Германий теллурид

Наиболее перспективными веществами для детекторов представляются кремний, теллурид кадмия и некоторые другие полупроводники с шириной запрещенной полосы более 1,2 эВ. Малая плотность кремния затрудняет его использование для регистрации у-квантов. Однако монокристаллы любого из полупроводниковых соединений в настоящее время сильно уступают по совершенству монокристаллам германия и кремния. Поэтому возможно, что в ближайшие годы детекторы из полупроводниковых соединений будут уступать по разрешающей способности германиевым и кремниевым. [c.520]

Теллурид германия - СеТе [c.61]

Прямое определение Sb в сочетании с рядом других элементов производится в самых разнообразных материалах, в том числе в алюминии [54, 55, 1134, бериллии и его соединениях [305, 1297], боре [778, 11171 и фосфиде бора [26], ванадии и его окислах [234, 491, 1117], висмуте [809, 909, 1134], вольфраме и его соединениях [195, 739, 795, 1265], вольфрамовых рудах [1480], германии и его соединениях [559, 634, 905], горных породах [386, 730, 1182, 1240, 1336, 1443, 1599], графите и углероде [235, 397, 612], жаропрочных и тугоплавких сплавах [176, 177, 379, 1278, 1593], железе [425, 1134, 14411, железных рудах и минералах [198, 386, 636, 971, 1336], сталях [176, 546, 1278, 1441, 1593] и чугуне [61, 274, 546, 1250], золоте [404, 754, 909, 1095] и его сплавах [196, 389,390, 1167], индии [1168, 1308] и сплавах на его основе [814, 815, 1267], иттрии и его окислах [234, 272], алюмоиттриевом гранате [82], кадмии [598, 599, 1134] и кадмиевых сплавах [819], кобальте [60, 153, 1134], кремнии [252, 1619], кварце [154], карбиде кремния 109, 110, 288, 789, 790, 1353], кремниево-медных сплавах 594], силикатах [1586], технических стеклах [612, 1579], меди 129, 482, 964, 997, 1176, 1599, 1609, 1645, 1654], медных сплавах 96, 482, 1048, 1188, 1457,1463, 1566], окиси меди [199], продуктах медеплавильного производства [3601 и медных электролитах [1298, 1600], молибдене и его соединениях [104, 237, 308, 795, 1325, 1347, 1443], мышьяке [472, 1134], никеле и никелевых сплавах [486], ниобии и его окислах [49, 972], олове [582, 744, 782, 812, 900, 1684] и его сплавах [1210, 1494, 1495], полупроводниковых материалах [668, 678, 806, 1298, 16841, припоях [210, 1101], свинце [481, 534, 908, 1154, 1155,1193, 1543,1655], свинцовых сплавах [126, 871], рудах [53, 667, 806, 1143] и пылях [811], РЗЭ и их окислах [234, 353], селене [154, 155, 499, 747, 818, 1134], селениде ртути [715], сере [189, 1134], серебре [388, 390, 391, 909, 1598], хло- иде серебра [1362], стеклоуглероде [397], сульфидных рудах 638], тантале [237], теллуре [156, 591, 592, 1134, 1613], теллуровом баббите [1656] и теллуриде свинца [342], типографских сплавах [323], титане и двуокиси титана [288, 306, 1262], тории и его окислах [272], уране [1447], окислах урана [878, 1182, 1240] и урановых рудах [1443], ферросплавах [792, 793], фосфоритах [879], хроме [555, 729, 792] и его окислах [54, 55, 571], цинке [976] и цинковых рудах и минералах [1142], цирконии [679] и двуокиси циркония [1368], производственных растворах [205, 882, 1290, 1323, 1324, 1483], сточных и природных водах [429], азотной, серной, соляной, уксусной, фтористоводородной и бромистоводородной кислотах [111, 121, 407, 552, 574, 10081, воздушной пыли [121. [c.81]

Основными материалами для изготовления детекторов (табл. 6.2.8) являются германий и кремний. ППД на основе теллурида кадмия, сульфида кадмия и иодида ртути считаются перспективными для регистрации у-излучения в изотопных приборах технологического контроля [12]. [c.85]

Тип детектора также определяется природой и интенсивностью излучения, проходящего через ячейку с образцом. Например, для ионизирующего излучения, такого, как рентгеновские лучи, подходящими детекторами являются счетчики Гейгера, пропорциональные или сцинтилляционные счетчики. Излучение низкой частоты (т. е. инфракрасное) регистрируют главным образом по вызываемому им тепловому эффекту поэтому основным элементом детектора для этого случая обычно служит чувствительная термопара или термосопротивление. В ячейках, которые широко используются для регистрации близкого инфракрасного излучения (длина волны от 0,8 до 3 мкм), чувствительным элементом является полупроводник (например, сульфид свинца, теллурид свинца или германий). При воздействии подобного облучения электроны в полупроводнике переходят в зону проводимости, и его электрическое сопротивление падает. Электрический ток, который протекает через полупроводник при наложении некоторого потенциала, является мерой интенсивности падающего излучения. [c.122]

Из соединений с серой известен дисульфид ОеЗа, который выделяется из сильнокислых растворов солей четырехвалентного германия при пропускании интенсивного тока сероводорода. Кристаллический ОеЗг представляет собой белые чешуйки с перламутровым блеском, расплав застывает в янтарно-желтую прозрачную массу и обнаруживает полупроводниковые свойства Температура плавления ОеЗг —825 °С. Моносульфид германия ОеЗ существует в аморфном и монокристаллическом состояниях. Кристаллический ОеЗ темно-серого цвета, плавится при 615 °С. Все халькогениды германия (сульфиды, селениды и теллуриды) обнаруживают полупроводниковые свойства, С фосфором германий дает соединение ОеР. [c.221]

Полупроводники — довольно многочисленная группа простых веществ и соединений. К ним относятся некоторые минералы, элементарные вещества (кремний, германий, фосфор, мышьяк, селен, теллур, бор), оксиды металлов (одноокись цинка, двуокись титана, трехокиси молибдена и вольфрама), сульфиды, селениды и теллуриды металлов Ш- и ИВ-групп. [c.245]

В последние годы большое практическое значение благодаря своим полупроводниковым свойствам приобрели селениды и теллуриды элементов подгруппы цинка (А В ), подгруппы германия (А В ) и подгруппы мышьяка (А вУ ) [52]. Все они химически стойки. Чтобы их растворить, приходится прибегать к действию концентрированных минеральных кислот при нагревании (к НС1 рекомендуется добавлять пергидроль) или даже царской водки. Халькогениды Ge, Sn, As, Sb растворяются также горячими растворами щелочей. [c.114]

Для проверки качества покрытий материалом ПФ-23 были защищены термоэлементы на основе теллуридов свинца и германия, скоммутированные железными токопроводами. Эти термоэлементы подвергались ресурсным испытаниям в условиях, близких к реальным перепад температур 200° (600—400°), среда — аргон, время испытаний — 1000 час. Изменение электрофизических параметров термоэлементов в процессе испытаний показано на рис. 67. [c.138]

Структура теллурида германия [c.463]

Спектры внутреннег о отражения наблюдают, когда исследуемый образец находится в контакте с призмой из оптически менее плотного материала излучение проходит сначала через призму и ее границу с образцом под углом, превышающим критический (т.е. угол падения, при к-ром преломление света в образец прекращается), а затем проникает в образец (на глубину до 1 -2 мкм), где теряет часть своей энергии и отражается. Таким образом получаются спектры нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО). В качестве материала призм используют прозрачные в разл. областях спектра материалы в частности, кварц, оксиды цинка и магния, сапфир, кремний, фторид кальция, сульфид мышьяка, германий, GejjSejoASij, селениды мышьяка и цинка, хлориды натрия, калия и серебра, бромиды калия и серебра, теллурид кадмия, алмаз. [c.395]

В последние десятилетия существенно расширились области использования другой группы стекол—х а л ь к о г е н и д н ы х, под которыми понимают стекла, где роль кислорода играют его аналоги по периодической системе — 5, 5е или Те, т. е. стекла на основе сульфидов, селенидов, теллуридов. В качестве стеклообразовате-лей в них выступают селениды мышьяка, германия, фосфора (АзгЗез, ОеЗг, РгЗез) и сульфиды мышьяка и германия (АзгЗз, ОеЗз). Халькогенидные стекла непрозрачны для видимого света, но отличаются прозрачностью в широкой инфракрасной области спектра. Они обладают электронной проводимостью, свойственной полупроводникам. Это делает оправданным их использование в решении различных прикладных задач. [c.132]

Сульфид свинца РЬ8 был первым практическим детектором, разработанным в Германии перед второй мировой войной. В 50-е г. появление новых фотопроводящих материалов, таких как селенид свинца РЬЗе, теллурид свинца РЬТе и антимонид индия 1п8Ь, позволило освоить спектральный диапазон ИК-излучения до 3. .. 5 мкм. Использование примесных уровней меди, цинка и золота в германии расширило диапазон до 30 мкм. [c.213]

Очень интересно выяснить, совпадают ли структуры поверхностей расколотых кристаллов и кристаллов, очищенных с помощью ионной бомбардировки и прогрева. Такого рода эксперименты впервые были выполнены Хейнеманом [21], который рассматривал грани (0001) теллурида висмута. Результаты исследования поверхностей, приготовленных указанными способами, находились в согласии друг с другом. Однако, как отмечено выше, структура этих кристаллических граней не отклоняется от нормальной. Поэтому были поставлены более многообещающие эксперименты, позволявшие сравнивать грани (111) поверхностей германия, приготовленных двумя способами [15, 23]. Хотя для грани (111) поверхности раскола также наблюдались потоки дробного порядка, распределение интенсивности в обоих случаях заметно различалось. Кроме того, прогрев поверхности раскола приводил к резко выраженным изменениям, позволяющим предположить, что после раскалывания при комнатной температуре атомы поверхности находятся не в равновесных положениях. Было также отмечено, что поверхность, полученная методом конной бомбардировки и прогрева, значительно ближе к идеальной поверхности, образуемой набором граней (111), чем поверхность раскола. Лендер н др. [24] сравнительно недавно повторили опыты с раскалыванием кристаллов кремния и получили похожие результаты. Прогрев расколотых кристаллов также приводил к большим изменениям, согласующимся с данными для поверхностей, получаемых методом ионной бомбардировки и прогрева. Эти опыты заставляют серьезно усомниться в ценности экспериментальных данных, полученных на непрогретых поверхностях раскола. [c.329]

Наиболее распространёнными и высокоэффективными низкотемпературными материалами являются тройные сплавы на основе теллурида висмута Bi2Te3. Добротность таких материалов в указанном диапазоне температур составляет значение 3- 10 1/°С. Из среднетемпературных материалов в настоящее время нашли применение РЬТе (материал п-типа) и GeTe (материал р-типа) с максимальным значением Z = 1,8 10 1/°С. Из высокотемпературных термоэлектроматериалов практическое применение нашли кремний-германие-вые сплавы с максимальным значением Z = [c.269]

Противосублимационная защита теллуридов свинца и германия обеспечена покрытием на основе материала ПФ-23 [206, 207]. Термоэлементы на основе РЬТе и ОеТе, защищенные материалом ПФ-23, подвергались ресурсным испытаниям в условиях, близких к реальным условиям работы термоэлементов температурный перепад 200° С (600—405° С), среда — аргон, время испытаний 1000 ч. За время испытаний термоэдс этих термоэлементов сохранялась стабильной, а сопротивление увеличилось на 5 %. Контрольный образец без покрытия разрушился полностью после 270 ч испытаний. [c.137]

В работах В. Н. Вигдоровича с сотр. были исследованы периодические зависимости коэффициентов распределения примесей в металлах 1медь, серебро и золото [20], цинк и кадмий [21], алюминий [22], индий [23], таллий [24], сурьма [25], висмут [26], олово [27] и свинец [28]) (рис. 7—10), а также в элементарных полупроводниках (кремний и германий [29]) и полупроводниковых соединениях (антимонид индия [29], арсениды индия и галлия [30] и теллурид кадмия [31] (рис. 11—13). [c.21]

По предложению Трамбора [35], для оценки значений коэффициентов раонределения примесей в кремнии и германии используется их зависимость от значений тетраэдрических радиусов примесных элементов (рис. 15). Аналогичные зависимости оказались полезными и для арсенидов галлия и индия [30] (рис, 16, а и рис. 17,а) и теллурида кадмия [31] (рис. 18,а). [c.26]

Эффективность направленной кристаллизации при решении указанной задачи можно иллюстрировать результатами работ [227, 228], где было показано, что несмотря на сходный вид диаграмм состояния систем Ое — 5е и Ое—-Те в области существования мо-нохалькогенидов германия, характер плавления соответствующих соединений различен. Так, по распределению селена в кристаллах, выращенных из расплавов системы Ое —8е с содержанием 49,99— 51,00% (ат.) 5е, пришли к выводу об инконгруэнтном плавлении селенида германия. Напротив, данные по направленной кристаллизации образцов, близких по составу к ОеТе, показали, что теллурид германия плавится конгруэнтно состав эвтектики, концентрирующейся в конечной части перекристаллизованных образцов, соответствует 49,85% (ат.) Те. [c.165]

Для заш,иты теллуридов свинца и германия от сублимации рекомендуются покрытия на основе оргапосиликатных материалов со стекловидными добавками [283]. [c.138]

Лю Цюнь-хуа, ПашинкинА. С.,НовоселоваА. В. Определение давления насыщенного пара твердых селенида и теллурида германия. — Ж. неорган. химии, 1962, т. VII, вып. 5, с. 963—966. [c.191]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология