Сульфид галлия

Халькогениды [46, 47]. Сульфиды. Сероводород не осаждает галлия из растворов солей, так как сульфид галлия, подобно сульфиду алюминия, тотчас же нацело гидролизуется. Однако в присутствии носителя, например цинка, олова или мышьяка, галлий может быть осажден в виде сульфида за счет комплексообразования. При действии [c.233]

Сульфид галлия (III) получается непосредственным взаимодействием металла с серой при высокой температуре, а также действием сероводорода на окись галлия [47] [c.234]

В цинковом производстве наиболее богаты галлием цинковые и свинцовые кеки и ретортные остатки. Продукты свинцового производства содержат значительно меньше галлия получение его может рассматриваться только как попутное при извлечении других редких и рассеянных элементов. Одним из рациональных методов извлечения галлия из щелочных растворов, получающихся при переработке отходов свинцово-цинкового производства, с одновременным отделением его от ряда примесей, является сульфидный, основанный на соосаждении сульфида галлия с сульфидом цинка при обработке этих растворов сульфидом натрия [37 . [c.8]

Способ 3 [9]. На реакции, приведенной в способе 2, основан метод получения, в котором порошок германия окисляют при пониженном давлении с помощью СОз или воздуха. Используемая при этом аппаратура описана в разд. Сульфид галлия(I) (см. гл. 15, рис. 287). Лодочку наполняют порошком германия. GeO возгоняется либо в потоке СО2 при атмосферном давлении при температуре >800 С, либо в потоке воздуха при давлении 4—34 мм рт. ст. и >700 С и осаждается на охлажденном пальце . [c.801]

Хлорид галлия используется в качестве катализатора в реакциях образования различных полимеров [563, 1167], причем каталитическое действие его сильнее, чем хлорида алюминия. Сульфид галлия применяют для изготовления люминесцентных материалов [21]. [c.10]

Сульфид аммония выделяет сульфид галлия только тогда, когда в растворе имеет место образование другого нерастворимого сульфида [494]. [c.43]

Са8 (галлия(И) сульфид, галлий(П) сернистый) 25 1,58 10" 77,83 33,80 [c.309]

Полупроводниковыми свойствами обладают также сульфиды галлия, индия и таллия. [c.395]

В спектре поглощения газов, получающихся при взаимодействии фторида алюминия с металлическим галлием при 1000° С, обнаружено присутствие фторида одновалентного галлия СаР [1050]. Фторид трехвалентного галлия ОаРз имеет много общего с фторидом алюминия и так же мало растворим в воде, как А1Рз. ОаРз начинает возгоняться при температуре 800° С, и при 950° С упругость пара достигает 760 мм рт. ст. Получить ОаРз можно различными способами— действием фтора на металлический галлий, окись галлия, сульфид галлия или при растворении гидрата окиси галлия в плавиковой кислоте. В последнем случае фторид выделяется в виде кристаллогидрата с тремя молекулами воды. [c.400]

НЕКОТОРЫЕ СВОЙСТВА ВАЖНЕЙШИХ СУЛЬФИДОВ ГАЛЛИЯ, ИНДИЯ И ТАЛЛИЯ [c.408]

GaS. Это твердое вещество светло-желтого цвета, плавится без разложения при 1015° С [1] или 962° С [2] плотность 3,75 г/см [3,7]. GaS — фаза постоянного состава. На воздухе это соединение более устойчиво, чем другие сульфиды галлия, в воде не растворимо. При кипячении в 15%-ном растворе уксусной кислоты GaS разрушается с выделением H S. При нагревании на воздухе окисляется с выделением SOj. [c.37]

Таблица 5 Некоторые свойства сульфидов галлия

GaS. Структурные аналоги сульфида галлия при большом сходстве в пространственном расположении атомов в структуре имеют и значительные отступления от идеальной упаковки слоев их пространственные группы и типы симметрии различаются. [c.176]

Сульфид галлия (III) GajSg — желтое кристаллическое вещество. [c.453]

Индий имеет наибольшее сходство с галлием и алюминием, а также с кадмием и оловом. Амфотерный характер гидроокиси индия выражен значительно слабее, чем гидроокисей галлия и алюминия водные растворы солей индия гидролизованы менее сильно, чем растворы соответствующих солей галлия и алюминия сульфид индия ТпгЗз, в отличие от сульфидов галлия и алюминия, устойчив в присутствии воды. Сульфат индия, так же как и сульфаты алюминия и галлия, образует двойные соли с сульфатами калия, рубидия, цезия и аммония. Индий существенно отличается от галлия и других трехвалентных металлов тем, что он осаждается в форме сульфида из слабокислого раствора. Сходство индия с кадмием и оловом проявляется в способности к образованию тугоплавких окислов, окрашенных в желтый цвет сульфидов и устойчивых при нагревании хлори- [c.5]

Сульфиды галлия Са25, СаЗ и Са25з могут быть получены пропусканием паров серы над металлическим галлием, нагретым до 1250° С, или нагреванием окиси галлия в токе серо- [c.22]

Металлический галлий получается при нагревании окисла в токе водорода или электролитическим путем из водного раствора. Если галлий в растворе присутствует один, то сероводород не осаждает сульфида галлия. (Однако сульфид галлия можно почти количественно соосадить с другими сульфидами, если они осаждаются из щелочного или уксуснокислого раствора.) [c.409]

Образование белого осадка при пропускании H2S в сильнокислый раствор соли галлия, наблюдавшееся Лекоком де Буабодроном в 1881 г., относительно которого было предположено, что происходит образование сульфида, объясняется (Brukl), по-видимому, тем, что при этом вследствие гидролиза возникает гидрат окиси галлия действительно, так как сульфид галлия в соприкосновении с водой неустойчив, его нельзя получить из водных растворов. [c.411]

Сульфид галлия ОазЗз характеризуется неустойчивостью по отношению к воде. В отличие от своего ближайшего аналога — индия — сульфид галлия разлагается водой даже на холоду. [c.575]

В результате реакции в горячей зоне образовывался сульфид галлия GaS, который после синтеза в этой же трубке был отогнан в виде желтых мо-нокристаллических игл. Последние были использованы для структурных исследований. GaS в виде тонких слоистых кристаллов получен также при медленном охлаждении расплава, содержащего избыток галлия [И]. [c.38]

В работе [12] описан метод получения монокристаллов GaS из газовой фазы в диффузионной транспортной системе с применением иода в качестве переносчика. В этом случае исходным материалом был ноликристал-лический сульфид галлия, который предварительно синтезировали из элементов. Процесс протекал в течение двух суток при градиенте температуры 710—665° С. В результате в более холодной зоне были получены гексагональные, желтые, слоистые, пластинчатые кристаллы GaS размерами до 10 X 5 X 0,1 мм. Идентификация состава выросших кристаллов подтверждалась химическим и рентгеновским методами анализа. [c.38]

При исследовании термической устойчивости сульфидов галлия до 1300° С было установлено, что ОаЗ при температуре выше 950° С теряет серу и образует 03485 (55,6 ат.% 8), который устойчив при температуре до 1200° С. Состав 03485 изменяется от 03484 8 До 03485,2. При более высокой температуре соединение слегка диссоциирует, отщепляя серу с образованием ОзаЗ [3]. В результате разложения ОзаЗд при 950° С образуется 03485 [c.46]

Термическая устойчивость селенидов галлия возрастает в ряду GagSe GaSe GagSog. Эти вещества устойчивы на воздухе и изучены более подробно,чем сульфиды галлия. [c.48]

Отличительной чертой всех соединений в системах АШ13—является то, что их температуры плавления значительно превышают температуры плавления исходных компонентов, особенно в галлиевых системах, где разность температур плавления сульфидов галлия и чистого галлия достигает более 1000° С. В системах с таллием эта разность температур невелика, все сплавы таллий — халькоген низкоплавки. Из них большей температурой плавления выделяются Т12Те, Т128 и у-фаза в системе Т1-Те. [c.173]

Соединения со структурой типа структуры сульфида галлия GaS, в которой кроме GaS кристаллизуются селенид и теллурид галлия (GaSe и GaTe), а также сульфид и селенид индия (InS и InSe). [c.176]

Кристаллическая структура сульфида галлия, являющаяся прототипом структур остальных четырех монохаль- [c.176]

Структура и ячейка селенида индия идентичны структуре и ячейке сульфида галлия. Из этих групп соединений выделяется селенид галлия GaSe. Согласно Шуберту и др. [10], соединение имеет переменный состав, при этом образующийся при избытке галлия -GaSe кристаллизуется в гексагональной ячейке (рис. 59, е), а образующаяся при избытке селена "форма — в ромбоэдрической (рис. 59, г). При составе 50 ат.% на рентгенограммах GaSe присутствуют отражения обеих форм. [c.181]

Сульфид галлия Оаг8з более растворим, чем сульфиды цинка индия ZnS и IngSs. Сероводородом из кислых растворов гагЗз не осаждается, но в умеренно кислых растворах в при-/тствии коллекторов — ZnS, uS, Ag2S — выделяется полно-гью. [c.39]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология