов электронов, как 0,3% СС14 или СвНв, это уменьшение даже сильнее. Результаты для циклогексана не обязательно противоречат данным Либби, не обнаружившего уменьшение димеров в жидком ксеноне, поскольку димеры в циклогексане образуются во вторичном процессе путем соединения радикала с радикалом при плавлении. [c.230]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология