Галлий теллуриды

Теллуриды. С теллуром галлий образует больше соединений, чем с селеном и серой (рис. 45), причем диаграмма состояния этой системы еще установлена не окончательно. Остается открытым вопрос о [c.235]

Для халькогенидов цинка и кадмия характерна проводимость только одного типа. Исключением является теллурид кадмия, который получен с высокой проводимостью как n-, так и р-типа. Теллуриду цинка присуща проводимость только р-типа, хотя сообщалось о получении при легировании галлием в неравновесных условиях высокой проводимости л-типа[99, гл. 3—4]. Остальные материалы имеют проводимость только л-типа. [c.151]

Теллурид кадмия Арсенид галлия Фосфид индия Антимонид индия [c.210]

СаТе (галлия(П) теллурид, галлий(П) теллуристый) 25 2,95 10- 79,51 34,53 [c.309]

В последнее время в катализе применяются арсениды, стибиды, селениды и теллуриды галлия и индия — веш,ества полупроводникового характера. Некоторые их свойства представлены в табл. IV. 3 [2, 3]. [c.292]

Полупроводниковые катализаторы с малой шириной запрещенной зоны — арсениды, стибиды, селениды, теллуриды галлия и индия — ускоряют процессы разложения спиртов [2, 3] и муравьиной кислоты (дегидрирование) [28], а также гидразина [2—4]. Имеются указания о гидрирующих свойствах арсенида и стибида индия (превращение этилена в этан) [28]. [c.294]

Окись галлия, галлаты арсениды, стибид, селениды, теллурид галлия [c.294]

Инфракрасное поглощение теллурида галлия и теллу-рида индия. [c.203]

Среди сравнительно новых объектов исследования электрохимии полупроводников можно назвать бинарные полупроводниковые материалы двуокись титана 477, 78], танталат калия [791, селенид и теллурид кадмия [80], окись никеля [81, 82]. Параллельно продолжалось дальнейшее исследование окиси цинка [83—86], сульфида кадмия [87, 88], арсенида и фосфида галлия [89, 90]. [c.19]

Книга состоит из шести глав. В первых пяти главах рассматриваются химические свойства двойных сульфидов, селенидов и теллуридов бора, алюминия, галлия, индия и таллия, методы их синтеза, выращивания монокристаллов и дается обзор физических свойств соединений. В главах, посвященных соединениям бора и алюминия, описаны тройные соединения на основе халькогенидов этих элементов в связи с возможностью получения веществ, более устойчивых на воздухе, чем двойные халькогениды бора и алюминия. Тройные соединения других элементов П1[Б подгруппы не рассматриваются. % t J [c.5]

Таблица 10 Некоторые свойства теллуридов галлия

ГАЛЛИЯ ТЕЛЛУРИДЫ ОаТе ( пл 835 X) и ОагТез (<ш, 792 °С). Черные крист., обладают полупроводниковыми св-вами. Получ. сплавлением элементов в вакууме. Перспективны как компоненты полупроводниковых материалов для фотоэлектрич. и оптич. приборов, иапр. в приемниках ИК излучения, в лазерной технике. [c.118]

Халькогениды. Для систем индий—халькоген характерно образование соединений типа ПаХ, 1пХ и 1П2Х3, а также промежуточных соединений и соединений с большим содержанием халькогена. Полуторные халькогениды 1П2Х3 плавятся конгруэнтно. У моносульфида и моноселенида, как и у монохалькогенидов галлия, найдена слоистая структура типа ОаЗ, в которой существует связь металл — металл, с координационным числом индия 4. Монотеллурид индия имеет другое строение (см. далее). Из соединений ЫаХ в кристаллическом состоянии устойчивы только селенид и теллурид. Они плавятся инконгруэнтно [58], [c.292]

Ферроцианиды. Нормальный ферроцианид Т14[Ре(СМ)в]- 2НгО мало растворим в воде. Может быть осажден из растворов солей таллия (I) действием ферроцианнда калия. Еще менее растворимы двойные ферроцианиды с тяжелыми металлами, например Tl2 u,4[Fe( N)e]2[56]. Таллий (III) восстанавливается ионами [Fe( N)el Халькогениды. Халькогениды таллия сильно отличаются по свойствам от халькогенидов галлия и индия. Это сравнительно легкоплавкие соединения. Большей устойчивостью отличаются соединения низшей валентности. Из полуторных халькогенидов устойчив при нормальных условиях только теллурид, а TI2S3, возможно, вообще не [c.334]

Алюминий, галлий п индий диффундируют медленно. При 1050 коэффициент диффузии алюминия в селениде цинка составляет 1,6-10-9 см /с, а индия в теллуриде кадмия при 1000° — 1,8-10" см /с. Галогены диффундируют медленно. При 1000° коэффициент диффузии пода в сульфиде кадмия составляет 10 см с. Диффузия марганца и других переходных элементов также является медленной. [c.36]

Теллурид цинка [99]. Для изготовления р— -перехода использовали монокристаллы ZnTe р-типа с избытком теллура, а также легированные Li, s, Р. Концентрация носителей тока в р- ZnTe достигала 3-10 8см . Область с проводимостью -типа создавали путем введения комплексов галлий-кислород неравновесным методом резким охлаждением расплавленного слоя ZnTe с примесью окисных соединений галлия. Для этого на поверхность кристалла р-типа наносили коллоидный слой гидроокиси галлия, а пластину устанавливали на хладопровод и нагревали электронно-плазменным лучом, образованным [c.151]

ОагТез (галлия(Ш) теллурид, галлий(Ш) теллуристый) 25 2,00 10- 185,82 80,70 [c.309]

Галлий—ОКИСЬ, галлаты арсениды, стнбид, селениды, теллурид [c.289]

Левина [314] опубликовала обзор работ по использованию масс-спектрометра для изучения термодинамики испарения и показала, что этот метод может быть применен для изучения состава паров в равновесных условиях и определения парциальных давлений компонентов, а также термодинамических констант. При повышенных температурах изучались галогенные производные цезия [9], были получены теплоты димеризации 5 хлоридов щелочных металлов [355] исследовались системы бор — сера [458], хлор- и фторпроизводных соединений i и z на графите [53], Н2О и НС1 с NazO и LizO [442], UF4 [10], системы селенидов свинца и теллуридов свинца [398], цианистый натрий [399], селенид висмута, теллурид висмута, теллурид сурьмы [400], окиси молибдена, вольфрама и урана [132], сульфид кальция и сера [105], сера [526], двуокись молибдена [76], цинк и кадмий [334], окись никеля [217], окись лития с парами воды [41], моносульфид урана [85, 86], неодим, празеодим, гадолиний, тербий, диспрозий, гольмий, эрбий и лютеций [511], хлорид бериллия [428], фториды щелочных металлов и гидроокиси из индивидуальных и сложных конденсированных фаз [441], борная кислота с парами воды (352), окись алюминия [152], хлорид двувалентного железа, фторид бериллия и эквимолекулярные смеси фторидов лития и бериллия и хлоридов лития и двува лентного железа [40], осмий и кислород 216], соединения индийфосфор, индий — сурьма, галлий — мышьяк, индий — фосфор — мышьяк, цинк — олово — мышьяк [221]. [c.666]

Теллуриды галлия — устойчивые на воздухе соединения, имеющие значительно более низкие температуры плавления, чем сульфиды и селениды галлия. Наиболее изученными теллуридами являются GaTe и GajTeg. [c.67]

GaTe. Теллурид галлия — мягкое, слоистое, жирное, устойчивое на воздухе и в воде соединение, имеющее цвет от светло-серого до темно-коричневого т. пл. 835° С плотность 5,44 г см [6] и 5,9 г см [85] микротвердость 40 кПмм . Соединение образуется при сплавлении компонентов в стехиометрическом отношении. В литературе описано несколько методов получения GaTe в виде монокристаллов [c.67]

Рассмотрение диаграмм состояния систем элементов-аналогов показывает как общие черты характера химического взаимодейств11Я в системах А —В 1, так и их различие при переходе от легких элементов к тян елым, т. е. от бора к таллию и от серы к теллуру. Двойные системы В — S и В — Se не исследованы, а соединения бора с теллуром до сих нор никто не получргл. Сульфидные системы алюминия, галлия и индия изучены лишь в пределах кон-центраци11 О—60 ат.% S, так как изучение составов с большим ее содержанием представляет значительные трудности из-за высокого давления пара серы при температурах синтеза. Давления паров селена и теллура при температурах синтеза селенидов и теллуридов элементов III Б подгруппы невысоки, что позволило осуществить синтез всех соединений этих халькогенидов методами, применяемыми для получения неорганических полупроводниковых веществ, содержащих легколетучие компоненты. [c.170]

Химический энциклопедический словарь (1983) -- [ c.118 ]

Большой энциклопедический словарь Химия изд.2 (1998) -- [ c.118 ]

Курс неорганической химии (1963) -- [ c.407 ]

Основы общей химии Том 2 Издание 3 (1973) -- [ c.66 , c.68 ]

Курс неорганической химии (1972) -- [ c.365 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология