Определение структурного фактора

Дипольный момент молекулы является непосредственной характеристикой ее электронной конфигурации. Возмущения последней под влиянием определенных структурных факторов, например при введении в молекулу замещающих групп, прямо отражаются на величине дипольного момента. Различные структурные перестройки молекулы сопряжены с перераспределением электронной плотности по двум механизмам индукционному и механизму сопряжения. Первый из них является универсальным, второй действует лишь в случае ненасыщенных молекул. В настоящей главе будут рассмотрены методы количественной оценки влияния этих, а также ряда других специфических эффектов на распределение электронной плотности в молекулах различного типа, основанные на данных о дипольных моментах. [c.164]

Поскольку наличие или отсутствие корреляции экспериментальных данных с теми или иными постоянными заместителей часто служит основой для выводов о наличии или отсутствии влияния определенных структурных факторов, а также о механизме реакции, то проблема независимости этих постоянных друг от друга приобретает первостепенное практическое значение. Обычно такая независимость просто предполагается, исходя из различной физической сущности постоянных заместителей, являющихся мерой их индукционного, стерического и резонансных влияний. [c.249]

По мере накопления эмпирического материала в области полярографии органических соединений стала выявляться определенная взаимосвязь между строением молекул и их способностью к электрохимическому превращению на р. к. э. Было установлено, что для проявления полярографической активности требуется наличие в молекуле определенных структурных факторов. Стало вырисовываться, какие именно это факторы и как они отражаются на численных характеристиках электрохимических процессов, прежде всего на величинах потенциалов полуволн. [c.100]

Исследование дифракции рентгеновских лучей на реальных кристаллах, занимающих промежуточную область между совершенным идеально мозаичным состоянием, представляет большой интерес как для анализа мозаичности структуры их, так и для определения структурных факторов, монохро-матизации рентгеновского излучения и решения других вопросов. До последнего времени изучение дифракции рентгеновских лучей на реальных кристаллах касалось главным об-разо.м вопросов, связанных с влиянием плотности дислокаций на полуширину (форму) кривой рассеяния и в некоторой мере интегральную интенсивность рассеяния. Вопросы поляризации рентгеновского излучения, рассеянного от кристаллов с различной плотностью дислокаций, не получили должного внимания. Исследовапия кремния [1] показали, что плотность дислокаций в кристалле оказывает существенное влияние на поляризацию рассеянного рентгеновского изл че-ния. [c.56]

Суммируя вышеизложенное, можно сказать, что исследование пространственной структуры двухмерных кристаллов состоит из нескольких этапов 1) получение микрофотографий кристаллов в максимально доступном диапазоне углов их наклона относительно оптической оси микроскопа 2) получение Фурье-трансформант изображений и их фильтрация от шумов 3) комбинирование всех изображений для построения трехмерной трансформанты и определения структурных факторов 4) Фурье-синтез пространственной структуры. [c.197]

ОПРЕДЕЛЕНИЕ СТРУКТУРНОГО ФАКТОРА [c.319]

Выражения (I. 14) и (I. 15) могут быть пспользопа11ы для определения структурного фактора [c.14]

Теперь мы знаем, как можно рассчитать структурный фактор по экспериментально найденным интенсивностям отраженных рентгеновских лучей. Имеется также способ расчета структурного фактора, если известны положения атомов и их факторы отражения (/), а также поправки на тепловое движение. Желательно дать более полное и простое определение структурного фактора, исходя из общего рас-лределения электронов в кристалле, так как именно распределениел электронной плотности обусловлены все отражения рентгеновских лучей. Обозначим плотность электронов в любой точке кристалла через р (хуг). Тогда р (хуг) йх йу йг будет число электронов в элементарном объеме йх йу йг. Каждый элементарный объем вносит свой вклад в структурную амплитуду всей элементарной ячейки. Для плоскости НЫ) сдвиг по фазе между волнами, отраженными от начала координат и точки ху%, составляет 2я(/гж/а + ку]Ъ - - г/с) [c.46]

Для определения структурных факторов 1пР производились рентгеновские съемки дифракционных спектров на плоских порошковых образцах диаметром 20 и толщиной 2—3 мм. Образцы приготовлялись из мелко растертых и отмученных порошков с размером частиц меньше 1 мк. Порошки спрессовывались при различных давлениях до 6000 кГ1см . Несколько образцов было приготовлено без давления с небольшим количеством связывающего вещества. Образцы, приготовленные со связкой, шлифовались и полировались. Поверхности спрессованных образцов были достаточно гладкие, так как использовался плунжер с зеркально гладкой поверхностью. [c.123]

Для определения структурных факторов в InP применялись образцы, приготовленные при формовочном давлении 2500 кГ см , но в значения интенсивностей рефлексов 220 и 440 вводились поправки на преимущественную ориентацию, определенные из сравнений относительных интенсивностей для образцов, приготовленных без давления, с интенсивностями от спрессованных образцов. Вводились поправки на температурное диффузное рассеяние по Чипману и Паскину [4]. Экстинкционные эффекты были незначительные, так как использовались очень мелкие растертые порошки. Коэффициент линейного поглощения р, принимался равным 993 [5 . [c.124]

Зная параметры структуры (координаты атомов), с помощью уравнения (8.2) можно рассчитать структурные факторы F hkt) , однако в рентгеноструктурном анализе решают обратную задачу — находят параметры структуры на основании экспериментальяо определенных структурных факторов Fo hkl) . Эту задачу невозможно выполнить непосредственно путем решения соответствующей системы уравнений, поскольку они не являются уравнениями линейными. Методом, который используется для определения расположения атомов в элементарной ячейке, является суммирование некоторого ряда Фурье, позволяющее рассчитать распределение электронной плотности [c.235]

На этом этапе структура все еще очень приблизительна. Положения атомов из того первоначального набора, который использовался для запуска всего итерационного процесса, определены не слишком точно. Получаюшееся в результате распределение электронной плотности не очень четко. Обычно невозможно приписать точные координаты всем атомам. Более того, на результате сказываются экспериментальные ошибки определения структурных факторов, и их следует учитывать каким-то систематическим образом. Итак, шестой, последний этап определения структуры по рентгеновским данным состоит в том, чтобы, допуская небольшие изменения структуры молекул, добиться наибольшего согласия между рассчитанной структурой и наблюдаемыми данными. Один из способов этого, называемый уточнением по методу наименьших квадратов, будет описан дальше. [c.373]