Дефекты энергия активации перескока

Передвижению дефектов, включающему перескоки атомов одного типа, отвечает простое соотношение, содержащее только одну частоту oi = где Vi— основная частота колебаний перескакивающего атома, а АН — необходимая для этого энергия активации . Если а — расстояние, на которое перемещается дефект (или тем самым атом) в результате одного перескока, то [c.170]

На стадии миграции ионного дефекта лишь некоторая часть от полного заряда протона смещается за счет перескока Н+ от группы к группе. Остальная часть заряда смещается за счет поворота полярной группы. Во льду, например, доля ионного дефекта в переносе заряда составляет 0,62 от полного заряда протона. Благодаря разделению заряда протона при переносе между ионным и поворотным дефектами, существенно снижается энергетический барьер переноса Н+ через мембрану. Высота барьера определяется уровнем электростатической энергии заряда в ионном канале и оценивается по формуле Борна [см. (ХХ.1.1)]. Как следует из этой формулы, уменьшение транспортируемого заряда в два раза по сравнению с зарядом протона приводит к 4-кратному уменьшению энергии активации переноса Н+ через мембрану. Характерные подвижности ионного и поворотного дефектов составляют 10 и 10 см/В с соответственно. Согласно расчетам, время миграции ионного и поворотного дефекта через мембрану толщиной 5 нм не превышает 0,25 мкс и 2,5 мкс соответственно. [c.163]

Коэфф. С. зависит от темп-ры. В случае газов он пропорционален Т 1 . Зависимость его от темп-ры в твердых и жидких телах описывается с достаточной точностью выражением D° = D ехр (—EIRT), где D — предэкспоненциальный множитель, Е — энергия активации С. (в кал1молъ), В — универсальная газовая постоянная. Значения D и Е для нек-рых веществ приведены в таблицах физич. величин. Экспоненциальный закон зависимости В° от Т является следствием активационного механизма С., при к-ром для перемещения частицы из одной точки в другую необходимо преодолеть энергетич. барьер. Наиболее распространены т. паз. вакансионный механизм, когда С. происходит путем перемещения частиц по незанятым узлам кристаллич. решетки — вакансиям, и механизм С. по междуузлиям (см. Дефекты структуры). Энергия активации при вакансионном механизме складывается из эпергии образования вакансии и энергии, необходимой для перескока атома из занятого узла [c.370]

Полученные зависимости показывают, что подвижность точечных дефектов — носителей тока определяется больцманов-ской вероятностью перескоков дефектов в соседние устойчивые положения. Это связано с тем, что перескоки ионов представляют собой активационный процесс энергию и, которую нужно затратить при перескоке часто называют энергией активации миграции иона. [c.179]

Значения коэффициентов диффузии даны в см с , величины энергии активации в эВ. Энергии активации парциальных процессов диффузии были рассчитаны теоретически, [11, 12]. В случае диффузии ионов Na+ по вакансиям энтальпия диффузии равна сумме половины энтальпии образования пары дефектов (Nao и С1п)—V2/is плюс энтальпия активации процесса перескока Д/i , Т. е. Q = + АЛс = 1,93 эВ, что в пределах точности расчета и опыта совпадает с величиной Q = 2,00 0,5 эВ, указанной выше. Для ассоциированной пары вакансий теория дает Q = /inapa+A/i = 2,73 эВ, а эксперимент — Q=2,75 0,14. Совпадение надо считать превосходным. Заметим, что комбинируя данные диффузионных и кондуктометрических опытов, мы можем определить число переноса для катиона, найденное равным (0,7—0,8) в высокотемпературном интервале, иначе говоря, в интервале собственной проводимости хлорида натрля. Коэффициент диффузии Z)napa(Na) близок к >o(Na) вблизи точки плавления. В области низких температур, вопреки сделанным ранее предположениям, диффузия с помощью пар вакансий не играет заметной роли. [c.48]

Перемещение как заряженных, так и незаряженных дефектов может быть И1югда вызвано механическим напряжением. В результате этого при определенных сочетаниях частоты и температуры появляются пики механических потерь [32, 33]. Такие эффекты были обнаружены для кислорода в кремнии и германии [34]. Анализ этого явления, проведенный таким же образом, как и в случае диэлектрических потерь, показывает, что в результате исследования механических потерь можно определить основные параметры, описывающие миграцию дефектов (частота перескока, энергия активации) 35]. Наблюдались также аналогичные эффекты с участием электронов (см. след. разд.). [c.173]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология