Конфигурационная координата

Модель конфигурационных координат [c.168]

Более справедливо говорить о существовании в примесных системах набора состояний, когда, наряду с основным (глубоким), имеется ряд метастабильных (мелких) состояний, отличающихся зарядом и локальной координацией. Общую ситуацию можно проиллюстрировать с помощью схематической конфигурационной диаграммы рис. 2.7, представляющей вероятные варианты образования ВХ-центров примеси в зависимости от ее смещения из позиции замещения по обобщенной конфигурационной координате [61]. Видно, что вариант (1) соответствует нестабильному ОХ-центру. Варианты 2, 3) — метастабильному (2) и стабильному (5) ВХ-центрам, отделенным от основного состояния (позиция замещения) потенциальными барьерами. Случай (4) описывает ситуацию, когда основное состояние по отношению к ВХ-состоя-нию нестабильно. [c.47]

Как и в молекуле, где ядра не успевают сместиться из положения равновесия во время электронного перехода (принцип Франка — Кондона), в кристаллической решетке ионы во время электронного перехода также не успевают сместиться из положения равновесия. В случае изолированной молекулы этот факт быстрого перехода электрона означает, что должна учитываться также энергия колебания системы, зависящая от взаимного положения потенциальных кривых в конфигурационных координатах нормального и возбужденного состояний молекулы. В ионном кристалле фотоэлектрон связан не с одним только узлом, а со всей решеткой в целом. Поэтому на электронный переход реагируют не только непосредственно участвующие партнеры, как в случае молекулы, но все узлы решетки выводятся из электростатического равновесия, в котором находились до электронного перехода. В связи с этим энергия поглощенного кванта затрачивается не только на первичный электронный переход, но и на последующие вслед за переходом вторичные явления, связанные с переходом решетки в новое равновесное состояние. [c.121]

Таким образом, в отличие от всех других пиков, появление которых возможно главным образом только при облучении фосфора рентгеновским излучением, образование пика при—130°С происходит также под действием ультрафиолетовых лучей, способных вызывать лишь возбуждение центров свечения, а не их ионизацию. Отсюда следует, что пик при — 130°С должен быть обусловлен метастабильными уровнями самого активатора. Роль таких метастабильных уровней могут играть, например, уровни прямой переход с которых в основное состояние запрещен правилами отбора. При надлежащем пересечении потенциальных кривых в конфигурационных координатах метастабильного уровня [c.222]

По оси абсцисс отложены так называемые конфигурационные координаты , определяющие координаты взаимного расположения ядер. Кривые схематически изображают изменение электронной энергии основного и первого возбужденного состояний в зависимости от значений координат ядер. Как мы увидим далее, диаграммы такого типа применимы для описания любой химической реакции. [c.12]

Значения конфигурационных координат в областях а Ь соответствуют двум изомерным формам молекулы, устойчивым по отношению к малым смещениям атомов. Принято, что электронные энергии обеих форм и равны, хотя это допущение не является необходимым. Сечение поверхности проходит через седловинную точку энергетического барьера, разделяющего два минимума а и Ь. Энергия самой высокой точки перевала обозначена через Е" . [c.13]

Рис. 3.13. а—изменение потенциальной энергии вдоль конфигурационной координаты для реакции, протекающей через долгоживущий комплекс если высота барьеров 1 и 2 сопоставима, то преодоление любого из них мол ет быть лимитирующей стадией, б — если второй барьер гораздо ниже первого (как в случае О 4- ОН О2 + Н), реакция как бы не замечает существования потенциальной ямы между барьерами. [c.176]

Поскольку теплота активации, получающаяся в модели Герни, оказалась намного больше наблюдаемой, его работа не рассматривалась до 60-х годов. Указав на этот недостаток, Батлер [11] предположил, что продуктом реакции является Наде и ввел в (37) энергию адсорбции. При этом конфигурационной координате был придан смысл расстояния Н—ОН2 (точнее, координаты реакции [c.222]

Л, 7 и В как функции соответствующих сопряженных конфигурационных координат имеют вид, показанный на фиг. 24. В точке электронная энергия возбуждения состояния В легко трансформируется в энергию бдлее низкого состояния У плюс большое количество колебательной энергии. [c.41]

Левая часть кривой соответствует устойчивым молекулам Л и В, правая —Си О. В левой части кривой атомы, участвующие в реакции, сочетаются в молекулы А а В, в иравой —в Си/). В каждом случае плоские участки соответствуют полной энергии обоих сортов молекул (Л и В или С и Л) при условии, что оба сорта молекул отделены друга от друга и что их конфигурационные координаты имеют значения, соответствующие минимуму внутренней энергии. Максимум представляет-энергию системы атомов в седловинной точке при превращении Л + В [c.20]

Чистая поверхность простого металла обладает ненасыщенными поверхностными силами и поэтому способна к взаимодействию с молекулами. Однако, поскольку направленность валентностей выражена слабо, энергия связи почти не зависит от конфигурационных координат атомов внутри молекулы. Следовательно, в идеальном случае активированная конфигурация не сможет взаимодействовать с поверхностью значительно сильнее, чем нормальная, и каталитический эффект поверхности окажется слабым. Сама по себе велР1чина энергии связи между поверхностью и молекулой может быть большой, в частности если металл сильно электроположителен, а молекула либо электроотрицательна, либо обладает дипольной группой, сильно притягиваемой к поверхности. В этом случае молекула окажется притянутой к поверхности. [c.22]

РИС. 6.2. Разрез, У-мерных поверхностей потенщ1альной энергии в зависимости от атомной конфигурационной координаты. [c.404]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология