Фононы время жизни

Время жизни носителей. Время жизни т — время, характеризующее экспоненциальный спад неравновесной концентрации носителей в результате их рекомбинации. Существуют следующие механизмы рекомбинации излучательный (энергия рекомбинирующей пары электрон — дырка излучается в виде фотона), фонон-ный (энергия пары передается решетке), ударный (энергия пары передается третьей частице). [c.341]

Если энергия возбуждения Й сов, для передачи его в решетку нужно разменять энергию на несколько фононов. Вероятность такого процесса невелика. Но если недалеко находится подобная молекула, то возбужденная молекула может передать ей свою энергию резонансным путем. Время жизни такого возбуждения, мигрирующего по подобным молекулам, также близко к 10" — —10" сек. [c.128]

Длина свободного пробега экситонов невелика. Нелокализованные экситоны за время жизни, определяемое столкновением с фононами, мигрируют на расстояние порядка нескольких постоянных решетки. Поглощение нелокализованным экситоном фононов приводит к его диссоциации на электрон и дырку [123]. Время жизни локализованного экситона, как правило, существенно выше. Экситоны этого вида образуются вблизи дефектов и могут мигрировать на расстояния порядка 1000 постоянных решетки. Энергия этого вида экситонов может быть передана молекулам, адсорбированным на дефектах. [c.67]

Измеренная полуширина этих линий КР изменяется от 12 см- для ГО-моды до 2,9 см для LO-моды, указывая на то, что в последнем случае фононы имеют большее время жизни, чем в первом. [c.507]

С помощью указанного метода концепция фонона (кванта упругих колебаний кристаллической решетки), основанная на коллективном характере теплового движения атомов в кристалле, перестала быть только удобной формой теоретического рассмотрения экспериментатор, использующий технику рассеяния медленных нейтронов, может, в принципе, измерить энергию и импульс единичного фонона, определить время его жизни, направление распространения, поляризацию и т. д. Одним из наиболее существенных достижений метода рассеяния медленных нейтронов явилось измерение спектра возбуждения фононов и ротонов жидкого Не-И. Замечательным в этих исследованиях является то, что экспериментально полученные значения энергии возбуждения этих квазичастиц прекрасно подтверждают энергетический спектр, предсказанный Ландау. [c.186]

Энергия, полученная от радиоизлучения, может передаваться спиновой системой окружения, например, в виде фононов решетки, и такой процесс называется, как уже говорилось в гл. I, спин-решеточной релаксацией (Т ). Время жизни т верхнего состояния уменьшается также из-за индуцированного испускания и при этом, как следует из принципа неопределенности бЕАх Н, возрастает неопределенность энергии состояния и происходит уширение линии (рис. 111.10, а, б). Существует, кроме того, механизм спин-спиновой релаксации (Та), определяемый беспорядочным распределением полей ядерных и электрон- [c.65]

Исследования показывают, что энергетический спектр нейтронов для жидких металлов подобен спектру рассеяния на поликристаллах. Следовательно, рассеяние нейтронов в жидкости аналогично действующему в твердом теле, т. е. в жидкости существуют высокочастотные коллективные возбуждения, подобные по своей природе фононам. Однако отождествлять фононы в жидкости с квантами гармонических колебаний кристаллической решетки нельзя, поскольку колебания атомов в жидкостях являются сильно затухающими. Колебания атомов в жидкостях можно представить как квазифононы (аналогично колебаниям решетки кристалла вблизи точки плавления). Опыт показывает, что вблизи точки плавления время жизни фонона составляет Ю с, т. е. всего несколько периодов колебаний, а длина свободного пробега L 20 A. Эти величины соответствуют времени, в течение которого конфигурация атомов остается в жидкости прежней. [c.186]

Фононы называются виртуальными (от лат. у г1иаИз — возможный), так как вследствие принципа неопределенности их короткое время жизни позволяет не учитывать закона сохранения энергии во время процесса взаимодействия. [c.268]

Квантовомеханический расчет поглощения характеризуется тем, что непрямые переходы рассматриваются как бы происходящими через ряд промежуточных, виртуальных состояний, которым можно приписать очень малое время жизни. Энергия при переходе в виртуальное состояние не сохраняется, но импульс сохраняется. Соз ранениеэнергии имеет место для всего перехода в целом. Для каждого акта испускания или поглощения фонона имеются два возможных пути двойного перехода (см. рис. 172, б). Во-первых, под действием света электрон без заметного изменения своего [c.420]

ЯВЛЯЮТСЯ колебания ОН-связей с энергией /iVoh 0,45 эВ. При невысоких температурах в основном оказывается заселенным нижний подуровень /о- Поэтому наиболее вероятен переход системы /ц—//д. В этом случае средняя энергия активации релаксации заряда МПС АЕ определяется энергией возбуждения электрона в зону проводимости Ge s. т. е. АЕ = E s Р, где F — энергия Ферми. Оказалось, что экспериментальные величины АЕ не сильно отличаются от этой разности. Малые вероятности захвата связаны не только с высокой поляризуемостью МПС, но и с необходимостью диссипации достаточно большой энергии, накопленной на воспринимающей моде ( 0,45 эВ). Для ее размена требуется не менее 10 фононов решетки. Захваченный электрон находится в состоянии сильной электрон-фононной связи с колебаниями адсорбционного комплекса. Однако локальные моды комплекса слабо связаны с фононным полем кристалла. Передача энергии возможна только за счет ангармонизма связей. Кроме того, в случае неупорядоченной реальной поверхности энергетический спектр поверхностных фононов отделен от спектра объемных фононов энергетическим зазором. В результате всего этого время жизни локальных колебаний комплексов намного превышает время колебательной релаксации в объеме, что подтверждается экспериментом [6]. [c.58]

ТОТЫ, контур окажется дисперсионнмл с полушириной Ь, обратно пропорциональной времени корреляции т. Разумеется, оптическая активность предполагаемого процесса возможна лишь при С штии ограничений, налагаемых симметрией кристалла и законом сохранония квазиимпульса. Время т при этом характеризует среднюю продолжительность жизни той части фононов, которне исчезают при взаимодействии с дефектами. Поскольку сплошной спектр сосуществует с МЧ, можно думать, что он обусловлен акустическюли фононами, и [c.128]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология