Совмещение фотошаблонов

Поэтому экспонирование в вакуумной раме необходимо проводить не только для плотного, беззазорного совмещения фотошаблона и слоя ФПК, но и для ослабления кислородного ингибирования. [c.187]

В заключение следует отметить, что экспонирование резистов электронами имеет определенные преимущества, как-то высокое разрешение, довольно высокую скорость линейного перемещения луча, до 12,7 м-с [147] и возможность перемещения луча по программе. Однако существует и целый ряд недостатков, как-то высокая стоимость оборудования, сложность управления электронным лучом, дополнительные затраты времени из-за того, что установки связаны с вакуумными системами, продолжительное время экспонирования, присущее всем методам изготовления рисунка электронным лучом, и, наконец, трудности, связанные с совмещением рисунка. Экономически этот метод эффективен из-за малого выхода из строя приборов, применения приборов малых размеров и отсутствия контакта с фотошаблоном. [c.645]

Широко используемые в производстве интегральных схем, хромовые фотошаблоны непрозрачны для видимого света, что затрудняет операцию совмещения. С технологической точки зрения удобнее иметь фотошаблоны прозрачные в видимом свете, по не пропускающие излучения, которое используется для экспонирования фоторезистов. Для приготовления таких фотошаблонов было предложено [180] использовать смесь окислов ванадия и железа. [c.469]

Фотошаблоны выполняют из стекла, прозрачного для ультрафиолетового излучения с длиной волны 300 - 500 нм. Важной технологической операцией при изготовлении фотошаблонов является металлизация заготовок фотошаблонов для создания непрозрачного тонкого сплошного слоя, обладающего высокой адгезией к поверхности стеклянной подложки, который не должен иметь точечных дефектов в виде проколов и должен быть стойким к истиранию при совмещении с подложкой (выдерживать 50 — 200 операций совмещения). [c.27]

Точность воспроизведения размеров рисунка — вопрос более сложный, потому что отклонения от заданных первоначальных размеров накапливаются на протяжении всего технологического процесса изготовления и фотошаблонов, и фоторезистов. С этой точки зрения, очень трудно оценить два непрерывно изменяющихся параметра — это качество оборудования и аппаратуры и опыт операторов. Принимая идеально воспроизводимыми процессы нанесения фоторезиста, экспонирования, проявления и травления, тем не менее необходимо отметить, что конечные размеры рисунка после травления будут воспроизведены, но будут отличаться от первоначально заданных. Отклонения, возникающие при вырезании оригинала, изменении режимов технологии изготовления фотошаблонов и другие, непременно имеющие место ошибки, даже в случае самых лучших условий выполнения технологического процесса получения фоторезиста, увеличивают возникающие систематические ошибки. Ошибки, возникающие при мультиплицировании и совмещении фотошаблонов, здесь не рассматриваются, так как они оказывают воздействие только на расположение элементов рисунка относительно друг друга, но не на размеры. Оценим значения вносимых ошибок. По данным, опубликованным Шутцем и Хенингом, при самых благоприятных условиях работы эти отклонения составляют от 0,5 до I мкм на каждой из перечисленных выше операций. Суммарная ошибка, по-видимому, не очень велика. Отклонение размеров рисунка в 2,5 мкм является обычным явлением для линий шириной в 25 мкм, а ошибка при последующих совмещениях отдельных фрагментов рисунков может увеличить ее ровно вдвое [23]. [c.616]

В том случае, когда пленочный фоторезист наносится с целью защиты от вытравливания (негативный процесс) применяют фоторезист толщиной 20 мкм, для защиты от осаждения металла при гальванических операциях используются фоторезисты толщиной 40 и 60 мкм. После накатки СПФ заготовки плат выдерживают в течение 30 мин при комнатной температуре в темном месте для снятия внутренних напряжений, после чего платы подвергают экспонированию. Операция экспонирования заключается в следующем на слой фоторезиста в специальном приспособлении, обеспечивающем точное совмещение рисунка схемы с отверстиями на заготовке, накладывается фотошаблон печатной схемы приспособление помещается в светокопировальную раму, где под действием сильного источника света (ртутно-кварцевые лампы) происходит задубливание фоторезиста на освещенных участках. Продолжительность экспонирования подбирают опытным путем в пределах 0,5—2,0 мин. После экспонирования следует операция проявления, т. е. растворение и удаление фоторезиста с незадубленных светом 216 [c.216]

Возникают и другие затруднения из-за того, что для создания рисунков схем обычно требуется проводить не одну, а несколько операций травления и, следовательно, необходимо применять комплект шаблонов. При создании нескольких рисунков на одной подложке особенно важно, чтобы рисунки, получаемые травлением пленок, точно соответствовали фиксированному положению друг относительно друга. Это может быть достигнуто только в том случае, если при изготовлении фотошаблонов и контактном печатании весь комплект фотошаблонов был изготовлен с одним и тем Ж8 коэффициентом уменьшения и высоким совершенством совмещения последующих рисунков друг относительно друга на всех операциях. Процесс выравнивания положения рисунков относительно друг друга и мера точности, с которой выполняется эта операция, называется совмещением. Специальные знаки для совмещения в виде точек или штрихов обычно размещаются в нескольких участках матрицы рисунков для того, чтобы облегчить точное регулирование положения фотошаблона и рисунка относительно друг друга по всей площади подложки прн переходе от одного слоя к следующему. Некоторые методы совмещения были описаны Остапковичем [25]. [c.572]

Разработкой последующих лет является усовершенствованный фотоповторитель фирмы Д. В. Манн . В этой установке фотопластина перемещается под объективами, которые представляют собой обращенный минро-скоп. На таких установках достигается очень высокая разрешающая способность. Отличительной особенностью таких установок является очень короткое время выдержки, около 5 мкс, достигающееся за счет использования импульсной ксеноновой лампы. Расстояние перемещения между отдельными интервалами настолько мало, что позволяет осуществлять непрерывные перемещения фотопластины. Заданная продолжительность выдержки обеспечивается или установлением необходимой скорости перемещения, или контролем перфорированной лентой. Точность перемещения по шагу составляет 1,25 мкм. Применение многолинзовых объективов позволяет обрабатывать одновременно несколько фотошаблонов на одной установке. Поскольку совмещение изображений в том случае, когда размеры приборов все время уменьшаются, стало особенно существенным, поэтому для преодоления этого затруднения были разработаны новые методы и аппаратура высоко чувствительного контроля перемещения координатного стола. К ним относятся оптический метод сканирующего луча и лазерные интерферометры [25]. В частности, последний метод позволяет производить очень точные измерения длины на очень больших расстояниях. Прн этом достигается точность отсчета в 0,25 мкм для интерферометрических систем с управлением от электронно-вычислительной машины [44]. На одном из таких фотоповторителей с применением лазера была достигнута точность отсчета менее 0,1 мкм [45]. [c.581]

Перед экспонированием подложки с защитным рельефом фоторезиста следует проверить на отсутствие дефектов и наличие знаков для совмещения на каждом фотошаблоне комплекта. Наиболее эффективные методы контроля фотошаблонов рассмотрены Хенриксеном [90]. Одним из методов является контроль под микроскопом при 600-кратном увеличении размеров, изучение дефектов рисунка, контрастности, вуали, резкости краев линий рисунка, установление проколов и других дефектов. Контроль совмещения отдельных фотошаблонов комплекта при отсутствии ошибок при компоновке можно осуществить наложением всех фотошаблонов на одну и ту же подложку с последующим сравнением всех деталей рисунка с оригиналом компоновки. [c.600]

Формирование рисунка световым лучом. Для методов проекционного экспонирования, описанных в предыдущем разделе, необходимо наличие увеличенного фотошаблона полупроводниковой интегральной схемы. Необходимость в промежуточном диапозитиве устраняется, если рисунки, которые надо вытравить, вычерчиваются непосредственно на покрытии фоторезиста, нанесенного на подложку, посредством программного управления световым лучом. Схема такой установки экспонирования световым лучом была описана Бреннеманом и др. [147] и приводится на рис. 20. Световой луч формируется квадратной апертурой, изображение его уменьшается в 10 раз и фокусируется на поверхности покрытия фоторезиста, нанесенного на подложку. Освещение желтым светом позволяет наблюдать за поверхностью образца и пятном света на экране при 200-кратном увеличении, что облегчает совмещение. Подложка крепится на координатном столике с прецизионным механизмом для перемещения, позволяющим устанавливать подложку с точностью 6 мкм. Формирование рисунка осуществляется с помощью устройства, управляемого по программе, записанной на магнитной ленте. С магнитной ленты подаются сигналы открытия или закрытия задвижки с ее помощью так е устанавливаются продолжительность экспонирования и направление перемещения. [c.636]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология