Селениды индия

Таблица 14 Некоторые свойства селенидов индия

В работе [407] приведены результаты исследования теплопроводности сплавов системы. С переходом от арсенида индия к сплавам, содержащим селенид индия теплопроводность сначала быстро уменьшается, а дальше убывает по закону, близкому к линейному. Коэффициент линейного расширения, исследованный в этой же работе, с возрастанием концентрации селенида индия, увеличивается. [c.165]

Рассмотрение свойств селенидов индия (табл. 14) показывает, что эти соединения — очень интересные и перспективные полупроводники, для которых известны методы синтеза, кристаллизации, условия их существования и свойства. Однако полупроводниковые свойства селенидов индия изучены еще далеко не достаточно. [c.122]

МИМ-7) в условиях воздушной закалки от 700 до 20° С в течение 7 мин. Сплавы № 6—11, полученные в режиме быстрого охлаждения содержат в своем составе кристаллическую фазу, состоящую, по-видимому, из селенида индия (кристаллическая фаза не является арсенидом индия). [c.168]

Как видно из табл. 31, халькогениды алюминия и галлия кристаллизуются в тетраэдрических структурах. Из соединений индия только теллурид кристаллизуется в структуре сфалерита. Однако р-модификация селенида индия по структуре очень [c.147]

Фотопроводимость селенида индия. [c.127]

Электрические и оптические свойства селенида индия. [c.127]

При сплавлении индия с селеном или теллуром получаются соединения ХпгЗез я ХпгТез- Селенид индия имеет сложную структуру и обладает в отличие от сульфида и теллурида мягкостью графита. Теллурид, который, так же как и сульфид, тверд и хрупок, кристаллизуется подобно 03283, 082863 и GaaTea в решетке, которая ьшо-дится из решетки цинковой обманки таким образом, что в ней остается незаполнеивыми 1/з мест, принадлежащих атомам металла, причем распределение этих незанятых мест не упорядочено. . [c.417]

По аналогичному закону протекает также затухание фосфоресценции фосфоров КВг—In, выращенных из расплава KBr+InBr-(рис. 126). Л. М. Шамовский и Ю. И. Жванко показали [333], что аналогичным образом протекает также затухание послесвечения бромистого натрия, активированного селенидом индия (NaBr + InSe). [c.238]

Однако имеющиеся в литературе данные о свойствах InSe в некоторых случаях сильно различаются, что связано, но-видимому,как с чистотой исследуемых образцов, так и со степенью совершенства монокристаллов селенида индия, свойства которого очень чувствительны к примесям и дислокациям. [c.108]

InSe исследовали как один из первых материалов при изучении фотоэффекта у халькогенидных фаз. Первые исследования проводились на поликристаллических образцах и тонких слоях. Селенид индия — фотопроводник, максимум фотопроводимости лежит в области 0,95—1,2 мк (рис. 34) [18, 59, 74, 75]. Нагревание образцов в вакууме или на воздухе, а также хранение на воздухе мало изменяет фотопроводимость InSe [18], но отжиг при 200° С приводит к смещению максимума фотопроводимости в инфракрасную область спектра (рис. 35) [76]. По данным работ [59, 60], энергия активации электропроводности тонких слоев InSe составляет [c.108]

Соединения со структурой типа структуры сульфида галлия GaS, в которой кроме GaS кристаллизуются селенид и теллурид галлия (GaSe и GaTe), а также сульфид и селенид индия (InS и InSe). [c.176]

Структура и ячейка селенида индия идентичны структуре и ячейке сульфида галлия. Из этих групп соединений выделяется селенид галлия GaSe. Согласно Шуберту и др. [10], соединение имеет переменный состав, при этом образующийся при избытке галлия -GaSe кристаллизуется в гексагональной ячейке (рис. 59, е), а образующаяся при избытке селена "форма — в ромбоэдрической (рис. 59, г). При составе 50 ат.% на рентгенограммах GaSe присутствуют отражения обеих форм. [c.181]

В работе Кулина и Дроварта [131] масс-спектрометрически определены энергия диссоциации и стандартные нулевые теплоты образования газообразных селенидов индия [c.198]

Такое же явление наблюдается и в ТпзВез. Низкотемпературная а-модификация селенида индия построена так, что основная часть атомов 1н находится в тетраэдрических пустотах плотной упаковки атомов серы, а атомов 1п размещается в октаэдрических пустотах с образованием гексагональной ячейки. При 200° С в результате термического расширения объема ячейки и увеличения размеров ее появляется возможность размещения всех атомов 1п в тетраэдрических пустотах, что вызывает перестройку ячейки. Возникающая р-модификация 1п28ез с гексагональной ячейкой имеет структуру типа структуры вюрцита с упорядоченным размещением атомов 1н и вакансий. Дальнейшее повышение температуры ведет к переходу гексагональной ячейки в кубическую, и при более высокой — в моноклинную, которая соответствует более низкой симметрии [52]. [c.201]

В обзорных статьях [35, 36] о свойствах соединений тина А" В приведены резу.тьтаты экспериментальных исследовани физических свойств халькогенидов галлия, селенида индия и селенида таллия, которые связываются с кристаллической структурой этих веществ. Свойства TlSe отличаются от свойств соединений со структурой GaS низкими значениями электросопротивления и ширины запрещенной зоны, наличием эффекта фононного рассея ния. [c.160]

В тройной системе по разрезу InAs— ПгЗез имеется ряд твердых растворов замещения [191]. При введении небольших количеств селенида индия в InAs наблюдается повышение проводимости, обусловленное, по мнению авторов, ростом концентрации носителей тока. При увеличении содержания 1пг5ез проводимость понижается [192]. [c.167]

Данные работ [131], [132] свидетельствуют об инконгруэнт-ности испарения 1п5е и о сложностц этого процесса. В работе [132], к сожалению, не учитывались современные данные по равновесию в парах селена (см. гл. I, 1) и использовались устаревшие данные Сталла. Тем не менее результаты по селенидам индия могут считаться надежными. [c.193]

Теплоемкость. Исследование ТпгЗез [133] методом непрерывного нагрева в адиабатическом калориметре показало, что теплоемкости селенидов индия пЗе зб, 1пЗе1,5, 1п5е1,75 и 1п5е2,о в интервале 20—700° С имеют аномалию при 197° С, связанную с поглощением 0,72 кал/г тепла. [c.221]

Были исследованы электрические свойства сплавов. Электропроводность в однофазных сплавах почти на два порядка увеличивалась при малом добавлении селенида индия, а затем постепенно уменьшалась. Объяснение этому явлению дается то же, что и ДЛЯ системы GaAs—ОагЗез. Подвижность носителей тока резко падала при переходе от арсенида индия к составам [c.164]

Селенид ртути (Н 8е) и селенид индия (1п8е), используемые как полупроводники [c.118]

Смотреть страницы где упоминается термин Селениды индия: [c.313] [c.313] [c.46] [c.325] [c.96] [c.96] [c.99] [c.111] [c.128] [c.160] [c.96] [c.96] [c.99] [c.108] [c.111] [c.128] [c.7] [c.278] [c.278] [c.284] [c.325] [c.373]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология