Формула Мотта

Используя известную формулу Мотта [9] [c.136]

Внешне эта формула (ее называют формулой Мотта) подобна уравнению (1.46), определяющему зависимость квантового выхода люминесценции от температуры при внешнем тушении, но в.ходя-щие в нее параметры имеют иной смысл. [c.40]

Мотт [8] получил аналогичные формулы, рассматривая в пределе только подвижности микроскопических компонентов вместо подвижностей макроскопических компонентов, как это делается в термодинамической теории. [c.310]

При напряжении р — х опасная величина трещины, согласно формуле (IV.2), составляет с =а Сго/т . По модели Мотта — Стро (см. гл. IV, 2) для образования такой трещины необходимо слияние скопления, содержавшего определенное число дислокаций п с п СЬ 18л 1 — [г)а. Приравнивая два приведенных соотношения, мы находим число дислокаций К, характеризующее опасное при данном уровне напряжений скопление (т. е. опасную локальную концентрацию деформационных неоднородностей) [113, 119] [c.203]

Применяя эту формулу в предельных случаях, Мотт получил для высоких температур и слабых электрических полей [c.186]

Он же проверил и уточнил зависимость между индексом сбрасывания и трещиноватостью кокса, предложенную Моттом и Уилером [132], выразив ее формулой [c.328]

По методу функций Грина была рассмотрена только валентная зона, а положение s-состояний в зоне проводимости оценивалось следующим образом было рассчитано приближенное положение 25-уровня Li в маделуиговском поле и затем учтены поляризационные поправки по формуле Мотта — Литтлтона. (Полученные одноэлектронные энергии также приведены в табл. 4.7.) Для сравнения приведены результаты зонных расчетов методом ячеек. Качественно все результаты согласуются между собой. Они предсказывают довольно широкую валентную s-зону с. максимумом в точках X или W. Минимум зоны проводимости расположен в точке X и образован р-функциями лития s-зона проводимости расположена в среднем выше р-зоны. Полученные к настоящему времени экспериментальные результаты по электронной структуре Ji-экситонов хорошо согласуются с этим выводом. [c.226]

Итак, приходится констатировать, что без знания физической природы частотной зависимости дифференциальной емкости полупроводникового электрода невозможно по емкостным данным достаточно обоснованно определить концентрацию доноров (акцепторов) в электроде по формуле (2), каков бы ни был способ представления графика Мотта— Ш оттки. Поэтому приведенные в разных работах величины концентрации акцепторов в атгмазе, вычисленные по теории Шоттки для произвольной частоты измерительного сигнала, следует считать приближенными. Но д и целей качественного сравнения электродов из одного и того же полупроводникового материала нам представляется более удобным использование графиков (Т -Е (особенно для случаев, когда показатель степени а не слишком сильно отклоняется от 1) или i -E. [c.45]

Но Грасси и Мотта показали, что при восстановлении гексаметилентетрамина в кислом растворе кроме метиламина получается еще и триметиламин, вследствие чего они предпочли формулу Лозеканна. [c.376]

Мотт и Батесон при расчете скорости роста гриффитовой трещины в хрупком теле учитывали кинетическую энергию раз-движения стенок трещины, которая определенным образом связана со скоростью ее роста. Формула Батесона для скорости роста трещины имеет следующий вид [c.25]

На рис. 2 представлен типичный начальный участок вольтамперной характеристики исследуемой системы в координатах (V, //). При напряжении примерно до в вольтамперная характеристика соответствует линейной зависимости тока от напряжения. Это указывает на то, что в этом интервале напряжений в переносе заряда преобладает диффузионный механизм. С ростом напряжения диффузионный механизм сменяется дрейфовым. В этой области справедлив закон Герни — Мотта, и наблюдается квадратичная зависимость тока от напряжения. В принятой нами системе координат этот участок имеет вид прямой линии. Если затем экстраполировать полученную прямую до пересечения с осью напряжений (пунктир), то отсекаемый на оси отрезок, в соответствии с уравнением (4), представляет собой вольта-потенциал Фой. который описывается формулой (7). Отсекаемый отрезок расположен слева от начала координат. Это указывает на то, что, кроме V и фосг, вольтамперную характеристику определяет скачок потенциала, который, возможно, обязан своим происхождением адсорбции кислорода. [c.129]

Это и есть так называемый обратный логарифмический закон [гл. 3, формула (3.1)], который очень хорошо выполняется, например, при анодном окислении алюминия [52]. Согласие с экспериментом, как правило, удовлетворительное при условии прямого определения концентрации Однако Хауффе [46], а вслед за ним и Кабрера [47] показали, что некоторые из упрошающих предположений теории Мотта и Кабрера [45] не всегда выполняются и кривые толщина пленки — время часто имеют более сложный вид, чем это предсказывает теория. Вероятно, такие случаи относятся к промежуточным между областью тонких и областью толстых пленок [39]. [c.231]

Масса Шп электрона в полупроводнике как правило не равна эффективной массе дырки, Шр. Обе они вычисляются по формуле (16.3). Энергии электрона проводимости и дырки, как и энергия любой квазичастицы, являются периодическими функциями квазиимпульса. В экситон Ванье-Мотта объединяются электрон, имеющий энергию, близкую к минимуму в зоне проводимости, и дырка с энергией, близкой к максимуму в валентной зоне. Обе они масштаба массы свободного электрона, но могут и существенно отличаться (например, быть в 10 -г 100 раз меньше). Итак, формула, описывающая энергетические [c.306]

Как и всякая квазичастица, экситон Ванье-Мотта в полупроводнике не локализован. Он может перемещаться. Состояние поступательного движения экситона Ванье-Мотта определяется квазиимпульсом и описывается, конечно, не т ф. Эффективная масса поступательного движения экситона обязана периодической зависимости его энергии от квазиимпульса (см. формулы (16.2) и (16.3)). [c.307]

Это выражение не равно нулю, так как числители в обоих дробях равны между собой по модулю, а знаменатели различны. Хотя формула Трушелевича, так же как и формула Лященко, достаточно близка к методу Ханкока, она также не удовлетворяет условию однозначности. Чепман и Мотт [9, 27] предложили определять эффективность обогащения по выражению [c.31]

В соответствии с формулой (1.21) при представлении измеренной экспериментально емкости С в зависимости от электродного потенциала Ф в координатах С -ф получается прямая линия (так называемый график Мотта-Шоттки, рис. 12). Экстраполяция этой прямой до пересечения с осью потенциалов дает с точностью до кТ е потенциал плоских зон фуь, а из наклона ее можно вычислить концентрацию легирующей примеси при условии, что С = к ъ соответствии с формулой (1.20) Дф = ДФ5с [подробное обсуждение условий применимости формулы (1.21) см. в [1, 3.7]. [c.32]

В соответствии с формулой (1.23) с.педует ожидать, что прямая на графике Мотта-Шоттки при изменении pH будет смещаться параллельно самой себе вдоль оси потенциалов. Так это и происходит на опыте, например, в случае электрода из ZnO (рис. 13) и других оксидных (TiOj, F jOa и др.), а также окисленных полупроводниковых электродов (Ge, GaAs и других, несущих на поверхности хемосорбированный кислород). Качественно такая же зависимость Фд от концентрации ионов, формирующих ионный двойной слой, наблюдается на э.пектроде из dS в растворе сульфида (ионы S хемосорбируются на поверхности dS). [c.33]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология