Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Нестехиометрические полупроводниковые соединения

    Нестехиометрические полупроводниковые соединения [c.115]

    Здесь, как и в случае нестехиометрических полупроводниковых соединений, предполагается, что кристалл находится в термодинамическом равновесии с окружающей его газовой фазой, содержащей неметалл Хг. Поэтому реакции (5.50) могут протекать обратимо. Кроме того, здесь, как и в предыдущей главе, мы рассматриваем только невырожденный электронный газ, для [c.147]

    Нестехиометрические соединения, как правило, обладают интенсивной окраской, проявляют металлические или полупроводниковые свойства. По сравнению со стехиометрическими соединениями у них большая реакционная способность и каталитическая активность. [c.107]


    И /-Элементы образуют соединения переменного, часто нестехиометрического состава, не разлагающиеся водой и кислотами Эти соединения характеризуются металлическими или полупроводниковыми свойствами Соединения с галогенами Они имеют состав ЭГ3 и ЭГд (кроме азота) [c.328]

    И /-Элементы образуют соединения переменного, часто нестехиометрического состава, не разлагающиеся водой и кислотами. Эти соединения характеризуются металлическими или полупроводниковыми свойствами. [c.328]

    Тщательно проведенные анализы ряда соединений, а именно некоторых твердых окислов, сульфидов, гидридов, карбидов, убедили в том, что нестехиометрические соединения далеко не редки как среди природных минералов, так и среди искусственно полученных веществ. Нестехиометрические соединения вызвали к себе большой интерес не только с теоретической точки зрения, но и вследствие большого их значения в различных областях прикладной химии, в частности в технологии получения полупроводниковых материалов. - [c.8]

    Известны два других типа нестехиометрических твердых тел, которые также обладают полупроводниковыми свойствами. Но в этих телах механизм проводимости заключается в миграции положительных, а пе отрицательных зарядов (электронов), как это имело место в полупроводниках и-типа. Первый и наиболее часто встречающийся так называемый р-тип полупроводников представлен соединениями, в которых имеется дефицит ионов металла. К этой категории полупроводников относится закись никеля и много других твердых тел, включая закись меди, закись железа, сульфид -/келеза (I) и иодид меди (II) (рис. 10). Для того чтобы сохранилась электро- [c.219]

    Мы не будем здесь касаться вопроса о различных методах определения доминирующего в данном кристалле типа нестехиометрии, однако сделаем два замечания. Во-первых, отклонение от идеального значения отношения, выражающего состав соединения, нередко столь мало, что способность вещества проявлять полупроводниковые свойства часто служит единственным критерием, позволяющим судить о наличии нестехиометрического соотношения. Во-вторых, на концентрацию различных точечных дефектов, вызываемую нестехиометрическим составом, накладывается небольшой для большинства используемых температур вклад (которым обычно пренебрегают) от дефектов Френкеля и Шоттки (см. разд. 5.2.3.1). [c.220]

    Развитие современной физики твердого тела, сложившейся в результате сочетания теории реальных кристаллов и квантовой статистики, определялось, в первую очередь, требованиями, полупроводниковой электроники. В этой связи изучение оксидных систем ограничивалось узким кругом соединений, представляющих практический интерес для данной отрасли промышленности. По тем же причинам в области теории в первую очередь разрабатывалась физика твердого тела и, значительно меньше, химия, и особенно физическая химия нестехиометрических соединений. Изучение твердых нестехиометрических окислов, начатое Вагнером [2], Хауффе [3] и их сотрудниками, и сейчас находится в начальной стадии. Насколько нам известно, в области оксидных расплавов подобные работы вообще не проводились. Отсюда встает законный вопрос, в какой мере положения физики, установленные для твердых окислов применимы к жидким оксидным системам, в отличие от кристаллических тел, не имеющих дальнего порядка. Останавливаясь на этом вопросе А. Ф. Иоффе [4] писал ...в телах, лишенных дальнего порядка, какими являются жидкие расплавы, имеется как электронный, так и дырочный механизм проводимости. Более того, опыт показал,, что основные свойства полупроводников в первую очередь определяются ближним порядком , характером взаимодействия атомов или молекул, образующих данное тело, с ближайшими соседями . [c.46]


    Часто катализаторы являются полупроводниками. Между каталитической активностью и проводимостью катализатора обычно имеется связь. Чаще всего с ростом одной из этих величин растет и другая. Во многих случаях промоторы увеличивают проводимость. Установление нестехиометрического состава в твердых соединениях приводит к полупроводниковой проводимости и часто увеличивает каталитическую активность. Электроны проводимости и дырки (см. гл. XXII) на поверхности твердого тела могут в известном смысле рассматриваться как особые, обладающие химической активностью центры, способные образовать связь с адсорбированным атомом. [c.412]

    Нестехиометрическое соединение 8г хВ1хРеОз у со структурой типа перовскита было синтезировано при 1100 °С. Его химическая формула и валентное состояние железа определяли химическим анализом. Структуру и свойства устанавливали методами рентгеновской дифракции, ИК- и мессбауэровской спектроскопии. Соединение имеет РтЪт тип симметрии и обнаруживает полупроводниковые свойства. Ионы железа подвергаются реакции диспропорционирования. Синтез осуществляли при более низкой температуре и меньшей продолжительности процесса в сравнении с литературными данными [80]. [c.248]

    Полупроводниковые свойства нестехиометрических соединений рассмотрены в разд. 3.10. Было показано, что для этих соединений можно установить два типа электронной полуирово-димости  [c.122]

    За исключением МпгОт, все оксиды — твердые, окрашенные, нестехиометрические соединения с полупроводниковыми свойствами. Наименьшей термодинамической устойчивостью отличается МпО, в ряду Мп- Тс- Re устойчивость гептаоксидов явно возрастает (табл. 32). [c.465]


Смотреть страницы где упоминается термин Нестехиометрические полупроводниковые соединения: [c.147]    [c.93]    [c.328]    [c.328]    [c.328]    [c.375]   
Смотреть главы в:

Физическая химия твердого тела -> Нестехиометрические полупроводниковые соединения




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Нестехиометрические соединения



© 2025 chem21.info Реклама на сайте