Висмута халькогениды

Все известные халькогениды сурьмы и висмута типа А2 В3 —полупроводники. Получают их из простых веществ в эвакуированных кварцевых ампулах, медленно нагревая до 200° С и выше. Сульфиды можно получать и [c.377]

Куликов В. А., Горобец А. Е. Способ приготовления термоэлектрического материала на основе халькогенидов сурьмы и/или. висмута А.с. СССР X 1651594// Б.И.— [c.326]

О. Н. М у с т я ц а. Исследование электрохимических и электрофизических свойств расплавов халькогенидов мышьяка, сурьмы и висмута. Автореферат диссертации, Киев, 1970. [c.256]

СПЕКТРЫ ОТРАЖЕНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СУРЬМЫ И ВИСМУТА [c.58]

Настоящая работа ставит своей целью такого рода сравнительное исследование спектров отражения слоистых кристаллов халькогенидов сурьмы и висмута в поляризованном свете предварительные результаты были опубликованы в работах [2—4]. [c.58]

Г. А. Бергман — термодинамические функции веществ в конденсированном состоянии, температуры и изменения энтальпии при фазовых переходах соединений азота, фосфора, мышьяка, а также окислов и халькогенидов сурьмы и висмута, [c.8]

Все известные халькогениды сурьмы и висмута типа Аг В — полупроводники. Получают их из элементарных веществ в эвакуированных кварцевых ампулах. Медленно нагревают до 200° С и выше. Сульфиды можно получать и осаждением из растворов соли очищенным сероводородом. Получающиеся осадки переплавляют или используют для напыления в вакууме. Монокристалы получакэт- методом натягивания или зонной плавки. [c.303]

Использование монокристаллов твердых растворов халькогенидов сурьмы и висмута, выращенных по методу Чохральского с подпиткой жидким расплавом в микроохладителях с высокой степенью микроминиатюризации, позволяет существенно расширить диапазон достижимых температур и повысить энергетическую эффективность термоэлектрического охлаждения благодаря высоким термоэлектрическим параметрам монокристаллов. Из-за высокой однородности монокристаллов значительно снижаются технологические отходы при изготовлении термоэлементов [56]. Монокристаллы такого же типа состава (В]1 8Ь г)28ез описаны в [57, 59]. [c.245]

Кристаллические материалы на основе халькогенидов сурьмы-висмута получают уже много лет. Для материалов / -типа обычно используют в качестве основы твердый раствор В1о 8Ь1,5Т а для -типа -В12Те2,78ео,з. На первый взгляд, никаких проблем с выращиванием термоэлектрических материалов быть не должно, поскольку технология выращивания кристаллов прекрасно разработана и хорошо известна. На самом же деле получение этих термоэлектрических материалов имеет свои специфические особенности, которые делают этот процесс в условиях производства не более простым, а скорее даже более сложным по сравнению с выращиванием классических полупроводниковых материалов. С чем это связано [c.72]

В настоящее время наша промышленпость выпускает большое число полупроводниковых соедииепий различных типов. Кроме соединений А В , А В и А В организовано производство халькогенидов свинца, олова, германия для фотонриемпиков, чувствительных к различному диапазону спектра, и халькогенидов сурьмы и висмута — для термоэлементов. Большое перспективное значение имеют тройные соединения тина Аив1 с , стеклообразные полупроводники, которые были разработаны в Институте общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова и Физи- [c.72]

Определение области стеклообразования в сплавах халько-генидов фосфора, мышьяка, сурьмы, висмута и таллия при медленном и быстром охлаждении из жидкого состояния, а также в сложных халькогенидах на основе сульфида и селенида мышьяка проведено в работах [12, 26, 27]. В работе [26] было впервые указано на закономерное изменение способности к стеклообразованию в халькогенидных системах в, связи с изменением химической природы атомов. [c.17]

Важнейшая задач химии полупроводников заключается в создании новых полупроводниковых материалов. Еще в 60-х годах в радиоэлектронике применялись только германий и кремний. А в настоящее время в промышленной электронике и радиотехнике помимо кремния и германия нашли широкое применение полупроводниковые соединения антимонид индия, арсенид галлия, фосфиды индия и галлия, халькогениды цинка, кадмия, ртути, свинца, висмута, сурьмы, а также карбид кремния и др. Число сложных полупроводниковых фаз (соединений и твердых растворов), перспектавных для их практического применения, неуклонно растет из года в год. [c.6]

Халькогениды висмута. В123з является электронным полупроводником с термической шириной запрещенной зоны 1,2 эв, а оптической 1,3 эв. Удельная проводимость сульфида висмута порядка 10" — 10 ом -см и термо-э.д.с. около 700 мкв/град. Подвижность [c.195]

Полупроводниковые свойства теллурида висмута близки к свойствам халькогенидов свинца. Однако по механизму изменения типа проводимости теллурид висмута ведет себя противоположно халькогени-дам свинца. На рис. 94 приведена зависимость концентрации носителей тока в твердой фазе BigTeg от состава жидкой фазы. Принципиальная разница между теллуридом висмута и сульфидом свинца видна при сравнении рис. 94 и 90, б. В сульфиде свинца избыточные против стехиометрии атомы серы переводят PbS в полупроводник дырочного типа. Значит, механизм влияния сверхстехиометричных атомов на тип проводимости у этих веществ различен. [c.196]

В табл. 11 приведены основные свойства соединений А В з. Для халькогенидов сурьмы и висмута характерно закономерное изменение свойств внутри каждой группы соединений. Так, при переходе от сульфидов к теллуридам уменьшается ширина запрещенной зоны. Одновременно с этим происходит рост удельной проводимости и подвижности носителей тока. Однако халькогениды сурьмы ведут себя аномально в отношении температуры плавления. Подобно халькогенй-дам серебра более тяжелые соединения плавятся выше. В противоположность им в халькогенидах висмута от сульфида к теллуриду температура плавления падает. В этом же направлении уменьшаются и теплоты образования. Все это вместе свидетельствует об уменьшении доли ионной связи при переходе от сульфида к теллуриду висмута. Также изменяется природа химической связи в халькогенидах сурьмы. Температуры плавления их зависят от кристаллохимических особенностей твердого тела. Непосредственная взаимосвязь между типом межатомной связи и температурой плавления может быть установлена только для координационных решеток. [c.197]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология