Воздействие магнитного поля диффузию

Воздействие магнитного поля на приготовление полиакриламида было всесторонне исследовано с применением различных физических методов. Было установлено, что эффект магнитного поля проявляется только при воздействии на неравновесную систему, т. е. в условиях смешения исходных компонентов реакционной смеси и обязательно в присутствии электролита [45]. В остальных случаях эффект отсутствовал. Это послужило основанием считать, что магнитное поле, воздействуя на ионы, интенсифицирует процесс диффузии компонентов реакционной смеси, предназначенной для получения ПАА-геля. Следует отметить, что в этом случае процесс [c.21]

В частности изучаются возможности воздействия магнитного поля на газовый разряд (дуговой или искровой). Наложение такого поля, например, на дуговой разряд приводит к снижению диффузии атомов из плазмы дуги, увеличению времени пребывания атомов в зоне возбуждения [1]. В работе [2] показано, что в этом случае происходит также возрастание температуры плазмы, причем чувствительность увеличивается в 3—5 раз (поле 600 гс). [c.255]

Перемещение ионов в растворе электролита может быть обусловлено диффузией, миграцией, конвекцией, воздействием магнитного поля. [c.16]

По-видимому, механизм описанного эффекта заключается в интенсификации процесса диффузии исходных компонентов при одновременном воздействии вибрации или ультразвука и магнитного поля, что и приводит к ускорению гелеобразования. [c.20]

Релаксационные процессы, определяемые подвижностью различных элементов структуры полимеров и характеризуемые временами релаксации в широком диапазоне от с до 10 ° с, наблюдаются методами релаксационной спектрометрии. Эти методы могут быть основаны на изучении поведения полимеров под действием статических или динамических механических нагрузок, при воздействии электрических и магнитных полей, а также в процессах стеклования, течения, диффузии и т, д. [c.76]

В случае размыкания рубильником дуги переменного тока, потухающей при каждом переходе напряжения через нуль, существенно, чтобы условия, имеющиеся налицо в разрядном промежутке, при размыкании не допускали нового зажигания дуги при последующем возрастании напряжения источника тока. Для этого требуется, чтобы при возрастании напряжения разрядный промежуток был достаточно деионизован. В выключателях сильных переменных токов высокого напряжения деионизации добиваются искусственно путём введения специальных электродов, отсасывающих заряженные частицы газа благодаря амбиполярной диффузии, а также путём применения механического дутья, путём воздействия на разряд магнитным полем [1711] и т. д. Об образовании дуги при разрыве электродов смотрите также [1739— 1743, 1772, 1800]. [c.518]

Исследования диффузионного уширения линий резонансного поглош,ения только начинают развиваться и, несомненно, дадут много ценной информации о характере движений атомов и молекул в твердых телах, на их поверхности и в вязких жидкостях. Особенно интересными представляются исследования подвижности атомов и молекул в точках фазовых переходов при различных внешних воздействиях на твердые тела, движения атомов, сорбированных на поверхности твердых тел вблизи точек поверхностного плавления, а также влияния внешних электрических и магнитных полей на диффузию ионов в жидкостях. [c.43]

Механизм воздействия внешнего поля на взаимодействие магнитных диполей связан с тем, что вращательное тегиювое движение частиц вынуждает флуктуировать магнитные оси диполей вблизи направления суммарного поля Н, действующего на диполь. Средняя величина косинуса угла (Нт) между направлением поля Н и диполя т и есть функция Ланжевена ( ). В отсутствие внешнего поля при Я= Hi, следовательно, А, = . Поэтому при условии (3.9.81) и, согласно формуле (3.9.70а) i( ) = )1о г,Я / ЪкТ. Здесь использованы принятые выше индексированные обозначения магнитного момента т, и локального поля Я, партнеров по взаимодействию. Вращательная тепловая диффузия оси диполя nij не слишком сильно влияет на напряженность локального поля Hj. Согласно формулам (3.9.75) и [c.662]

Магнитное поле воздействует на тлеющий разряд, изменяя главным образом характер движения электронов. Влиянием магнитного поля на более тяжелые ионы можно пренебречь. При включении магнитного поля электроны, скорость которых непараллельна ему, начинают двигаться по спиральным траекториям вокруг силовых линий магнитного поля. Радиус спирали уменьшается с увеличением напряженности магнитного поля. Следовательно, возрастает эффективная длина пути, проходимого электронами. В этом отношении действие магнитного поля подобно увеличстно давления газа. Другим важным эффектом является так называемый эффект магнитной -товушки , сильно уменьшающий радиальную диффузию электронов из зоны разряда. В результате снижаются потери электронов, способных ионизовать атомы газа. Этот эффект еще будет рассматриваться в разделе о высокочастотном разряде. В термоэмиссионной распылительной системе также используется относительно слабое магнитное поле (см. рис. 5). Более сильные поля, как будет показано далее, искажают разряд. [c.414]

На форму и характеристики расширяющейся дуги на участке / оказывают воздействие следующие факторы 1) расширение дуги, связанное с нагревом газа внутри нее 2) динамическое воздействие набегающего газового потока 3) магнитное сжатие дуги, обусловленное взаимодействием осевой составляющей тока с азимутальным собственным магнитным полем, которое препятствует расширению дуги и способствует З скореиию газа в осевом направлении 4) электромагнитное ускорение плазмы, связанное с взаимодействием радиальной составляющей тока с собственным азимутальным магнитным полем 5) продольный градиент давления в свободном потоке 6) вязкость среды, оказывающая влияние на скорости деформаций газовых объемов 7) энергообмен дуги с окружающим холодным газом 8) массообмен, обусловленный диффузией. [c.147]

Подвижность различных элементов структуры полимеров характеризуется временами релаксации в широком диапазоне от 10" ° с до 10 с, а соответствующие им релаксационные процессы наблюдаются методами релаксационной спектрометрии, например, при деформации полимеров под действием статических или переменных механических нагрузок или при воздействии электрических и магнитных (гл. VII, VIII) полей, а также в процессах стеклования (гл. II), течения (гл. V), диффузии и т. д. [c.58]

При изучении диффузии точечных дефектов существует два взаимодополняющих подхода. В первом случае учитывается влияние нарушений кристаллической решетки, а во втором — влияние кристаллической решетки на состояние дефектов. При этом симметрия играет центральную роль (при классификации как собственных, так и несобственных дефектных состояний). Совокупность элементов симметрии, присущих любой точке кристаллической решетки, образует группу симметрии, которая позволяет упрострггь решение задачи, если использовать теорию групп. Эксперимен-тальнью методы определения симметрии дефекта основаны на определении его анизотропных характеристик путем поляризованного возбуждения, либо с помощью различного рода воздействий, например, механических (одноосное сжатие), а также магнитными, электрическими, световыми полями. Во всех случаях возбуждения информацию о симметрии дефекта дает расщепление вырожденных уровней. [c.81]