Дефекты, влияние захват электронов

Выше уже отмечалось влияние дефектов кристаллической структуры на собственное поглощение щелочно-галоидных кристаллов и указывалась их роль в образовании электронных и дырочных центров захвата. Дефекты структуры играют существенную роль также и в других явлениях и определяют целый ряд важнейших свойств реальных кристаллов. В своей книге Фотолюминесценция жидких и твердых веществ В. Л. Левшин [189], отмечая большую роль внутренних неоднородностей и нарушений кристаллической структуры в явлениях люминесценции, считает, что наличие дефектов структуры и их тесное взаимодействие с решеткой является необходимым условием возникновения длительного свечения кристаллофосфоров. [c.98]

Условия термической обработки оказывают влияние на размер кристаллических индивидуумов и на степень совершенства их структуры. Давно установлено эмпирическое правило, по которому длительная прокалка и медленное охлаждение (отжиг) дают препараты с более быстрым затуханием. Уменьшение времени перекристаллизации и резкое охлаждение (закалка), наоборот, сильно увеличивают длительность послесвечения. В случае резкого охлаждения число нарушений решётки возрастает. Это повышает вероятность захвата ими электронов до рекомбинации и замедляет разгорание и затухание. Вызванные термической обработкой дефекты структуры оказывают влияние преимущественно на фосфоресценцию препара-13 [c.195]

Изучение эффекта Мессбауэра на Со, диффундированном в эти галогени-ды, проводилось с целью исследования влияния дефектов в твердом теле на сверхтонкие взаимодействия и подтверждения существования нестабильных зарядовых состояний железа, получающегося при электронном захвате из Со. [c.197]

Возможны различные пути для объяснения этих данных. Общность результатов с полученными для влияния на химическую адсорбцию растворения окиси лития в закиси никеля [4] позволяет считать наиболее вероятным следующее адсорбция кислорода происходит не на любых свободных электронах, а на электронах вблизи акцепторных дефектов, захвативших электроны. При растворении окиси лития в 2пО образуется твердый раствор замещения, в котором часть катионных узлов 2п+ занята однозарядными катионами лития. Пониженный заряд примесных катионов компенсируется присутствием в междоузлиях катионов (2п+)междоузл- Сочетание катионов и+ (2п+) междоузл является акцепторным центром. Проводимость 2пО, не содержащей посторонних химических примесей, связана с присутствием избыточного цинка, расположенного в междоузлиях и легко ионизирующегося с отдачей электронов в зону проводимости. При растворении окиси лития часть избыточного цинка расходуется на образование акцепторных центров. Электропроводность и в этом случае обеспечивается присутствием донорной примеси — избыточного цинка, электроны с которого будут распределены между зоной проводимости, донорными и акцепторными уровнями. Акцепторные уровни, занятые электронами, как мы предполагаем, создают центры адсорбции для кислорода [c.80]

Из приведенных данных видно, что в подавляющем большинстве случаев п = 1 или близко к ней. Следовательно, скорость процесса полимеризации пропорциональна интенсивности инициирования, т, е. числу начальных активных центров. В отдельных случаях п< 1. Величины п, близкие к 0,5, могут быть интерпретированы как результат бимолекулярного обрыва цепей. Однако значения п 0,5 не были получены. Это может быть связано с более сложным механизмом обрыва цепей или с наличием нескольких механизмов. Незначительным отклонениям п от единицы не следует, по-видимо-му, придавать большого значения, так как это, возможно, связано с условиями эксперимента. То, что величина п в большинстве случаев равна единице, означает, что полимеризационные цепи обрываются преимущественно на гранях кристаллитов, дефектах решетки, при рекомбинации ионов с захваченными электронами или при захвате электронов радикалами. На такие механизмы обрыва цепей указывает, в частности, влияние добавок различных веществ [173]. Возмояшо также, что наблюдавшиеся в ряде случаев [150, 156, 161 168, 169, 174] большая скорость процесса и большие степени превращения при полимеризации в кристаллах более крупного размера также связаны с меньшим обрывом цепей на гранях кристаллитов. [c.328]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология