Процессы уширения

Если наряду со спонтанным излучением имеются другие причины, уменьшающие вероятность пребывания системы в возбужденном состоянии, то ширина возбужденного уровня, согласно (96,2), будет равна сумме парциальных ширин, обусловленных различными процессами уширения. [c.460]

Здесь X — длина волны, отсчитываемая от центра линии, а — глубина центра линии, (1 — а) — остаточная интенсивность центра линии, АХ — полуширина линии, уменьшенная в 2]/ 1п2 = 1,66 раза. Линии поглощения обладают таким контуром, если основным процессом уширения является эффект Доплера, а глубина линии не очень велика. Пусть инструментальный контур прибора будет тоже гауссовским [c.339]

В настоящее время имеются два подхода к истолкованию процессов уширения один из них основывается на рассмотрении мгновенных изменений, происходящих при соударениях между частицами (ударная теория), другой — на статистическом рассмотрении влияния совокупности молекул на данный атом в квазистационар-ных условиях (статистическая теория). Показано, что ударная теория справедлива для центральных частей линии, а статистическая — для крыльев линии. Поскольку в дальнейшем нас будет интересовать только центральная часть линии, которая описывается ударной теорией, остановимся на некоторых выводах этой теории подробнее. [c.21]

При абсорбционных измерениях вероятность наложения также определяется общим числом линий поглощения в указанном интервале спектра и их шириной. В отличие от ЭМИССИОННЫХ измерений ширина линий определяется только процессами уширения в поглощающем слое и составляет в среднем не более 0,5 см К При учете того обстоятельства, что линии атомов составляют примерно половину от общего числа линий, наблюдаемых в спектрах испускания, имеем согласно (8.1) для числа линий поглощения А2-500 = 30. Поэтому вероятность наложения (Рабе) при атомно-абсорбционных измерениях в тех же условиях равна [c.56]

Во многих колонках для ЖХ эффекты в подвижной фазе преобладают над эффектами в неподвижной. Если вызываемый диффузией в застойной подвижной фазе дополнительный вклад в уширение полосы мал (1.25), Н не зависит от к [27]. Но когда эти процессы уширения важны, Н зависит от к, даже если эффекты массопереноса в неподвижной фазе отсутствуют [10]. Кроме того, характер зависимости Я от и указывает на то, что высокие линейные скорости подвижной фазы могут быть использованы без значительного понижения эффективности колонки. После рассмотрения принципов оптимизации времени (этому вопросу посвящен следующий раздел) мы детально обсудим характерные особенности жидкостной хроматографии, связанные с высокоскоростным разделением все эти особенности нашли отражение в уравнении уширения (1.24). [c.29]

В общем случае интенсивность сверхтонкой компоненты атомного перехода определяется величиной коэффициента атомного поглощения. Этот коэффициент испытывает дисперсию по длинам волн, ли уширение, которое может быть вызвано несколькими эффектами. Однако независимо ст процесса уширения при низких плотностях падающего излучения, когда [c.141]

Основное условие успешного хроматографического разделения состоит в следуюшем введенная в колонку проба должна располагаться в виде возможно более узкой зоны. В процессе прохождения зоны пробы по колонке она уширяется, и степень конечного разделения двух веществ зависит от того, в какой мере ограничены эти процессы уширения и насколько узка зона введенной пробы (эффективности колонки и эффективности ввода пробы). Очевидно, что до тех пор, пока ширина зоны не зависит от общего количества вещества в зоне, она обратно пропорциональна концентрации веществ в этой зоне. Следовательно, и эффективность ввода пробы, и эффективность колонки влияют на концентрации анализируемых веществ, доставляемых к детектору, и, таким образом, влияют на чувствительность анализа. [c.11]

Даже после точного определения контура коэффициента поглощения линии (или поглощения) для определения температуры необходимо выделить гауссовский и лоренцевский вклады в этот контур. Результирующая лоренцевская полуширина равна линейной сумме полуширин всех лоренцевских процессов уширения. В том случае, когда одна сверхтонкая компонента хорошо разрешена, относительные вклады можно найти из таблиц По-зенера [50]. Когда несколько сверхтонких компонент уширяют контур линии, то требуется применение метода подгонки кривой. Вагенаар, Пикфорд и де Галан [30] определили гауссовский и лоренцевский вклады для линии поглощения Си с длиной волны 325 нм в воздушно-ацетиленовом пламени с помощью отиоси-тельно простого графического метода подгонки параметров, описывающих экспериментальные контуры поглощения, к параметрам теоретических контуров, вычисленных при условии, что сверхтонкая структура линии известна. [c.158]

В случае если поглощающие атомы дают одинаковый вклад в поглощение при любой частоте внутри контуров поглощения, то функция (V—Уо) описывается лоренцевским профилем и процесс уширения называется однородным. Если же, с другой стороны, определенный частотный интервал внутри контура поглощения связан с определенным набором поглощающих атомов, то функция g — о) описывается гауссовским профилем, а процесс уширения, ответственный за это, называется неоднородным. Типичным случаем однородного уширения является уширение вследствие соударений, а неоднородного уширения— эффект Доилера. Когда в атомной системе имеют место оба про- [c.206]

Исходя из теории жидкости, Блемберген, Перселл и Паунд предложили формулу, описывающую процесс уширения линий. Затем эта формула была обобщена Гутовским н Пейком 2. Полученная формула применяется довольно широко, несг.ютря на то, что [c.311]

Таким образом, ПИА наиболее пригоден для экспрессного анализа простых по составу объектов, в то время как достоин-ства НПА наиболее полно реализуются при анализе более сложных проб. Теория НПА и ПИА основывается на рассмотрении процессов уширения зон, описанных выше с привлечением соответствующих уравнений [уравнения (5.51) — (5.56)]. Однако она до сих пор включает ряд существенных упрощений, и поэтому все теоретические выводы (см. [123, 148]) носят полуэм-пирический характер. В работе [148] показано, что для гаран- [c.152]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология