Вероятность захвата электрона

С-захват наиболее часто наблюдается у нейтронодефицитных ядер тяжелых элементов, так как с увеличением заряда ядра уменьшается радиус орбит /С-электронов и вероятность захвата электрона ядром возрастает. [c.381]

Ферми, изучая вероятность /(-захвата электрона ядром, показал, что при 2 140 вероятность захвата электрона равна 1, т. е. при 2>140 атом уже существовать не может, так как ядро будет понижать свой положительный заряд. [c.64]

Если, например, локализованный уровень активатора расположен немного выше валентной зоны и имеет большую вероятность захвата дырки, но вместе с тем и заметную вероятность захвата электронов зоны проводимости, то люминесцентное излучение возникает при рекомбинации свободного электрона зоны проводимости с захваченной этим уровнем дыркой (рис. 180, г, переход 2). [c.433]

Если в запрещенной зоне, кроме основного уровня активатора, имеется уровень прилипания, то основной уровень имеет большую вероятность захвата дырки, а уровень прилипания — большую вероятность захвата электрона. После того как произошли оба захвата (переходы 3 и 4), происходит переход электрона с возбужденного уровня на основной, сопровождающийся излучением (переход 5). [c.433]

Наиболее часто /С-захват наблюдается у тяжелых элементов периодической системы. Это связано с тем, что с увеличением заряда ядра уменьшается радиус орбит /С-слоя и, следовательно, вероятность Захвата электрона ядром. [c.56]

При захвате электрона нейтральной молекулой с образованием отрицательного иона потенциальная энергия частицы уменьшается. Разность энергий нейтральной молекулы и соответствующего ей отрицательного иона называется сродством к электрону, а вещества, молекулы которых способны захватывать электроны — электроноакцепторами. Вероятность захвата электрона молекулой зависит от энергии электрона и природы молекулы, причем захват может осуществляться в процессах следующих типов [c.74]

Рассмотрим акт соударения электрона проводимости с дефектом, обладающим сродством к электрону, например с атомом А или молекулой А , адсорбированными на поверхности. При таком соударении существует определенная вероятность захвата электрона дефектом. [c.72]

По мере того как молекулы среды становятся более полярными и поляризуемыми и диэлектрическая проницаемость растет, куло-новские силы уменьшаются и вероятность захвата электрона как в жидких, так и в стеклообразных системах увеличивается. Таким образом, система становится все более сходной с водной, так как электрон в сильно полярных средах может сольватироваться как дискретная частица, сохраняться достаточно долго и реагировать как таковой с добавленными веществами. Это положение реализуется в некоторых эфирах [17, 44], спиртах [45] и аммиаке [46]. [c.481]

ЧИСЛО электронов имеет энергии, слишком высокие для того, чтобы мог осуществиться захват. Чем больше вероятность захвата электрона молекулой, тем при более высоких значениях Xjp лежит максимум. Величина ajp может быть найдена из кривых зависимости тока i от межэлектродного расстояния d (рис. 97). Анализ кривых основывается на существовании явления [c.198]

Заметим, что скорость радиоактивного распада путем е--за хвата в отличие от скорости других радиоактивных превращений зависит, хотя и очень слабо, от химического состояния превращающихся атомов. Обусловлено это тем, что вероятность захвата электрона ядром определяется строением не только электронной орбитали, отдающей электрон, но и строением более отдаленных, в том числе и валентных, орбиталей. Поэтому, например, скорость распада путем -захвата радиоактивного изотопа Ве, входящего в состав металлического бериллия, на 0,015% меньше, чем скорость >аспада того же изотопа Ве, входящего в состав окиси бериллия ВеО. [c.23]

В случае захвата орбитальных электронов искусственно полученным радиоактивным изотопом бериллия Ве, химическое состояние этого элемента сказывается на вероятности захвата -электронов ( -захват в этом случае составляет около 1 % всех случаев /(-захвата) так, что, например, в металлическом состоянии Ве имеет период полураспада, примерно на 0,1% меньший, нежели в состоянии фторида (ВеРг), когда -электроны удалены от ядра Ве, [c.58]

Нейтрализация заряда приводит к образованию возбужденных синглетного и триплетного состояний [104]. В то время как бомбардировка пучком высокоэнергетических электронов вызывает появление только возбужденных синглетных молекул, медленные электроны могут образовывать и синглетное, и триплетное состояния. Поскольку вероятность захвата электрона исходным ионом в газовой фазе мала, доминирующей реакцией образования возбужденных состояний в газе будет прямое воздействие излучения, а в конденсированной фазе — и непосредственное возбуждение, и нейтрализация зарядов. [c.114]

Для того чтобы определить вероятность захвата электрона при одном соударении, необходимо найти зависимость для р от числа соударений и от направленной и хаотической скоростей электрона. Если к — вероятность захвата электрона при столкновении, — средний свободный пробег электрона, с — средняя скорость хаотического движения и ы — скорость направленного движения, то [c.249]

При помощи этого метода исследована вероятность захвата электрона в различных частных случаях, а также зависимость [c.249]

Рассмотрены вероятности захвата электрона двухатомными молекулами и образования ионов для различных спиновых конфигураций. [c.54]

Вторичные электроны могут захватываться атомами и молекулами при этом образуются соответствующие отрицательные ионы. Эффективность этих -процессов в большой степени определяется величиной сродства атома или молекулы к электрону. Вероятность захвата электрона нейтральной частицей зависит также от энергии электронов. [c.61]

Реакцию катионной полимеризации чаще проводят при низких температурах, при которых процесс радикальной полимеризации не всегда осуществим. Это объясняется тем, что карбкатионы ненасыщенных соединений с электронодонорными заместителями достаточно устойчивы, и при низкой температуре вероятность захвата электрона первичным ионом становится соизмеримой с вероятностью его столкновения с молекулой мономера. С понижением температуры полимеризации и повышением устойчивости начальных радикалов вероятность протекания реакции катионной полимеризации возрастает. При низких температурах полимеризации получаются полимеры с высокой молекулярной массой и регулярной структурой (почти полное отсутствие разветвлений). [c.537]

Если акцептор присутствует в достаточно больших концентрациях, то он захватывает не только электроны, вышедшие в объем, но и электроны первичных пар. Чем больше концентрация акцептора, тем больше вероятность захвата электрона пары с малой величиной I. Радиационный выход продукта, образовавшегося при акцептировании электрона Сд, растет с увеличением концентрации акцептора с, согласно эмпирическому уравнению [c.42]

Допустим, что вероятность захвата электрона ловушкой гораздо меньше вероятности его рекомбинации с ионизованным центром. Это означает, что [c.23]

Вероятность захвата электрона молекулой, определяющая скорость процесса образования отрицательных ионов, характеризуется обычно эффективным сечением захвата, которое зависит от природы вещества и энергии электрона. [c.115]

Сечение захвата резко возрастает, если в процессе захвата принимает участие третья частица. Способность атомов или молекул выполнять роль третьей частицы зависит от того, могут ли они поглощать освобождающуюся при захвате электронов энергию. Благодаря большому числу внутренних степеней свободы молекулы эффективнее, чем атомы, выполняют роль третьей частицы при захвате электрона. Когда освобождающаяся при захвате электрона энергия полностью идет на увеличение потенциальной энергии третьей частицы, наблюдается резонанс — резкое увеличение сечения захвата. Поскольку вероятность тройных столкновений при повышенных давлениях (1 атм и выше) возрастает, увеличивается и вероятность захвата электронов при тройном столкновении. [c.116]

Влияние природы газа-носителя и энергии р-излуче-ния на чувствительность детектирования. Существует несколько причин влияния изменения природы газа-носителя на чувствительность детектирования. Во-первых, в разных газах при неизменных условиях опыта различны энергия и подвижность электронов, а следовательно, и вероятности захвата электронов электроноакцепторными веществами неодинаковы. Во-вторых, отличаются коэффициенты рекомбинации зарядов и подвижности ионов. Поэтому вольт-амперные характеристики разрядов в разных газах отличаются, например, по дифференциальной проводимости. Наконец, поскольку при этом Р-излучение проникает на различные расстояния, ионизация газа в камере осуществляется более или менее равномерно. Следовательно, в разных газах влияние объемных зарядов на ток проводимости неодинаково. [c.143]

В условиях химического созревания эмульсии возможен также другой способ закрепления сенсибилизатора. Он заключается во вхождении сенсибилизирующих атомов или молекул в трещины или другие нарушения поверхностных слоев кристалла. В этом случае сенсибилизатор сохраняет свою химическую индивидуальность, что не имеет места при вхождении в узлы решетки в качестве заместителей основных атомов. Сенсибилизирующие атомы и молекулы действительно легче всего закрепляются в областях поверхностных нарушений, где расположены наиболее активные участки, и дальнейший рост кристалла может привести к их вхождению в эти области. Все это приведет к увеличению местного искажения решетки и, следовательно, к увеличению вероятности захвата электронов. Посторонние атомы и молекулы могут соединяться и с дырками. [c.14]

Высказанные представления позволяют определить центр светочувствительности как часть кристалла, где имеется максимальная вероятность захвата электронов и выделения атомов серебра. [c.59]

В несенсибилизированных кристаллах важной причиной низкого квантового выхода при образовании скрытого изображения служит захват положительных дырок атомами серебра скрытого изображения или рекомбинация атомов брома и серебра. Химическая сенсибилизация создает эффективные ловушки для дырок на поверхности кристаллов, в результате чего электроны и дырки могут захватываться в пространственно разделенных местах электроны — на центре светочувствительности, а дырки — на распределенных по поверхности кристалла группах атомов и молекул сенсибилизатора. Это увеличивает суммарную эффективность образования скрытого изображения. Частицы сенсибилизатора обладают еще другим важным свойством. Как указывалось выше, экспериментальные данные показывают, что вероятность захвата положительных дырок атомами серебра больше вероятности захвата электронов ионами серебра. Во время освещения в кристалле может образоваться избыток ионов серебра и эквивалентное число электронов в полосе проводимости. Эти ионы и электроны могут медленно рекомбинировать с образованием атомов серебра вблизи частиц сенсибилизатора, связанных с центрами светочувствительности, в результате чего эти частицы превращаются [c.67]

Детектор по сечению ионизации [35] содержит радиоактивную фольгу с уровнем активности 250 мКюри по тритию, аналогично детектору электронного захвата. Однако в отличие от последнего в детекторе по сечению ионизации используют водород или гелий, в результате чего уровень сечения ионизации низок и фоновый ток также очень мал. Любое вещество, поступающее в детектор, характеризуется большей вероятностью захвата электронов, чем газ-носитель. В соответствии с этим появление вещества в детекторе сопровождается увеличением тока, пропорциональным концентрации этого соединения. Детектор относительно нечувствителен, его предел определения равен приблизительно 20 мкг, а чувствительность порядка 2-10 г/с. С помощью этого детектора можно определять любые вещества, а его линейно-динамический диапазон шире, чем у всех остальных детекторов. При использовании гелия необходимо добавлять 3% метана для улучшения стабильности работы детектора. [c.59]

Изотоп Та (ii = 1,6 лет) переходит путем захвата электрона в основное состояние Hf . При измерении интенсивности характеристического рентгеновского излучения для К- и -оболочек было установлено, что отношение вероятностей захвата электрона с A- и Lj- оболочек равно 1,4. Оцените приближенно разницу в энергиях основных состояний Та и Hf . Энергии связи К- и Lj-электронов для гафния равны соответственно 65,3 и 11,3 кэв. [c.269]

В случае в только колебательно-возбужденная молекула АВ имеет высокую вероятность захвата электрона. Конечно, если ион-радикал не взаимодействует с какими-либо частицами, он теряет избыточный электрон в результате обратного процесса, но столкновение с какой-либо молекулой в газе может привести к его стабилизации (аналогично случаю б). [c.299]

Пока еще нет однозначных способов анализа процесса радиационного инициирования, с помощью которых можно было бы определить, в каких случаях полимеризация проходит по ионному, а в каких по радикально-цепному механизму. Однако существуют косвенные признаки, по которым можно судить, что протекает именно ионный процесс. Так, известно, что энергия активации роста макромолекулы при радикально-цепной полимеризации велика и трудно осуществить этот процесс при температуре — 60° С и ниже. Известно также, что ненасыщенные соединения с электронодонорными заместителями у двойной связи не полимеризуются по радикально-цепному механизму, в то же время их карбкатионы достаточно устойчивы, и при низкой температуре вероятность захвата электрона первичным ионом становится соизмеримой с вероятностью его столкновения с молекулой мономера. При температуре плавления мономера путь пробега карбкатиона до столкновения с молекулой мономера особенно мал и время, затрачиваемое на этот пробег, соизмеримо с продолжительностью жизни [c.126]

Поэтому возможность катионного инициирования должна критическим образом зависеть от относительных вероятностей захвата электрона первичным ионом [реакция (2)[ и распада на карбониевый ион или реакции с мономером [(3) или (8) . Вопрос о продолжительности жизни первичных ионов обсуждается в работе Мага [ 11 [. [c.526]

Теоретически было показано, что массивное металлическое серебро в контакте с бромидом серебра и в термодинамическом равновесии с дефектами ионной решетки должно в результате при-текания междуузельных ионов серебра приобретать положительный заряд. Эквивалентный отрицательный заряд, обусловленный избытком вакантных узлов ионов серебра над междуузельными ионами серебра, находится в бромиде серебра вблизи поверхности раздела [73]. Совершенно ясно, что должен существовать нижний предел размера группы атомов серебра, при котором последняя приобретает положительный заряд в условиях равновесия с дефектами решетки. Согласно имеющимся данным, этот предел достигается для группы из трех атомов серебра, которая может присоединять ион серебра, образуя устойчивую положительно заряженную группу из четырех атомов серебра [32, 74]. Согласно теории Герни — Мотта, вероятность захвата электрона атомом серебра или нейтральной группой из двух или трех атомов серебра очень мала из-за их малого сродства к электрону, но положительно заряженные группы из 4 и более атомов несомненно должны захватывать электроны. Образующиеся при этом нейтральные группы атомов серебра могут снова приобретать положительный заряд путем присоединения следующего иона серебра. Таким образом, имеет место двухстадийный механизм типа Герни — Мотта, однако ионная стадия всегда предшествует электронной стадии, а не следует за ней. Нейтральные группы атомов серебра, размер которых превосходит определенную величину, несомненно, способны непосредственно захватывать электроны, однако вероятнее, что они приобретают положительный заряд в результате установления термодинамического равновесия с дефектами ионной решетки. Так как даже меньшие группы атомов серебра могут служить центрами вуали, это свойство не имеет непосредственного отношения к механизму образования поверхностного скрытого изображения. [c.429]

Повышение температуры приводит к уменьшению плотности газа, увеличению длины свободного пробега электронов и скорости их дрейфа. Это облегчает сбор зарядов и поэтому увеличивает крутизну вольт-амперной характеристики в режиме тока проводимости. Смещение максимума чувствительности согласуется с полевой теорией электронозахватного детектирования, так как увеличение крутизны вольт-амперной характеристики в режиме тока проводимости смещает максимум величины д /ди)Р1 в сторону меньших напряжений. Влияние температуры на чувствительность в оптимальных режимах должно быть слабым, так как с увеличением температуры возрастает проводимость д11ди, но одновременно уменьшается вероятность захвата электронов в результате увеличения скорости их дрейфа. [c.148]

ИОНОМ серебра. Таким образом, две основные причины отклонения от взаимозаместимости при высоких освещенностях, повидимому, состоят в уменьшении суммарного квантового выхода, обусловленного peкoмбинaщ eй части пар электрон — дырка, и в образовании дисперсного скрытого изображения, которое проявляется с меньшей эффективностью, чем компактное скрытое изображение, образующееся при более низких освещенностях. Проявляемость кристаллов после экспонирования при столь высоких освещенностях может медленно возрастать при хранении вследствие диффузии атомов серебра и их конденсации, приводящей к образованию более компактного скрытого изображения. Дополнительная экспозиция при низкой освещенности способствует подобно.му усилению скрытого изображения, так как при таком экспонировании увеличивается вероятность захвата электронов на центре светочувствительности, а положительных дырок — на атомах серебра дисперсного скрытого изображения. Далее ионы серебра диффундируют к центру светочувствительности, так что дополнительная экспозиция вызывает эффективное перемещение атомов серебра от дисперсного скрытого изображения к центру светочувствительности. При этом благодаря отклонениям от взаимозаместимости при низких освещенностях в неэкспонированных кристаллах не образуется проявляемого скрытого изображения [10]. Можно также ожидать, что подобное дополнительное экспонирование при низкой освещенности приведет к увеличению поверхностной светочувствительности. [c.64]

Как видно, газы, оказывающие вообще тушащее действие а именно О2, Н2О и Йз, принадлежат к наиболее сильно захватываю" щим электроны. Хлористый этил, близкий по своему химическому поведению к иодистому метилу, в 10 раз менее активен по отношению к электрону, в соответствии со слабым тушением парами СНз1. Для аммиака вероятность захвата в 1000 раз меньше, чем для кислорода, в полном соответствии с отсутствием у него тушащего действия, даже при больших давлениях. Остальные газы, обладающие вероятностями захвата электрона, в сотни и тысячи раз меньшими, чем для О2, Н2О и С1а, характеризуются, по нашим данным, а также данным Д. X. Авдальяна и А. В. Фроста, как нетушащие. [c.124]

Возможно и другое объяснение понижения ( / ) . И. А. Парфиановичем [5] показано, что при больших содержаниях примеси увеличивается вероятность захвата электронов чужеродными ионами, находящимися в узлах решетки, что и приводит к уменьшению (пр)ц. При этом понижение (л )н должно сопровождаться ростом концентрации атомарных центров. Однако известно [6], что уменьшение (пр) в фосфоре Na I-Pb, происходящее при повышении концентрации РЬ, сопровождается не ростом, а, напротив, уменьшением числа атомарных центров. Это свидетельствует о появлении в кристалле акцептора, конкурирующего с F- и атомарными центрами. Известно, что последние центры являются точечными дефектами кристаллической решетки из факта совместного уменьшения их концентраций следует, что часть примеси, локализующей электроны, не находится в регулярной кристаллической решетке, а может располагаться, как и было [c.177]

Возникает вопрос, превышает ли время между отрывом электрона и нейтрализацией полученного иона время, минимально необходимое для столкновения ионов с молекулой. В течение этого времени свободный электрон подвергается дезактивации вследствие последовательных столкновений, пока не превратится в тепловой, т. е. не приобретет энергию, равную кТ. В жидкости время замедления, вычисленное с помощью модели Самуэля и Меджи [13], очень мало (10 —Ю се/с) из их теории следует, что в общем электрон не должен выходить из кулоновского ноля первичного иона. В газовой фазе, напротив, замедление, вызванное столкновениями, значительно меньше, время превращения электрона в тепловой может значительно превышать 10 сек и электрон может уйти из кулоновского поля иона, что делает возможной ион-молекулярную реакцию. Мага считает, что любые аномальные условия в жидкой фазе, приводящие к увеличению времени замедления электрона, могут, таким образом, промотировать ионные реакции в жидкой фазе. Применяя теории Платцмана и Фролиха [16, 46] (теории, строго говоря, применимые к полярным жидкостям). Мага приблизительно вычислил, что снижение температуры с 300 до 100° К приводит к 30-кратному увеличению среднего расстояния между ионом и электроном к тому моменту, когда электрон становится тепловым. Таким образом, при очень низких температурах вероятность захвата электрона первичным ионом значительно меньше. В этих условиях соответствующее время жизни положительных ионов, как считает Мага, вполне достаточно для роста ионной цепи, принимая во внимание очень большую скорость развития цепи в таких реакциях [47]. [c.526]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология